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[发明专利]磁头和磁记录装置-CN202210958794.7在审
发明人：永泽鹤美;中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;长村燎 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、层叠体和第1～第3端子。层叠体设置于第1磁极与第2磁极之间。层叠体包括第1～第4磁性层和第1～第5非磁性层。第1端子与第1磁极电连接。第2端子与第2磁极电连接。第3端子与第3非磁性层电连接。
磁头记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202210926360.9在审
发明人： 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层～第4磁性层和第1非磁性层～第5非磁性层，第2非磁性层与第2磁性层及第1磁性层接触，第3非磁性层与第3磁性层及第2磁性层接触，第4非磁性层与第4磁性层及第3磁性层接触，沿着从第1磁极向第2磁极的第1方向的第4磁性层的第4厚度为沿着第1方向的第1磁性层的第1厚度的0.5倍以上且1.6倍以下，沿着第1方向的第2磁性层的第2厚度小于第1厚度。
磁头记录装置

[发明专利]磁记录装置-CN202210070371.1在审
发明人： 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;永泽鹤美;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11B5/11 文献下载
摘要：提供能够实现记录密度的提高的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头及控制部。磁头包括第1磁极、磁元件及线圈，磁元件包括磁性层。控制部与磁元件及线圈电连接。控制部能够向线圈供给记录电流且向磁元件供给元件电流。记录电流包括第1极性的第1期间、与第1极性不同的第2极性的第2期间、从第1期间向第2期间转变的第3期间及从第2期间向第1期间转变的第4期间。元件电流包括直流成分和交流成分。第1期间中的交流成分与第2期间中的交流成分、第3期间中的交流成分及第4期间中的交流成分相同。
记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202210065035.8在审
发明人： 中川裕治;高岸雅幸;成田直幸;永泽鹤美;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11B5/10 文献下载
摘要：提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、屏蔽件以及非磁性层。所述非磁性层设置在所述磁极与所述屏蔽件之间。所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接。所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
磁头记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202210026346.3在审
发明人： 中川裕治;高岸雅幸;成田直幸;永泽鹤美;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。层叠体中包含的第3磁性层包含(Fe100‑xCox)100‑yEy，第2元素E包含选自Cr、V、Mn、Ti及Sc中的至少一种，其中，10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％。
磁头记录装置

[发明专利]磁头和磁记录装置-CN202210084245.1在审
发明人： 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美;山田健一郎;喜喜津哲 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G11B5/11 文献下载
摘要：本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包含第1磁极、第2磁极、磁性元件和磁性部件。磁性元件设置于第1磁极与第2磁极之间并包含第1磁性层。磁性部件包含第1磁性部。从第1磁性部向磁性元件的第2方向与从第1磁极向第2磁极的第1方向相交叉。第1磁性部包含磁性材料。磁性材料包含第1材料、第2材料和第3材料中的至少任一方。第1材料包含从由Mn3Sn、Mn3Ge和Mn3Ga构成的群中选择的至少一个。第2材料包含从由包含Mn和Ni的立方晶或正方晶的化合物、包含γ相的Mn的立方晶合金、以及包含Fe的立方晶合金构成的群中选择的至少一个。第3材料包含反铁磁性体。
磁头记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202210078110.4在审
发明人： 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G11B5/10 文献下载
摘要：提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素。第2磁性层包含(Fe100‑xCox)100‑yEy(10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％)。第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。第1磁性层不包含第2元素，或者，第1磁性层中的第2元素的浓度比第2磁性层中的第2元素的浓度低。
磁头记录装置

[发明专利]磁头和磁记录装置-CN202110857056.9在审
发明人： 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
磁头记录装置

[发明专利]磁头以及磁记录装置-CN202110859082.5在审
发明人： 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置在第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置在第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置在第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置在第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置在第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层以及设置在第2磁极与第3磁性层之间的第4非磁性层。沿着从第1磁极朝向第2磁极的第1方向的第1磁性层的第1厚度比沿着第1方向的第2磁性层的第2厚度厚。沿着第1方向的第3磁性层的第3厚度比第2厚度厚。
磁头以及记录装置

[发明专利]磁头和磁记录装置-CN202110858621.3在审
发明人： 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美;岩崎仁志;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
磁头记录装置

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