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[发明专利]一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法-CN202010936421.0在审
发明人：张峰;冯羽 -专利权人：杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，包括：准备支撑衬底和键合衬底；将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化；对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；将所述键合衬底减薄到需要的厚度；对所述键合衬底进行抛光。采用本申请实施例的一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，使用硅硅键合技术，使用不同电阻率的常规CZ硅衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本
一种采用硅硅键合工艺制作高压 vdmos 方法

[发明专利]一种硅硅键合检测图像的处理方法及系统-CN201610021552.X在审
发明人：陶智;闫晓军;李海旺;徐天彤;谭啸;余明星 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅硅键合检测图像的处理方法及系统，该方法包括：获取硅硅键合检测图像；去除待处理图像中的背景因素。基于sym8小波去除检测图像的噪声；基于sym4小波变换进行处理，得到高频增强图像；对高频增强图像进行对比度增强处理，得到对比度增强图案；设定键合阈值，将对比度增强图像中边界小于键合阈值的矩阵数值归为0；将边界大于等于键合阈值的灰度值归为255，得到键合边界对比图像；对键合边界对比图像的边界进行处理，得到键合边界图；计算硅硅键合率。本发明通过对图像进行各种变换，从而能够明确地划定的边界图像中提取到硅硅键合率，从而可以准确的分析硅硅键合效率。
一种硅硅键合检测图像处理方法系统

[发明专利]一种全硅MEMS器件结构及其制造方法-CN201410535339.1有效
发明人：何凯旋;郭群英;黄斌;王鹏;陈博;陈璞;王文婧;刘磊 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
一种 mems 器件结构及其制造方法

[实用新型]一种高压VDMOS-CN202021944835.X有效
发明人：张峰;冯羽 -专利权人：杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压VDMOS，包括：支撑衬底和键合衬底，所述支撑衬底和键合衬底硅硅键合，键合衬底位于支撑衬底之上，所述支撑衬底电阻率为0.008~0.06ohm.cm，键合衬底的电阻率15ohm.cm本申请的高压VDMOS使用不同电阻率的衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本，得到的高压VDMOS器件的过渡区明显变窄，产品参数的一致性更好
一种高压 vdmos

[发明专利]一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法-CN201210346195.6有效
发明人：何凯旋;郭群英;陈博;王鹏;汪祖民;王文婧;黄斌;陈璞;徐栋;吕东锋 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高
一种 mems 器件及其晶圆级真空封装方法

[发明专利]基于硅硅键合的高深宽比微机械加工方法-CN200810054697.5无效
发明人：吕树海;杨拥军;徐永青;齐荣巧 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅硅键合的高深宽比微机械加工方法，属于微机械传感器加工领域，用于制作微机械高深宽比结构。其基本过程为：选用符合硅硅键合要求的单晶硅片；对单晶硅片局部刻蚀，形成具有一定深度的硅腔体；将带有硅腔体单晶硅片与另一片单晶硅片进行硅硅键合，形成一个带硅腔体的材料；再进行微结构的高深宽比刻蚀。本发明在硅硅键合前增加一步在支撑层或者结构层上刻蚀硅腔体的步骤，利用硅腔体的深度控制微机械结构和衬底之间的纵向距离，以调整活动结构的阻尼。
基于硅硅键合高深微机加工方法

[发明专利]一种全硅三明治加速度计的工艺制造方法-CN202211515460.9在审
发明人：喻磊;赵井宇;刘洋;张子文 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种全硅三明治加速度计的工艺制造方法，它包括盖板晶圆制作步骤、结构晶圆制作步骤以及两块盖板晶圆与结构晶圆键合步骤，在盖板晶圆上制作氧化层防撞凸点和硅硅键合氧化层，采用金属Cr作为KOH腐蚀掩膜，可以保护硅硅键合氧化层不受损伤；在结构晶圆上制作绝缘槽和敏感质量块，盖板与结构上对通区域的制作均采用KOH湿法腐蚀工艺完成，上下盖板可通用，盖板上硅硅键合氧化层的厚度即敏感质量块与上下盖板之间的电容间隙
一种三明治加速度计工艺制造方法

[发明专利]一种MEMS器件结构及制造方法-CN201910997993.7在审
发明人：王健;闫鑫;熊恒;牛昊彬;宋运康 -专利权人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：所述MEMS器件结构由SOI盖板(18)、硅结构层(4’)和硅通孔片(6)通过硅硅键合组成。所述SOI盖板(18)包括与硅结构层(4’)硅硅键合的顶层硅(3)、中间缓冲层(2)和支撑层(1)，所述顶层硅(3)上制作有硅导线(21、24)、以及电极键合锚点(20、23、27)，所述顶层硅(3)的电极键合锚点(20、23、27)和硅结构层(4’)的电极(8、13、22)分别通过硅硅键合连通，硅结构层(4’)的电极(8、13、22)直接或者经顶层硅(3)上的硅导线和电极键合锚点，通过硅通孔片(6)上的硅通孔(
硅通孔硅结构层顶层硅电极键合硅硅键合电极盖板锚点中间缓冲层腔内电极引出电极灵活度支撑层互连排布连通密封制作制造

