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[发明专利]增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法-CN202110995683.9有效
发明人：马旺;陈龙;程静云;陈祖尧;王洪朝;袁理 -专利权人：聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法，该外延自下向上依次包括形成于衬底上的C掺杂c‑GaN高阻层、本征u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、阻镁扩散层及Mg掺杂p‑GaN帽层；阻镁扩散层包括Mg掺杂p‑AlGaN层，且该Mg掺杂p‑AlGaN层中的Mg以Mg‑H键的形式被充分钝化，以降低Mg的活性，同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于所述Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度。由于将阻镁扩散层结构中Mg掺杂p‑AlGaN层的Mg设置为Mg‑H键的形式使Mg被钝化，可有效降低Mg的活性同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度，两者形成一定的Mg浓度差，可以有效阻断Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg向下扩散，从而有效阻挡和降低Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg扩散至AlGaN势垒层及本征u‑GaN沟道层，提高器件的导通性能。
增强 gan hemt 器件外延及其制备方法

[发明专利]GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法-CN202110995703.2有效
发明人：马旺;陈龙;程静云;陈祖尧;王洪朝;袁理 -专利权人：聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法。外延结构自下向上依次包括形成于衬底上的：C掺杂c‑GaN高阻层、扩散阻挡层、本征u‑GaN沟道层及AlGaN势垒层；扩散阻挡层为由至少一层Si3N4层、至少一层AlN层及至少一层GaN层构成的群组中的至少两层形成的叠层结构，且该叠层结构包括至少一层Si3N4层，同时包括至少一层AlN层或GaN层；或为由叠层结构周期性交替组成的超晶格结构。Si3N4层具有极佳的遮蔽能力，能够有效地遮蔽杂质原子的扩散，因此可以有效阻挡C掺杂c‑GaN高阻层中的C原子扩散至本征u‑GaN沟道层中；再设置AlN层及GaN层，为扩散阻挡层的生长提供生长过渡的作用，从而使扩散阻挡层在起到遮蔽作用的同时，还可实现更好的晶体生长质量。
gan hemt 器件外延结构及其制备方法

[发明专利]GaN结构的制备方法-CN202211477134.3在审
发明人： 程静云;马旺;商延卫;李兵兵;张义;王建立;朱磊 -专利权人：聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN结构的制备方法，在对P‑GaN层进行刻蚀时，采用两步刻蚀法，通过对第一刻蚀及第二刻蚀的工艺控制，可实现P‑GaN层与AlGaN层的高刻蚀选择比，使得刻蚀之后的AlGaN层的表面光滑，获得低损伤的AlGaN层表面以降低刻蚀损伤；刻蚀工艺过程中，使用SiO2掩膜层，可使得刻蚀速率稳定，形成具有较大刻蚀角度的P‑GaN层；在形成源漏欧姆金属层之前使用HCl缓冲溶液对显露的AlGaN层的表面进行清洗，还可以获得优良的欧姆接触。
gan 结构制备方法

[发明专利]基于Si衬底的GaN异质外延结构及制备方法-CN202211448706.5在审
发明人：李兵兵;商延卫;马旺;张义;王建立;程静云 -专利权人：聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种基于Si衬底的GaN异质外延结构及制备方法，通过引入AlN/GaN超晶格缓冲层，以及对制备工艺的优化，可制备大尺寸、无裂纹、低位错密度、翘曲可控且高性能的GaN‑on‑Si外延结构。
基于 si 衬底 gan 外延结构制备方法

[发明专利]硅-氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法-CN202110313173.9在审
发明人：陈龙;程静云;商延卫;马旺;陈祖尧;袁理 -专利权人：聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅‑氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法，硅‑氮化镓复合衬底包括硅基底、浅沟槽隔离结构、III‑N族外延结构及第二硅层；硅基底包括第一硅层；浅沟槽隔离结构位于硅基底上且贯穿第一硅层；III‑N族外延结构位于第一硅层的表面包括GaN沟道层及AlGaN势垒层且位于浅沟槽隔离结构的外侧；第二硅层位于第一硅层的表面且位于浅沟槽隔离结构的内侧。本发明可在同一平面集成硅基及氮化镓基的复合衬底，进一步可制备共平面集成硅‑氮化镓复合器件，从而在晶圆制造阶段实现硅器件和氮化镓器件共平面、小间距片上互联，解决不同材料器件互联的寄生效应问题，且可节省占板面积，提高集成度及集成器件的性能。
氮化复合衬底器件制备方法

[发明专利]具有p-GaN盖帽层的HEMT器件及制备方法-CN202110313170.5在审
发明人：陈龙;程静云;商延卫;马旺;陈祖尧;袁理 -专利权人：聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p‑GaN盖帽层的HEMT器件及制备方法，通过在H2氛围下进行退火处理，可使得显露的p‑GaN层与H2反应形成p‑GaN钝化层，可避免对p‑GaN层的刻蚀；将p‑GaN层中的Mg钝化成Mg‑H键，可降低空穴浓度，将p‑GaN层转化成高阻的p‑GaN钝化层，以截断HEMT器件中p‑GaN层的漏电通道，提高栅控制能力；p‑GaN钝化层可释放其下方位于AlGaN/GaN异质结界面、原先被耗尽的沟道二维电子气；保留下来的较厚的高阻的p‑GaN钝化层有利于降低HEMT器件的电流崩塌。
具有 gan 盖帽 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种基于体素AIF动态增强磁共振成像分析方法-CN201810383048.3在审
发明人：吴光耀;周洁;王科;程静云 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G01R33/565 文献下载
摘要：本发明属于磁共振技术领域，公开一种基于体素提取AIF动态增强磁共振成像分析方法，磁共振扫描模块与磁共振主机模块连接；磁共振主机模块与数据转换模块连接；数据转换模块与数据校正模块连接；数据校正模块与数据标准化模块连接；数据标准化模块与数据优化模块连接；数据优化模块与体素AIF增强模块连接；基于体素AIF增强模块与匹配提取模块连接；匹配提取模块与显示模块连接。本发明提供的基于体素AIF动态增强磁共振成像分析方法运行稳定，安全可靠，可以对磁共振数据进行校正、标准化、优化等处理，数据准确性高，且通过体素AIF的动态增强功能极大的提高计算效率与准确性。
体素动态增强磁共振成像数据校正模块数据优化模块数据转换模块数据标准化模块连接提取模块主机模块磁共振匹配磁共振技术磁共振扫描磁共振数据数据准确性计算效率显示模块运行稳定分析校正标准化优化

[发明专利]非真空条件下非晶合金快速成形的方法-CN201510357004.X在审
发明人：曹国华;张宝庆;张波;程静云;鲁明杰 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： B22D18/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种非真空条件下非晶合金快速成形的方法，在非真空且无气体保护的条件下，通过电流加热非晶合金，非晶合金快速升温到过冷液相区，然后再对非晶合金施加机械力，在机械力与模具的作用下，使非晶合金成形为所需的零部件的形状。从而实现非晶合金在非真空条件下的快速成形。本发明的在非真空条件下就可以实施，也不需要特别的气体保护，大大降低了非晶合金成形所需的外在条件，操作简单方便，成本低，电流加热升温快速，所需时间短，加热效率高，并且产品不易被氧化。本发明的非晶合金的成形方法简单实用、实施方便、效率高，能够有效的提高非晶合金产品的成形效率，降低生产成本。
真空条件下合金快速成形方法

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