专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁头及磁记录装置-CN202110210749.9有效
  • 岩崎仁志;成田直幸;首藤浩文;高岸雅幸;永泽鹤美 - 株式会社 东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-02-25 - 2023-04-11 - G11B5/187
  • 本公开提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式,磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间且包括Cu的第1层及设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间且包括Cu的第2层。所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。
  • 磁头记录装置
  • [发明专利]磁记录装置-CN202210070371.1在审
  • 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;永泽鹤美;前田知幸 - 株式会社 东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-01-21 - 2023-04-04 - G11B5/11
  • 提供能够实现记录密度的提高的磁记录装置。根据实施方式,磁记录装置包括磁头及控制部。磁头包括第1磁极、磁元件及线圈,磁元件包括磁性层。控制部与磁元件及线圈电连接。控制部能够向线圈供给记录电流且向磁元件供给元件电流。记录电流包括第1极性的第1期间、与第1极性不同的第2极性的第2期间、从第1期间向第2期间转变的第3期间及从第2期间向第1期间转变的第4期间。元件电流包括直流成分和交流成分。第1期间中的交流成分与第2期间中的交流成分、第3期间中的交流成分及第4期间中的交流成分相同。
  • 记录装置
  • [发明专利]磁头及磁记录装置-CN202210078110.4在审
  • 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-01-24 - 2022-11-29 - G11B5/10
  • 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式,磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素。第2磁性层包含(Fe100‑xCox)100‑yEy(10atm%≤x≤50atm%,10atm%≤y≤90atm%)。第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。第1磁性层不包含第2元素,或者,第1磁性层中的第2元素的浓度比第2磁性层中的第2元素的浓度低。
  • 磁头记录装置
  • [发明专利]磁头-CN202010951377.0有效
  • 首藤浩文;成田直幸;永泽鹤美;高岸雅幸;岩崎仁志;前田知幸 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2020-09-11 - 2022-10-25 - G11B5/31
  • 提供能够提高记录密度的磁头。根据实施方式,磁头包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、磁极、第1磁性层以及第1非磁性部件。第1屏蔽件包括第1部分区域~第3部分区域。从第2部分区域朝向第3部分区域的方向沿着第1方向。第1部分区域的位置处于第2部分区域与第3部分区域的位置之间。从第1屏蔽件朝向第2屏蔽件的第2方向与第1方向交叉。磁极设置在第1部分区域与第2屏蔽件之间。磁极处于第2部分区域与第3部分区域之间。第1磁性层处于磁极与第2屏蔽件之间。第1非磁性部件包括第1部分、第2部分。第1部分处于磁极与第1磁性层之间。第2部分在第2方向上处于第2部分区域与第2屏蔽件之间。第2部分与第2部分区域电连接。
  • 磁头
  • [发明专利]磁头和磁记录装置-CN202110857056.9在审
  • 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美;首藤浩文 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-07-28 - 2022-08-30 - G11B5/48
  • 本发明的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式,磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
  • 磁头记录装置
  • [发明专利]磁头以及磁记录装置-CN202010952619.8有效
  • 岩崎仁志;高岸雅幸;成田直幸;永泽鹤美;首藤浩文 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2020-09-11 - 2022-06-28 - G11B5/31
  • 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式,磁记录装置包括磁头和电气电路。所述磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括:第1非磁性层;第1磁性层,其设置在所述第1非磁性层与所述第2磁极之间;第1层,其设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间;第2非磁性层,其设置在所述第1层与所述第2磁极之间;第2磁性层,其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁极之间;以及第3非磁性层,其设置在所述第2磁性层与所述第2磁极之间。所述电气电路向所述层叠体供给第1电流,所述第1电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向。
  • 磁头以及记录装置

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