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[发明专利]一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法-CN202110970200.X在审
发明人：焦旺;郑兆祯;吴阳烽;丁新琪;艾佳瑞 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本申请提供一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法。该应力调整衬底包括至少一层调整膜，上述至少一层调整膜设置在砷化镓基板上，用于调整上述砷化镓基板的应力。
一种砷化镓基板应力调整衬底方法

[发明专利]一种砷化镓电源调制电路-CN202210207931.3在审
发明人：邹文静;潘晓枫;阮启恒;林瑞;凌显宝;刘飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓电源调制电路，采用砷化镓工艺进行设计，包括静电防护电路、电平转换电路、开关控制电路和输出缓冲电路。本发明提出的砷化镓电源调制电路便于和砷化镓芯片集成，具有降低成本和系统复杂程度，提高系统可靠性的特点。
一种砷化镓电源调制电路

[发明专利]一种应力平衡薄型砷化镓太阳电池的制备方法-CN201810386281.7在审
发明人：范襄;于振海;雷刚;陈超奇;付坤;石梦奇;杨洪东;姜德鹏;王训春 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种应力平衡薄型砷化镓太阳电池的制备方法，其特征在于，薄型砷化镓太阳电池包含应力匹配柔性支撑衬底、砷化镓太阳电池材料、金属电极、减反射膜，其制备方法包括：键合金属层制备、外延键合、临时键合、器件制作，所述应力匹配柔性支撑衬底为线膨胀系数低于11×10‑6/℃的金属薄膜或耐高温聚合物薄膜，与砷化镓太阳电池材料热力学性能匹配良好。所制备的砷化镓太阳电池翘曲小、平整度好、可焊性高、易于太阳电池组件的研制，空间应用可靠性高。
砷化镓制备薄型太阳电池材料柔性支撑应力平衡衬底匹配耐高温聚合物太阳电池组件键合金属层线膨胀系数减反射膜金属薄膜金属电极空间应用临时键合器件制作性能匹配可焊性平整度热力学键合翘曲薄膜

[发明专利]高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法-CN201310176608.5有效
发明人：周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；步骤3：在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；步骤4：将样品进行抛光，清洗；步骤5：将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；步骤6：在样品表面生长砷化镓盖层，完成材料的制备。本发明可以解决硅衬底向III-V族材料过渡问题，为硅基砷化镓光电子和微电子器件奠定衬底基础。
质量表面粗糙硅基砷化镓材料制备方法

[实用新型]一种砷化镓及温差发电装置-CN201220660591.1有效
发明人：余印强 -专利权人：福建省能宝光电集团有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能发电技术领域，特指一种砷化镓及温差发电装置，该发电装置包括砷化镓太阳能电池片、导热板、温差发电片及散热器，其中，所述砷化镓太阳能电池片设置在导热板上表面，所述温差发电片的热端设置在导热板的下表面本实用新型采用上述技术方案后，利用砷化镓太阳能发电片发电的同时，又通过温差发电片对砷化镓太阳能发电片工作时的热量加以利用并转换成电能，进一步提高太阳能的利用效率。
一种砷化镓温差发电装置

[发明专利]制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法-CN201510012713.4有效
发明人：杨涛;高凤;罗帅;季海铭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤步骤1选择一磷化铟衬底；步骤2在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4在铟镓砷磷薄层上制备多周期的砷化铟量子点有源层，所述铟镓砷磷薄层是砷化铟量子点有源层的下势垒层；步骤5在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，本层为砷化铟量子点有源层的上势垒层。
制作光谱砷化铟磷化量子激光器有源方法

[发明专利]一种LED用砷化镓衬底减薄工艺中的贴片方法-CN201610487724.2在审
发明人：胡夕伦;陈康;申加兵;闫宝华;刘琦 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED用砷化镓衬底减薄工艺中的贴片方法，包括以下步骤（1）将研磨工件擦拭干净；（2）将双面膜背面贴在研磨工件上；（3）将待减薄砷化镓衬底研磨面朝上贴在双面膜正面；（4）将贴好砷化镓衬底的研磨工件加热；（5）在研磨工件上放置无尘纸以保护衬底表面，加压；（6）停止加压后，对砷化镓衬底进行减薄作业；（7）减薄作业完毕并清洗干净后，加热研磨工件至双面膜无粘性；（8）取下砷化镓衬底，清洗去除砷化镓衬底正面的残留粘着物
一种 led 用砷化镓衬底工艺中的方法

[发明专利]解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓刷胶方法-CN201810644895.0有效
发明人：吴现伟;龙华;陈晓哲;宣凯;郭嘉帅 -专利权人：上海飞骧电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓刷胶方法。所述方法包括如下步骤：砷化镓晶圆在完成线路等级制作后，以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内，按照排程放料作业；砷化镓晶圆背面磨片减薄；中测，进行功能测试、交流参数和直流参数测试，根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆；砷化镓晶圆背面刷胶；烤箱烘烤使所刷胶质体预固化；晶圆切割划片，切割后将形成一颗颗孤立的芯片贴合在金属环内基膜表面；包装已切割晶圆，运送至封装厂；贴装芯片到框架贴片区；烤箱固化使所刷胶质体固化为玻璃态；本发明避免了砷化镓晶圆反复运输过程碎片或裂片风险；降低了运输成本，提高了作业良率及时效性。
解决封装问题无源器件砷化镓刷胶方法

