专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种环保型晶圆硅片退镀液及其制备方法和应用-CN202310502687.8在审
  • 柏长青;张浩 - 苏州元本科技咨询有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-08-01 - C23F1/16
  • 本发明公开了一种环保型晶圆硅片退镀液,至少包括以重量份数计的以下成分:氧化剂,2‑10份;pH调节剂,5‑12份;络合剂,3‑8份;缓蚀剂,3‑8份;加速剂,0.2‑1.5份;去离子水,64‑85份;氧化剂为氟盐,缓蚀剂为硫脲,pH调节剂为环保有机酸。还公开了上述环保型退镀液的制备方法和应用。本发明的环保型退镀液中不含盐酸、硫酸、硝酸等无机强酸,无刺激性气味,对人体较为安全;使用时无酸雾污染、无磷、无重金属污染;该环保型退镀液包含有机酸、络合剂、缓蚀剂以及加速剂,对多种镀层均具有良好的腐蚀脱除效果,同时不损伤基材,便于镀层返工;使用条件为加热50‑60℃浸泡,反应条件温和安全、可反复使用且化学性质稳定。
  • 一种环保型晶圆硅片退镀液及其制备方法应用
  • [发明专利]一种酸蚀液及其应用-CN202210651260.X有效
  • 许杰;王益宝;夏礼飞 - 合肥升滕半导体技术有限公司
  • 2022-06-10 - 2023-03-24 - C23F1/16
  • 本发明属于电解法除外的化学法金属材料清洗及除油技术领域,涉及一种酸蚀液及其应用。针对现有技术中酸蚀液酸度过高,易导致气体扩散器等化学气相沉积工艺部件扩孔变大,不均匀性增加,寿命降低,而酸度过低导致聚集异物清洗不完全,影响终产品质量的技术问题,本申请提供一种酸蚀液,能清洁干净部件的同时,降低扩孔大小,减小不均匀性,提高使用寿命。本申请还提供了一种酸蚀液的应用,能有效清洗化学气相沉积工艺部件,缩短清洗时间。
  • 一种酸蚀液及其应用
  • [发明专利]一种金属蚀刻液-CN202211235091.8在审
  • 鄢艳华;郭启祯;赵大成 - 深圳新宙邦科技股份有限公司
  • 2022-10-10 - 2023-02-03 - C23F1/16
  • 为克服现有技术中蚀刻液中醇胺类化合物变性使得残留去除效果弱的问题,本申请提供一种金属蚀刻液;所述蚀刻液包括以下组分:过氧化氢、辅助氧化剂、金属螯合剂、增溶剂、残留去除剂和水,所述残留去除剂包含结构式Ⅰ所示化合物和结构式Ⅱ所示醇胺类化合物;本申请提供的蚀刻液,结构式Ⅰ所示化合物抑制结构式Ⅱ所示醇胺类化合物与过氧化氢反应分解,保证了蚀刻过程中的残留去除效果,蚀刻无残留,保证蚀刻液的信赖性和寿命。
  • 一种金属蚀刻
  • [发明专利]蚀刻液-CN202211240753.0在审
  • 吴鉴 - 苏州华星光电技术有限公司
  • 2022-10-11 - 2023-01-17 - C23F1/16
  • 本发明实施例公开了一种蚀刻液;该蚀刻液用于同时蚀刻金属层和半导体层,该蚀刻液包括过硫酸化合物、无机酸、含氟化合物、唑类化合物、有机酸、及水,以质量百分比计,蚀刻液的各组分含量如下:过硫酸化合物5wt%至15wt%,无机酸0.1wt%至5wt%,含氟化合物0.1wt%至4wt%,唑类化合物0.1wt%至6wt%,有机酸0.1wt%至6wt%;本发明通过利用过硫酸化合物中过硫酸根离子的氧化作用,加强对于半导体层的蚀刻,实现同时对于金属层和半导体层的蚀刻,一次性湿蚀刻金属线层和置于金属线下方的半导体层,将传统的两次干蚀刻和两次湿蚀刻制程缩减成一次干蚀刻和两次湿蚀刻,提高了制造的生产节拍和效率。
  • 蚀刻
  • [发明专利]区分不同规格滚动体的酸腐蚀工装-CN202211229965.9在审
  • 徐园园;赵方园;李浩;陈家琪;刘健 - 中国航发哈尔滨轴承有限公司
  • 2022-10-08 - 2022-11-29 - C23F1/16
