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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于确定对存储器阵列的访问的方法、装置和系统-CN201180076441.4有效
发明人： F.朱;P.卡拉瓦德;I.朝 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定对存储器阵列的访问的序列的技术和机制。在实施例中，存储器阵列包括彼此交错的多级单元和单级单元，其中这些多级单元和单级单元的位不同地分配给不同的逻辑页。在另一个实施例中，访问存储器阵列的请求根据页轮序列排序以避免包括相邻多级单元的连续访问类型的访问事件。
用于确定存储器阵列访问方法装置系统

[发明专利]分页存储器及其智能存储器区段的交错寻址的多次缩略的方法和装置-CN200580039777.8无效
发明人： M·L·赫特森 -专利权人：高效存储技术公司
申请日： 2005-11-21 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： G06T1/60 文献下载
摘要：一种用于对多个存储器区段(12，72)寻址的交错寻址技术使用多个缩略交错(0，1，...，2^B－1)，每一交错对多于一个且少于全部的存储器区段寻址。交错与相邻的交错彼此偏移(S)，以对所有存储器区段同等地寻址。与交错存储器一起使用的储存多个向量的智能存储器区段包括设置装置(96)，它接收每一向量的初始地址(B+C+V+N_MSK)和间隔数据(D)。寻址逻辑(90)将存储器单元选择(C)与多个向量的每一个的每一初始和后续地址相关联。单元选择装置(98)使用与每一向量的初始和后续地址中相应的一个相关联的存储器单元选择(C)来访问(92中的)存储器单元。
分页存储器及其智能区段交错寻址多次缩略方法装置

[发明专利]半导体存储器-CN201711021655.7有效
发明人：山田和志 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器。提供与互补读出和使用了参照信号的读出对应并且抑制了位线间的噪声的传播的半导体存储器。第一存储器区域具有：配置成j行k列的存储器单元、上位位线、字线、连接于上位位线的每2条的读出放大器、连接于上位位线的下位位线、由与第奇数行的存储器单元连接的板线和与第偶数行的存储器单元连接的板线构成的板线对第二存储器单元具有：配置成j行m列的存储器单元、字线、下位位线、每一条与在行向上配置的存储器单元连接的板线、以及被设置为在与下位位线分离后的位置与下位位线相邻的屏蔽布线。
半导体存储器

[发明专利]半导体器件-CN201510232509.3有效
发明人：高桥弘行 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，其包括：包括以矩阵设置的多个存储器单元的存储器单元阵列；以及与所述存储器单元阵列相邻的周边电路。所述存储器单元中的每一个包括：电容元件，包括具有在与基板的主表面垂直的方向上延伸的柱面形状的下电极；以及设置在所述电容元件与位线之间的开关晶体管，所述开关晶体管的接通/关断基于字线的电势来控制。所述周边电路包括在与所述主表面平行的水平方向上与所述下电极相邻并被供给固定电势的信号线、或分别被供给互补电势的一对信号线。
半导体器件

[发明专利]非挥发性存储器-CN201710377579.7有效
发明人：李翊宏;罗明山;黄正达 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器，包括多个存储单元。各个存储单元包括基底、浮置栅极结构、选择栅极结构与第一掺杂区。浮置栅极结构设置于基底上。选择栅极结构设置于基底上，且位于浮置栅极结构的一侧。相邻两个存储单元之间的第一掺杂区相邻且彼此分离。上述非挥发性存储器可有效地防止在相邻的存储单元之间产生编程干扰。
挥发性存储器

