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[发明专利]磁性显示黑板-CN201610992166.5在审
发明人：施凤海 -专利权人：广安市广安区北辰小学校
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： B43L1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性显示黑板，包括磁性显示层，磁性显示层中磁性颗粒为白色磁性颗粒；磁性显示层后面为黑色背景层，磁性显示层前面为硬质、耐磨、且透明的书写保护层；黑色背景层后设置有可滑动的用于将白色磁性颗粒吸引向磁性显示层后部以消除显示内容的复原磁条黑底加白色显示内容，和传统黑板观感相同，结合了传统黑板舒适、识别度高和现有磁性显示板无粉尘、低碳节能环保的优点。
磁性显示白色磁性颗粒传统黑板黑色背景显示内容黑板磁性显示板磁性颗粒节能环保保护层加白色可滑动识别度透明的无粉尘耐磨磁条低碳复原硬质书写吸引

[发明专利]具有半金属的自旋转移扭矩存储器(STTM)设备以及写入和读取设备的方法-CN201180075623.X在审
发明人： C·C·郭;R·G·莫亚拉德;B·S·多伊尔;D·L·肯克;K·奥乌兹;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：例如，磁性隧道结包括自由磁性层、固定磁性层以及布置在自由磁性层和固定磁性层之间的电介质层。自由磁性层和固定磁性层之一或两者在与电介质层的界面处包括半金属材料。
具有金属自旋转移扭矩存储器 sttm 设备以及写入读取方法

[发明专利]磁性随机存储器记忆单元及其读写和抗干扰方法-CN201510608723.4有效
发明人：郭一民;陈峻;肖荣福;夏文斌;戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元，包括堆叠结构和自旋阀控制层，堆叠结构包括：磁性参考层、磁性记忆层、隧道势垒层、中间层和自旋阀层；磁性参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；磁性记忆层和自旋阀层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面；隧道势垒层位于磁性参考层和磁性记忆层之间且分别与磁性参考层和磁性记忆层相邻；中间层与磁性记忆层相邻；自旋阀层的磁各向异性小于磁性记忆层的磁各向异性；自旋阀层与所述中间层相邻；自旋阀控制层是与堆叠结构相间隔设置的导电层本发明还提供了一种上述磁性随机存储器记忆单元的读写和抗干扰方法，以及基于以上设计构思的另一种记忆单元及其读写和抗干扰方法。
磁性随机存储器记忆单元及其读写抗干扰方法

[发明专利]磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置-CN200810095658.X有效
发明人：恒川孝二;D·D·贾雅帕瓦拉 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2008-05-07 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置。所述磁阻元件包括：从包含锰的层形成的反铁磁性层；包含位于反铁磁性层的一侧之上并从包含铁磁性材料和铂族金属的层形成的第一磁化固定层、从包含铁磁性材料的层形成的第二磁化固定层、以及位于第一磁化固定层和第二磁化固定层之间的第一非磁性中间层的分层的磁化固定层；从包含铁磁性材料的层形成的磁性自由层；以及位于分层的磁化固定层和磁性自由层之间的第二非磁性中间层。
磁阻元件制造方法磁性多层装置

[发明专利]磁性装置-CN202180015269.5在审
发明人：加藤侑志;与田博明;大泽裕一;与田朋美 -专利权人： YODA-S株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：根据实施方式，磁性装置包含第一导电构件及第一层叠体。第一导电构件包含第一部分、第二部分及第一部分与所述第二部分之间的第三部分。从第一部分朝向第二部分的方向沿着第一方向。第一层叠体包含第一磁性层、第一对置磁性层、第一非磁性层、第一中间磁性层及第一中间非磁性层。第一中间磁性层在与第一方向交叉的第二方向上位于第三部分与第一对置磁性层之间。第一磁性层在第二方向上位于第一中间磁性层与第一对置磁性层之间。第一中间非磁性层位于第一中间磁性层与第一磁性层之间。第一非磁性层位于所述第一磁性层与第一对置磁性层之间。所述第一中间磁性层的总磁化量比第一磁性层的总磁化量小。
磁性装置

[发明专利]磁性多层膜的制造方法-CN200580045808.0有效
发明人：菊地幸男;森田正 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种磁性多层膜的制造方法，包括：在衬底上形成第1磁性层的第1磁性层形成工序；在所述第1磁性层上形成非磁性层的非磁性层形成工序；在所述非磁性层上形成第2磁性层的第2磁性层形成工序；其特征在于，该方法还包括等离子体处理工序，在所述非磁性层形成工序之前，将所述衬底放到等离子体处理装置中，使所述衬底与所述等离子体处理装置处于电绝缘状态，用感应耦合等离子体进行处理。
磁性多层制造方法

[发明专利]自旋轨道扭矩（SOT）磁性器件及其制造方法-CN201910891688.X在审
发明人：蔡惠铭;林世杰;宋明远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：自旋轨道扭矩(SOT)磁性器件包括：底部金属层；第一磁性层，设置在底部金属层上方；间隔件层，设置在第一磁性层上方；以及第二磁性层，设置在间隔件层上方。用于抑制第一磁性层的金属元素扩散到底部金属层中的扩散阻挡层设置在底部金属层和第一磁性层之间。本发明的实施例还涉及自旋轨道扭矩(SOT)磁性器件的制造方法。
自旋轨道扭矩 sot 磁性器件及其制造方法

