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[发明专利]用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途-CN201710885350.4有效
发明人： W·弗利格尔;C·克莱门特;C·维劳尔;M·舍费尔奇甘;A·克莱茵韦希特;S·艾希勒;B·韦纳特;M·梅德尔 -专利权人：弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
用于制备砷化镓衬底方法及其用途

[实用新型]一种砷化镓电池聚光罩辅助散热装置-CN202221316674.9有效
发明人：史玉成 -专利权人：史玉成
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种砷化镓电池聚光罩辅助散热装置，包括砷化镓电池、散热器和聚光镜，所述砷化镓电池设有电池基板，所述散热器设有导热板，所述导热板连接所述电池基板，所述电池基板上设有聚光罩，所述聚光罩的底面连接所述电池基板本实用新型的有益效果是：砷化镓电池与散热器制作为一体结构，聚光罩设有散热翅片，并与散热器采用导热方式连接，显著增加了砷化镓电池装置的散热面积和散热空间，可提高砷化镓电池装置的散热效果。
一种砷化镓电池聚光辅助散热装置

[发明专利]废弃物砷化镓的镓及砷纯化回收方法-CN200910130390.3无效
发明人：方鸿源 -专利权人：国立云林科技大学
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种废弃物砷化镓的镓及砷纯化回收方法，其特别是指先采用高温锻烧方式取得砷及三氧化二镓，再对砷蒸气进行冷凝结取得三氧化二砷氧化物，另外将三氧化二镓溶于适当浓度王水并进行电解，取得镓金属。
废弃物砷化镓纯化回收方法

[实用新型]有线电视网络光纤入户型光接收机-CN201420569192.3有效
发明人：张林;陈小龙 -专利权人：天津科力恒信光电子科技有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H04N7/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有线电视网络光纤入户型光接收机，包括PIN光探测器1，所述PIN光探测器1通过放大器输入端阻抗匹配电路2与砷化镓集成放大器3电气连接，所述砷化镓集成放大器3通过放大器输出端阻抗匹配电路4与电缆接头5电气连接，所述PIN光探测器1为反向端加+12V反向电压的光探测器。
有线电视网络光纤户型接收机

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010762688.2有效
发明人：王桂磊;黎奔;亨利·H·阿达姆松;杜勇;徐步青 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供锗衬底，在锗衬底上形成砷化镓层，在砷化镓层上形成铟镓磷层。这样砷化镓层能够可以作为锗衬底和铟镓磷层之间的缓冲层，改善锗衬底和铟镓磷层之间的晶格失配，减少铟镓磷层中的反向畴，减少铟镓磷层中的缺陷，提高基于铟镓磷层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[实用新型]2－3英寸砷化镓定向划线尺-CN200720140729.4无效
发明人：佟丽英;杨春明;张海林;史继祥;王聪 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种2－3英寸砷化镓定向划线尺，在透明材料平板上刻有同心的Φ2英寸圆弧线和Φ3英寸圆弧线，用于对准2英寸或3英寸砷化镓单晶锭的外圆；在两条同心圆弧线的一条直径上刻有一条槽，并在该直径两边位置两端各刻有与其平行的条形槽，这两组三条槽一起组成主参考面划线槽，用于确定砷化镓单晶锭的镓面；在与主参考面划线槽垂直的直径线上刻有另一条槽，为次参考面划线槽，用于确定砷化镓单晶锭的砷面；在次参考面划线槽分割的其中一个半圆内，划有与其平行的一组平行线，用于保证砷化镓样片上的信息移植到砷化镓单晶锭上的准确性。本实用新型能够把砷化镓微观的晶格结构反映到宏观层面上，确保了产品质量，提高了生产效率。
英寸砷化镓定向划线

[实用新型]一种石墨烯/砷化镓太阳电池-CN201420516526.0有效
发明人：林时胜;李晓强 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种石墨烯/砷化镓太阳电池，该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层、石墨烯层和正面电极，其中石墨烯层的石墨烯为1～10层。本实用新型的石墨烯/砷化镓太阳电池利用石墨烯材料的高载流子迁移率、高透光性及高导电性，结合砷化镓优异的半导体性质，有利于在低成本及简单工艺的基础上制造高转化效率的太阳电池。
一种石墨砷化镓太阳电池

[发明专利]一种键合连接的硅基与砷化镓基的太阳电池-CN201510619638.8有效
发明人：程学瑞;张焕君;冯世全;康利平;李俊玉 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种键合连接的硅基与砷化镓（GaAs）基的太阳电池。该太阳电池包括上层砷化镓基电池和下层硅基电池，上、下层电池间硅与砷化镓通过键合连接的方法形成隧穿结互联起来，形成叠层太阳电池；所述上层砷化镓基电池为AlGaAs（铝镓砷）单结电池或GaInP/AlGaAs本发明通过采用直接键合技术，较好解决了硅基太阳电池与砷化镓基太阳电池之间晶格匹配问题，解决了不同晶格常数材料直接生长的难题，使砷化镓太阳电池外延层可以有效转移到硅太阳电池上。
一种连接砷化镓基太阳电池

