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[发明专利]磁记录介质及磁存储装置-CN202310272532.X在审
发明人： 长谷川浩太;福岛隆之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：本发明提供一种顽磁力高，磁性层所包含的磁性粒子的粒径小，各向异性高的磁记录介质及磁存储装置。磁记录介质100依次具有基板1、基底层2以及磁性层3。磁性层3具有粒状结构，所述粒状结构包含具有L10结构的磁性粒子，以及晶界部，晶界部的含量在25体积％～50体积％的范围内。晶界部包含硫属元素化物系层状物质。
记录介质存储装置

[发明专利]层叠体、谐振子、滤波器、剥离层叠体以及谐振子的制造方法-CN202210226362.7在审
发明人：利根川翔;坂胁彰;远藤大三;长谷川浩太 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10N30/85 文献下载
摘要：提供结晶性高的层叠体、利用了该层叠体的谐振子、滤波器及该谐振子的制造方法。一种层叠体，具备基板(210)、配置于基板(210)之上且由包含金属元素的单晶构成的电极层(230)、形成于基板(210)与电极层(230)之间且使电极层(230)的晶体取向性提高的缓冲层(220)、和形成于电极层(230)之上且由压电体构成的压电层(240)，缓冲层(220)及压电层(240)由以ScAlN和AlN中的任一者的组成为主成分的单晶构成。
层叠谐振子滤波器剥离以及制造方法

[发明专利]层叠体的制造方法-CN202210224956.4在审
发明人：利根川翔;坂胁彰;远藤大三;长谷川浩太 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10N30/076 文献下载
摘要：提供结晶性高的层叠体的制造方法。一种层叠体的制造方法，是制造以AlN为主成分的层叠体的方法，其特征在于，包含：在基板(210)上形成由包含金属元素的单晶构成的电极层(230)的工序；和在电极层(230)之上通过溅射而形成以AlN为主成分的压电层(240)的工序，在形成压电层(240)的工序中，在进行溅射时，对靶施加脉冲电压，将占空比设为4％以下，将施加脉冲时的平均功率密度设为200W/cm2以上且2500W/cm2以下。
层叠制造方法

[发明专利]压电膜、谐振子、滤波器、层叠体、剥离层叠体及谐振子的制造方法-CN202210232957.3在审
发明人：利根川翔;坂胁彰;远藤大三;长谷川浩太 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：提供结晶性高的压电膜及具备该压电膜的谐振子、滤波器等。一种压电膜，是包含通过谐振来获取需要的频率的电波的压电体的压电膜，压电体，以ScAlN和AlN中的任一者的组成为主成分，密勒指数为(11‑20)的晶格面的X射线摇摆曲线的半值宽度为10°以下。
压电谐振子滤波器层叠剥离制造方法

[发明专利]磁记录介质及其制造方法、以及磁记录再生装置-CN202010578142.1有效
发明人： 长谷川浩太;东佑 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11B5/73 文献下载
摘要：提供一种基底层和垂直磁记录层的晶体取向性较高的磁记录介质。磁记录介质(10)在非磁性衬底(1)上依次具有软磁性层(2)、第一种子层(3)、第二种子层(4)、基底层(5)、以及垂直磁记录层(6)。第一种子层(3)包含MoS2、六方BN、WS2、WSe2或石墨。第二种子层(4)包含具有六方纤锌矿型晶体结构的AlN。基底层(5)包含Ru。
记录介质及其制造方法以及再生装置

[发明专利]磁记录介质及磁存储装置-CN202110544113.8在审
发明人： 长谷川浩太;福岛隆之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：本发明提供一种顽磁力高，磁性层所包含的磁性粒子的粒径小，各向异性高的磁记录介质。磁记录介质100依次具有基板1、基底层2以及磁性层3。磁性层3具有粒状结构，所述粒状结构包含具有L10结构的磁性粒子，以及晶界部，晶界部的含量在25体积％～50体积％的范围内。晶界部包含硫属元素化物系层状物质。
记录介质存储装置

[发明专利]磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置-CN201711376704.9有效
发明人： 长谷川浩太;大桥荣久 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G11B5/73 文献下载
摘要：一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含碳化物的粒状结构的磁性层。所述碳化物是所述磁性颗粒中所含的元素的碳化物。
磁性层磁记录介质碳化物垂直磁性层非磁性基板磁性颗粒粒状结构晶界部磁记录再生装置软磁性底层保护层控制层最表层氧化物配向制造

[发明专利]磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置-CN201711284415.6有效
发明人： 长谷川浩太;大桥荣久 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G11B5/73 文献下载
摘要：一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层。所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素的氮化物。
磁性层磁记录介质氮化物垂直磁性层非磁性基板磁性颗粒粒状结构晶界部磁记录再生装置软磁性底层保护层控制层最表层氧化物配向制造

[发明专利]磁记录介质及磁记录再生装置-CN201611161241.X有效
发明人：井上健;长谷川浩太 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：一种磁记录介质，其非磁性基板上至少设置了软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层及保护层，垂直磁性层从基板侧开始依次包括第1至第4磁性层，第1至第4磁性层为粒状结构磁性层，构成第1至第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，第1磁性层和第2磁性层之间及第2磁性层和第3磁性层之间分别具有交换结合控制层，第3磁性层与第4磁性层接触，第1至第4磁性层为强磁结合，在第1至第4磁性层的磁各向异性常数为Ku_i、饱和磁化强度为Ms_i及膜厚为t_i时，满足Ku_i＞Ku_i+1(i＝1，2)、Ms_i·t_i＞Ms_i+1·t_i+1(i＝1，2)、Ku_i＜Ku_i+1(i＝3)及Ms_i·t_i＜Ms_i+1·t_i+1(i＝3)的关系。
磁性层垂直磁性层磁记录介质控制层磁各向异性常数磁记录再生装置非磁性基板软磁性底层饱和磁化磁性颗粒粒状结构保护层连续柱基板膜厚配向强磁交换

[发明专利]垂直磁记录介质及磁存储装置-CN201510818080.6有效
发明人： 长谷川浩太;鹈饲高广;山川荣进;圆谷志郎;境诚司 -专利权人：昭和电工株式会社;日本原子力研究开发机构
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直磁记录介质及磁存储装置。一种垂直磁记录介质，包括非磁性衬底；垂直磁性层，其设在所述非磁性衬底的上方；以及保护层，其设在所述垂直磁性层上。所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层，该多个堆叠的层具有相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面。所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒，所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合金构成的组。所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触，并且所述保护层包括单一石墨烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层。所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。
垂直记录介质存储装置

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