[发明专利]一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法-CN202310110979.7在审
发明人：王丹丹;陈迎迎;刘彤 -专利权人：苏州恒芯微电子有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅基芯片技术领域，且公开了一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，使用步进光刻机在载体硅片的单面采用光刻工艺得到对准标记浅腔，再在对准标记浅腔内进行进一步对准标记，形成对准标记深腔，在对准标记深腔表面形成氧化硅保护膜，保护对准标记，再使用光刻工艺在载体硅片的中心区域形成支撑层浅腔，采用和载体硅片长度相同的硅片，将硅片对准到载体硅片进行步进光刻的一面，进行硅硅键合，在载体硅片上形成结构层，使用光刻工艺对结构层进行二次光刻，露出表面形成氧化硅保护膜的对准标记深腔，对支撑层浅腔上方的结构层进行光刻，支撑层浅腔和结构层进行套准，得到载体硅片和硅片键合后的硅硅键合埋层结构。
一种硅硅键合埋层结构单面步进光刻对准方法

[发明专利]绝缘体上硅硅片及浮体动态随机存储器单元的制造方法-CN201110256000.4有效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种绝缘体上硅硅片的制造方法，包括如下步骤：在第一硅片中形成富含氢离子的埋层；在第二硅片表面采用热氧化方法形成二氧化硅薄膜；采用去耦等离子体氮化方法将氮原子植入二氧化硅薄膜表面；第二硅片键合在第一硅片上方，键合过程中会在二氧化硅薄膜与第一硅片键合的界面处形成更多地悬挂键；对键合后的硅片热处理，使得第一硅片从富含氢离子的埋层处剥离形成绝缘体上硅硅片。由上述技术方案的实施，提供了一种可以在绝缘体上硅硅片上制备的提高数据保持性能的浮体效应存储器单元的制造方法，以增加二氧化硅薄膜与衬底之间的界面悬挂键，从而有效的俘获电子，提高PMOS结构的浮体效应存储器单元的数据保持性能
绝缘体硅片动态随机存储器单元制造方法

[发明专利]一种基于硅硅键合的隔离封装应力的压力传感器-CN201410306360.4有效
发明人：郭述文;周铭 -专利权人：苏州大学
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅硅键合的隔离封装应力的压力传感器，包括芯片层和支撑层，所述支撑层表面刻蚀出一块用于硅硅键合的凸块，所述支撑层的其他区域与芯片层之间有间隙。
一种基于硅硅键合隔离封装应力压力传感器

[发明专利]一种压力传感器制造方法-CN201911254469.7在审
发明人：李婷;尚海平;王玮冰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种压力传感器制造方法，该方法包括：对Si衬底进行预处理；对进行预处理后的Si衬底正面进行注入掺杂；对注入掺杂后的Si衬底进行金属布线；对完成金属布线后的Si衬底进行背面光刻刻蚀，得到感压膜片；进行硅硅室温键合本发明提出的压力传感器制造方法采用表面活化键合，是一种室温下的硅硅键合方法，消除了键合过程中高温处理给器件带来的影响，提高了器件的可靠性，同时也节约了传统键合高温处理时所需的能源，同时背腔采用的干法刻蚀为各向异性刻蚀
一种压力传感器制造方法

[发明专利]一种基于硅硅键合的谐振器整板基座与盖板-CN202011576728.0在审
发明人：李冬强;姜凡;李坡;杜敏;卞玉 -专利权人：南京中电熊猫晶体科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：本发明是一种基于硅硅键合的封装工艺而设计的单层整板谐振器基座和盖板，采用硅制作整板基座与盖板，使用硅硅键合工艺将搭载晶片后的整板基座与整板盖板封装成整板谐振器，再将其分解成若干个谐振器单体；整板基座上有呈矩阵排列的基座模块用以包覆基座搭载台，同时保证一定的预留振动空间；优点：整板加工效率远高于单颗加工，促进生产效率的大幅提高；整板基座的单层硅基板相对于多层陶瓷基板和金属环的热压烧结具有更高可靠性，同时节约材料成本；在性能上，采用硅硅键合技术封装比传统的金属电流焊封装
一种基于硅硅键合谐振器基座盖板

[发明专利]一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法-CN201610730665.7有效
发明人：李颖;张治国;郑东明;梁峭;祝永峰 -专利权人：沈阳仪表科学研究院有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法，它包括敏感硅片层及衬底硅片层，其技术要点是：在敏感硅片层背面连接有衬底硅片层，所述敏感硅片层和衬底硅片层采用硅硅键合工艺形成压力密封腔。所述的衬底硅片层采用和敏感硅片层同质的单晶硅材料，中心具有导压通孔；本发明的压力传感器的敏感硅片层及衬底硅片层都采用单晶硅材料为基底制作，并通过硅硅键合工艺实现气密性连接，形成“硅‑硅”同质材料结构的压力密封腔
一种基于硅硅键合高精度压力传感器制造方法

[实用新型]一种基于硅硅键合的谐振器整板基座与盖板-CN202023211283.4有效
发明人：李冬强;姜凡;李坡;杜敏;卞玉 -专利权人：南京中电熊猫晶体科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种基于硅硅键合的封装工艺而设计的单层整板谐振器基座和盖板，采用硅制作整板基座与盖板，使用硅硅键合工艺将搭载晶片后的整板基座与整板盖板封装成整板谐振器，再将其分解成若干个谐振器单体；整板基座上有呈矩阵排列的基座模块用以包覆基座搭载台，同时保证一定的预留振动空间；优点：整板加工效率远高于单颗加工，促进生产效率的大幅提高；整板基座的单层硅基板相对于多层陶瓷基板和金属环的热压烧结具有更高可靠性，同时节约材料成本；在性能上，采用硅硅键合技术封装比传统的金属电流焊封装
一种基于硅硅键合谐振器基座盖板

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