[发明专利]太赫兹肖特基二极管-CN201210382875.3有效
发明人：王昊 -专利权人：王昊
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种太赫兹肖特基二极管，包括砷化镓半导体衬底、在砷化镓半导体衬底上依次形成的高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层、形成在高浓度掺杂砷化镓层上的欧姆接触阴极和欧姆接触金属、形成在低浓度掺杂砷化镓层上的肖特基接触阳极
赫兹肖特基二极管

[发明专利]背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法-CN201710024170.7有效
发明人：杨彦伟;陆一峰;刘格;刘胜宇;刘宏亮 -专利权人：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明提出了一种背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法，芯片包括：外延层，包括P型台面、N型台面、磷化铟衬底；P型台面包括铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；N型台面包括磷化铟缓冲层；其中，磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓冲层，铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；集成微透镜，设置于磷化铟衬底的一侧，且集成微透镜与磷化铟缓冲层在磷化铟衬底的不同侧。
背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法

[实用新型]功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构-CN201220739067.3有效
发明人：吕致纬 -专利权人：矽格微电子（无锡）有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种封装结构，尤其是一种功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，属于砷化镓芯片封装的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构，包括基板及位于所述基板上的砷化镓异质接面双极性晶体管；所述基板的第二支撑连接体与砷化镓异质接面双极性晶体管之间设有晶体管连接支撑体，所述晶体管连接支撑体包括位于第二支撑连接体上的导电薄膜，砷化镓异质接面双极性晶体管通过导电薄膜支撑连接在第二支撑连接体上。
功率放大器模组中砷化镓芯片封装结构

[实用新型]背照式高速光电二极管接收芯片-CN201720045224.3有效
发明人：杨彦伟;陆一峰;刘格;刘胜宇;刘宏亮 -专利权人：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种背照式高速光电二极管接收芯片，包括外延层，包括P型台面、N型台面、磷化铟衬底；P型台面包括铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；N型台面包括磷化铟缓冲层；其中，磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓冲层，铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；集成微透镜，设置于磷化铟衬底的一侧，且集成微透镜与磷化铟缓冲层在磷化铟衬底的不同侧。
背照式高速光电二极管接收芯片

[实用新型]一种砷化镓晶体加工转运放置盒-CN202022166386.7有效
发明人：卜俊鹏 -专利权人：浙江康鹏半导体有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B25H3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及砷化镓晶体加工技术领域，且公开了一种砷化镓晶体加工转运放置盒，包括转运盒和放置盒。该砷化镓晶体加工转运放置盒，通过根据砷化镓晶体的大小移动隔板，移动完成后，向下按压推杆，推杆带动推块向下移动，使得两个推板反向移动，推板带动移动板移动，移动板带动卡块移动，使得卡块进入卡槽与其卡接，推杆向下移动的同时带动限位块向下移动，推杆下移进入固定槽槽内，限位块进入第二滑槽，然后转动推杆，使限位块沿着第二滑槽进入到环形槽槽内，从而对推块进行固定，使得卡块与卡槽始终处于卡接状态，解决了现有的对砷化镓晶体的转运方法通常是将其全放在转运盒中，因此砷化镓晶体与晶体之间容易产生摩擦的问题。
一种砷化镓晶体加工转运放置

[实用新型]一种砷化镓晶片片盒清洗装置-CN202122490072.7有效
发明人：徐海洋 -专利权人：苏州芯海半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B08B9/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种砷化镓晶片片盒清洗装置，包括：移动轮、清洗机、清洗喷头、清洗槽机构、控水台以及检修门，所述移动轮分别安装在清洗机下端左侧、右侧，所述检修门铰接在清洗机前表面，所述清洗机左表面上侧设有把手，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：通过设置清洗槽机构，配合清洗喷头，便于对砷化镓晶片盒进行全面的清洗，导流孔便于将清洗后的水导流至废水收集箱内，避免废水聚集，导致砷化镓晶片盒冲洗不干净，控水台的设计，便于将冲洗后的砷化镓晶片盒进行控水，通过风机配合通孔一、通孔二，便于将砷化镓晶片盒快速风干，并通过导流槽将砷化镓晶片盒上流入梯形架内部的水导入到废水收集箱内。
一种砷化镓晶片清洗装置

[发明专利]一种在金属衬底生长砷化镓外延的方法-CN202310623957.0在审
发明人：郭哲俊;施祥蕾;周丽华;李彬;王鑫;王波;孙立杰;王训春 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在金属衬底生长砷化镓外延的方法，涉及太阳电池领域。本发明依次通过在金属箔衬底上外延生长多层过渡层材料，对顶层过渡层材料进行刻蚀形成图形化衬底，以及采用MOCVD进行砷化镓外延生长的工艺方法实现在金属衬底上制备砷化镓太阳电池的方法。采用这种工艺方法制备的金属箔衬底砷化镓太阳电池工艺简便，成本低廉，由于金属箔基底柔性的特点也可增加太阳电池的应用范围。
一种金属衬底生长砷化镓外延方法