[发明专利]磁存储装置-CN202110080021.9在审
发明人：都甲大;杉山英行;及川壮一;中山昌彦 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件具备具有可变磁化方向的第1磁性层、具有可变磁化方向的第2磁性层、具有固定磁化方向的第3磁性层、及非磁性层，所述第1磁性层设置在所述第2磁性层与所述第3磁性层之间，所述非磁性层设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间，所述第2磁性层具有第1元素形成的第1元素层与第2元素形成的第2元素层交替地积层而成的超晶格结构，所述第1元素是钴(Co)，所述第2元素从铂(Pt)、镍(Ni)及钯(Pd)中选择，且所述第2磁性层含有铬(Cr)作为第3元素。
存储装置

[发明专利]无线充电用导磁片结构-CN201711249252.8在审
发明人：刘开煌;李家洪;徐勇攀;庞治华 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01F27/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种无线充电用导磁片结构，包括依次层叠的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的磁导率和热导率分别对应小于第二磁性层的磁导率和热导率。对第一磁性层和第二磁性层的磁导率进行梯度化设计，可以将第二磁性层的导磁率设计较高，以提高导磁片结构的屏蔽性能，可以将第一磁性层的导磁率设计较低，以减小涡流的产生；第一磁性层和第二磁性层的热导率逐渐增加，
磁性层导磁片磁导率热导率无线充电导磁率温度均匀性涡流屏蔽性能散热性能依次层叠逐渐增加梯度化减小

[发明专利]磁存储装置-CN201710845287.1有效
发明人：及川忠昭;永濑俊彦;李永珉;渡边大辅;泽田和也;吉野健一;大鸟博之;金亮坤;郑求烈;林钟久;李哉衡;徐秀万;郑星雄;李泰荣 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK 海力士公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：根据一个实施例，磁存储装置包括磁阻元件，该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)包括第一子磁性层和第二子磁性层(21，22)，每个至少包含铁(Fe)和硼(B)，以及在第一子磁性层(21)中包含的硼(B)的浓度与在第二子磁性层(22)中包含的硼(B)的浓度不同。
存储装置

[实用新型]无线充电用导磁片结构-CN201721660454.7有效
发明人：刘开煌;李家洪;徐勇攀;庞治华 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01F27/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无线充电用导磁片结构，包括依次层叠的第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层的磁导率和热导率分别对应小于第二磁性层的磁导率和热导率。对第一磁性层和第二磁性层的磁导率进行梯度化设计，可以将第二磁性层的导磁率设计较高，以提高导磁片结构的屏蔽性能，可以将第一磁性层的导磁率设计较低，以减小涡流的产生；第一磁性层和第二磁性层的热导率逐渐增加，
磁性层导磁片磁导率热导率无线充电导磁率本实用新型温度均匀性涡流屏蔽性能散热性能依次层叠逐渐增加梯度化减小

[发明专利]电子设备-CN201610382001.6有效
发明人：文廷桓;尹晟准 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：根据本文件的一种实施方式的电子设备可以包括半导体存储器，并且该半导体存储器可以包括：自由层，包括多个磁性层，每个磁性层具有可变磁化方向；隧道阻障层，形成在自由层之上；以及钉扎层，形成在隧道阻障层之上并且具有钉扎磁化方向；其中，自由层中的多个磁性层包括与隧道阻障层接触的第一磁性层和与隧道阻障层不接触的第二磁性层，并且第一磁性层和第二磁性层之间的交换场与由第一磁性层产生的漏磁场的总和大于或等于第二磁性层的单轴各向异性场和由于第二磁性层的形状导致的退磁场之间的差
电子设备

[发明专利]光磁记录媒体及其再现方法-CN01137293.1无效
发明人：川口优子;村上元良 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-10-11 - 公布日： 2002-05-15 - 主分类号： G11B11/10 文献下载
摘要：该媒体形成按顺序包含第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层的多层膜,第二磁性层的居里温度TC2比第一磁性层的居里温度TC1和第三磁性层的居里温度TC3都低,第三磁性层为垂直磁化膜。在小于TC2的温度区域中的至少一部分中,第一磁性层通过与第二磁性层的交换耦合垂直磁化,通过该交换耦合,第三磁性层的磁化经第二磁性层转录到第一磁性层。第二磁性层在室温下为面内磁化膜,在比室温高的临界温度TCR与TC2之间的温度区中,为成为垂直磁化膜的磁性膜。
记录媒体及其再现方法

[发明专利]一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构-CN201910538303.1有效
发明人：候华毅;陈相柏 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：本发明提供一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构，包括磁性离子层，以及设置在磁性离子层之间的非磁性掺杂离子层；根据自旋波传播到非磁性掺杂离子层时会淬灭，通过控制非磁性掺杂离子层的离子排列而控制自旋波的传播方向本发明通过在磁性离子层中设置非磁性掺杂离子层，使得自旋波传播到非磁性掺杂离子层时会淬灭，从而通过控制非磁性掺杂离子层的离子排列而控制自旋波的传播方向。
一种控制自旋传播方向晶体结构

[发明专利]自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器-CN202310983014.9在审
发明人：盐川阳平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明的自旋轨道转矩型磁阻效应元件(101)具备：第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)、层叠了上述第一铁磁性层的自旋轨道转矩配线(5)，上述自旋轨道转矩配线沿着相对于上述第一铁磁性层的法线方向即第一方向(Z)交叉的第二方向(X)延伸，上述第一铁磁性层从上述自旋轨道转矩配线侧依次具有第一层叠结构体(10a)和界面磁性层(20)，上述第一层叠结构体是从上述自旋轨道转矩配线侧依次配置铁磁性导电体层(11a)和含氧化物层(12a)的结构体，上述铁磁性导电体层包含铁磁性金属元素，上述含氧化物层包含铁磁性金属元素的氧化物。
自旋轨道转矩磁阻效应元件磁存储器