[发明专利]一种铟镓砷红外探测器制备方法-CN201711057712.7有效
发明人：汤乃云;仇志军;单亚兵;龚海梅;李雪;邵秀梅 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P‑I‑N结构红外探测器，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm~600nm可见光，发射1μm近红外光。利用掺杂稀土元素的氯硫玻璃完成可见光到近红外光的转换，不影响铟镓砷红外探测器对短波红外的吸收，同时吸收400nm~600nm可见光，发射1μm左右的近红外光被铟镓砷红外探测器吸收，实现铟镓砷红外探测器可见光范围的扩展当需要进行多波段探测时，扩展铟镓砷红外探测器探测范围到可见光这种方式优势非常明显、实用性很强。
一种铟镓砷红外探测器制备方法

[发明专利]一种烟雾检测报警装置-CN201710892980.4在审
发明人：周素华 -专利权人：苏州星阁星诚机电工程有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： G08B17/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种烟雾检测报警装置，包括光耦芯片、扬声器、发光二极管和蓄电池，通过光耦芯片检测烟雾的浓度，当烟雾浓度大的时候，遮挡住光耦芯片内砷化镓红外发射管与砷化镓红外发射管的线路时，通过晶体管构成的达林顿放大电路
一种烟雾检测报警装置

[实用新型]一种烟雾检测报警装置-CN201721252687.3有效
发明人：周素华 -专利权人：李梅英
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G08B17/103 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种烟雾检测报警装置，包括光耦芯片、扬声器、发光二极管和蓄电池，通过光耦芯片检测烟雾的浓度，当烟雾浓度大的时候，遮挡住光耦芯片内砷化镓红外发射管与砷化镓红外发射管的线路时，通过晶体管构成的达林顿放大电路
光耦芯片发光二极管红外发射管报警装置烟雾检测砷化镓达林顿放大电路扬声器蓄电池本实用新型驱动扬声器检测烟雾声光报警晶体管烟雾挡住电路建筑物应用

[发明专利]石英舟表面处理方法、石英舟及应用-CN201811470987.8在审
发明人：赵静敏;林泉;许兴;周晓霞;于洪国;易见伟;刘宁 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种石英舟表面处理的方法，包括以下步骤：将镓液体倒入石英管内，加热到35℃‑40℃，去除镓液体表面上的氧化膜；将若干个喷砂打毛处理后的石英舟浸没于镓液内；抽真空2‑5分钟；将保护气体充入所述石英管内，将镓液升温至1230℃‑1260℃，恒温保持2‑3小时，即得内壁形成α‑方石英球晶体的石英舟。经过表面处理后的石英舟在拉制砷化镓单晶的过程中，能有效避免砷化镓与石英舟内表面、上表面生长过程中浸润的问题，使得砷化镓单晶背面具有与正面相同的镜面光泽，有效避免石英舟与砷化镓单晶的粘结现象，避免了粘结对砷化镓单晶生长的影响
石英舟砷化镓单晶石英管镓液保护气体恒温保持镜面光泽生长过程液体表面粘结现象拉制抽真空方石英晶体的内表面上表面砷化镓氧化膜浸没打毛内壁喷砂粘结加热去除背面浸润生长应用

[发明专利]利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法-CN201510463227.4有效
发明人：吴洁君;程玉田;纪骋;韩彤;于彤军;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公布一种利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法，包括将砷化镓衬底正面沉积形成一层低温防分解籽晶层；在上述衬底的背面与侧面通过沉积用致密材料进行保护；处理得到的砷化镓衬底外延生长氮化镓材料得到氮化镓复合衬底，进一步制备得到自支撑氮化镓衬底。本发明引入低温防分解籽晶层，有效抑制了在外延过程中砷化镓的分解，同时为后续外延提供了优质的衬底，提高外延层晶体质量。砷化镓与GaN相接近的热膨胀系数有效缓解外延层中的应力，降低制备高质量GaN材料的技术难度与成本。
利用低温分解籽晶砷化镓衬底生长氮化方法

[发明专利]对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液-CN200410101890.1无效
发明人：黄应龙;杨富华;王良臣;姜磊;白云霞;王莉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液，其特征在于，包括：柠檬酸溶液和双氧水，该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为4∶1。本腐蚀液不仅具有很高的选择性腐蚀比，而且与砷化镓集成工艺兼容，溶液无毒，工艺简单等特点。
砷化铝砷化镓砷化镓高选择化学腐蚀

[发明专利]一种智能砷化镓高倍聚光热电联产模组-CN201810609766.8在审
发明人：汪霜叶;袁卫星;刘明;孔祥飞;方际宇;吴尚友;张大志 -专利权人：汪霜叶
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： F24S20/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能砷化镓高倍聚光热电联产模组，包括外箱、至少一组砷化镓聚光及接收装置，砷化镓聚光及接收装置包括设置在外箱上表面的菲涅尔透镜以及设置于菲涅尔透镜下方箱体内的接收器；接收器包括自上而下依次设置的二次光学元件、砷化镓太阳能电池芯片和集热装置，集热装置中空且腔体内装导热介质，集热装置的内部设置有集热通道；箱体背面设置有电路结构，电路结构包括盒体和设置于盒体内的电压测量电路、比对电路、定位装置，电压测量电路的信号输出端与比对电路的信号输入端相连本发明对太阳能的利用率高，方便监测和维修，适用于光伏发电技术领域。
砷化镓比对电路集热装置电压测量电路菲涅尔透镜电路结构定位装置光热电聚光联产模组砷化镓太阳能电池无线信号收发装置体内二次光学元件接收器包括信号输出端信号输入端导热介质光伏发电集热通道控制中心内部设置箱体背面依次设置接收器智能上表面中空盒体太阳能芯片维修监测