  • 区分不同规格滚动体的酸腐蚀工装,它属于滚动体酸腐蚀检查工艺技术领域。它解决了现有酸腐蚀工装存在的问题。酸腐蚀工装:它包括托盘柜体式框架和抽屉式分格托盘;托盘柜体式框架中设有多个隔断;抽屉式分格托盘置于隔断上,内设分格板将托盘四等分;设置铁柱将抽屉式分格托盘阻挡在托盘柜体式框架中。本发明中区分不同规格滚动体的酸腐蚀工装,结构简单,易于操作,占用空间小,可以同时进行小批量多品种的滚动体酸腐蚀。本发明中区分不同规格滚动体的酸腐蚀工装,采用分隔式工装设计,能够满足不同型号/不同批次的滚动体可以同时进行酸腐蚀的要求,达到提升生产产能和提高溶液使用效率的目的。本发明工装适用于区分不同规格滚动体的酸腐蚀。
  • 区分不同规格滚动酸腐工装
  • [发明专利]基于蚀刻工艺的金属标牌制作方法-CN202210429070.3在审
  • 王凯 - 北京柏盛名匠标识制作有限公司
  • 2022-04-22 - 2022-08-02 - C23F1/16
  • 本发明涉及标牌制作技术领域,尤其涉及一种基于蚀刻工艺的金属标牌制作方法,包括以下步骤:步骤一,承印材料预备及印前外表处理;步骤二,配制印料:配制碱溶性抗蚀印料;步骤三,印刷;步骤四,蚀刻;步骤五,清洗丝印层;步骤六,烤漆填漆处理;步骤七,将烘干后的标识牌取出放凉,使用有机溶剂进行擦拭多余的部分涂料,擦至图文边缘清晰圆滑即成成品。本发明调配的蚀刻液以及蚀刻方法能有效避免碱溶性抗蚀印料脱落,保证了蚀刻深度和蚀刻效果,能降低后期填漆难度,采用烤漆后填漆处理的方式,能有效防止油漆表面起泡,且填漆擦除后图文边缘整齐、无毛刺。
  • 基于蚀刻工艺金属标牌制作方法
  • [发明专利]模具零件加工的咬花工艺-CN202010479797.3在审
  • 胡志军 - 昆山建荣模具标准件有限公司
  • 2020-05-29 - 2021-12-03 - C23F1/16
  • 本发明公开了模具零件加工的咬花工艺,包括以下步骤:准备便于暂放模具零件的化学腐蚀槽,将待加工的模具零件暂放至化学腐蚀槽后,并注入化学药剂漫过零件开始浸泡3‑5小时;通过机器人将浸泡后的模具零件放入在加工机台上,并通过定位治具对模具零件进行定位;通过可进行XY轴平移的咬花机对模具零件表面进行咬花加工;通过机器人将咬花结束后的模具零件放入至准备好的超声波清洗池内进行自动清洗0.5‑1小时;通过机器人将清洗结束后的模具零件捞出,并通过烘干设备进行处理,结束后,则进行人工打包作业;本发明能自动实现对模具零件表面进行咬花处理,避免人工接触造成手部损伤。
  • 模具零件加工工艺
  • [发明专利]一种用于TFT-array基片的蚀刻液-CN202110640813.7在审
  • 吴熙英;陈桂红;吉东均;石海燕;申忠民 - 昆山晶科微电子材料有限公司
  • 2021-06-09 - 2021-10-22 - C23F1/16
  • 本发明公开了一种用于TFT‑array基片的蚀刻液,包含酸性成分40%‑80%、DIW超纯水10%‑30%和Mo蚀刻调节剂10%‑30%;所述Mo蚀刻调节剂的成分为铵盐和碱土金属盐;本方案以酸为主要成分,通过调节比例,解决了每种金属因蚀刻速度不同而产生的问题,也能有效改善伽伐尼克现象引起的过蚀刻,确保TFT‑array基片的均匀性;另外还通过添加调节剂来控制金属间的蚀刻速度,并使金属层在湿法蚀刻中的蚀刻轮廓变得优良,无需额外进行干法蚀刻来去除残留金属,从而使工艺顺畅,提高了生产效率,降低了成本。
  • 一种用于tftarray蚀刻
  • [发明专利]一种中熵高温合金金相腐蚀剂及腐蚀方法-CN201911358041.7有效
  • 曹青;安宁 - 北京北冶功能材料有限公司
  • 2019-12-25 - 2021-10-19 - C23F1/16
  • 一种中熵高温合金金相腐蚀剂及腐蚀方法,属于金属功能材料技术领域,采用金属腐蚀剂硫酸铜、盐酸、水、氯化铁和硝酸其配比为:硫酸铜5‑10g,盐酸15ml‑30ml,水10ml‑25ml,氯化铁2‑3g,硝酸2‑4ml混合配成腐蚀剂。将试样放入腐蚀剂中电解腐蚀,不锈钢钢板为阴极,试样为阳极,电解电压为1.5V~5V,电解电流为0.1A~0.3A,电解20s‑60s。取出样品后,用酒精清洗并吹干,在显微镜下观察其显微组织。优点在于,能够较清晰地腐蚀出中熵高温合金的组织形貌,方法简单易行。适用于多种成分中熵高温合金金相组织形貌的显示。
  • 一种高温合金金相腐蚀剂腐蚀方法

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