[发明专利]OTP存储器-CN201410493373.7有效
发明人：王志刚;李弦 -专利权人：珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种OTP存储器，包括由若干个存储单元组成的存储单元阵列和外围电路结构，每个存储单元包括选择管和存储管，所述外围电路结构包括位线、字线以及用于接入编程电压的电压总线，所述选择管的栅极和所述存储管的栅极连接在字线上，所述选择管的源极或漏极连接在位线上，在所述字线上、所述位线上和/或所述用于接入编程电压的电压总线上设置有限流电阻；所述OTP存储器还包括衬底保护环，一个所述衬底保护环至少包围两个相邻的存储单元。另外，由于一个衬底保护环能够至少包围两个相邻的存储单元，所以，相较于现有的OTP存储器，该OTP存储器的面积减小。
otp 存储器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510542790.0在审
发明人：天羽生淳 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，其具有配备有经由电荷存储层为与彼此相邻的控制栅极电极和存储器栅极电极的存储器单元，并且性能得到改进。在具有包括通过所谓的后栅极工艺形成的金属栅极电极的栅极电极的MISFET的半导体器件中，通过使硅膜完全硅化来形成控制栅极电极和存储器栅极电极，该控制栅极电极和存储器栅极电极构成分离栅极型MONOS存储器的存储器单元
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法-CN202180003343.1在审
发明人：刘威;朱宏斌;华子群;江宁;华文宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。垂直晶体管中的在第二方向上的两个相邻垂直晶体管彼此镜像对称。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。
具有垂直晶体管存储器器件及其形成方法

[发明专利]存储器失效测试方法及装置、存储介质及电子设备-CN202210406608.9在审
发明人：江汉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本公开是关于一种存储器失效测试方法、存储器失效测试装置、计算机可读存储介质及电子设备，涉及集成电路技术领域。该存储器失效测试方法包括：执行存储器的数据写入动作；数据写入动作包括：在存储器的存储阵列内的存储单元中写入预设存储数据，相邻的两条字线中，在存储阵列的后一条字线所对应的存储单元中写入与前一条字线所对应的存储单元的数据相反的数据；重复数据写入动作，直到写完存储阵列的所有字线所对应的存储单元；读取存储阵列中的数据，并与写入的数据进行比较，获得比较结果；根据比较结果对存储器的失效状态进行判定。
存储器失效测试方法装置存储介质电子设备

[发明专利]半导体存储装置-CN200810131166.1无效
发明人：广濑雅庸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：一种半导体存储装置，即便在将布线间隔细小化的情况下，仍可确保读出电压，其具有：沿行方向和列方向配置有多个存储器单元的存储器阵列；以及与各列的存储器单元对应形成的多个位线，将上述多个位线分层化为主位线和副位线，上述主位线分散于多个布线层而形成，在同一布线层相邻的上述主位线彼此的间隔，比相邻的上述副位线彼此的间隔更宽。
半导体存储装置

[发明专利]一种存储器的擦除方法、存储器及存储系统-CN202210775553.9在审
发明人：崔莹;董志鹏;贾建权;宋雅丽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开一种对存储器的擦除方法、存储器及存储系统。其中，所述擦除方法包括：对所述存储器的存储单元串进行预编程操作，其中，所述预编程操作包括：对所述存储单元串的第一擦除控制管提供第一编程电压，和/或，对所述存储单元串的第二擦除控制管提供所述第一编程电压；在所述预编程操作之后，对所述存储单元串的存储单元进行擦除操作；其中，所述存储单元串包括依次串联在位线与源极线之间的上选择管、存储单元以及下选择管；所述第一擦除控制管为所述上选择管中与所述位线相邻的上选择管；所述第二擦除控制管为所述下选择管中与所述源极线相邻的下选择管。
一种存储器擦除方法存储系统

[发明专利]非易失性存储器中的经分割的软编程-CN200780038267.8有效
发明人：伊藤文利 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：执行软编程以使一组已擦除存储器单元的阈值电压分布变窄。软编程可使存储器单元的阈值电压偏移而较接近于已擦除状态的验证电平。可通过软编程一组存储器单元的部分来软编程所述组存储器单元，以提供较一致的软编程速率及阈值电压。可将第一软编程脉冲施加到所述组存储器单元中的第一群组单元同时抑制软编程第二群组单元。接着可将第二软编程脉冲施加到所述第二群组单元同时抑制软编程所述第一群组单元。可将量值低于软编程脉冲的小的正电压施加到待抑制的所述群组单元。可选择所述小的正电压的大小，使得所述组存储器单元中的每一存储器单元在经受软编程时将经历来自相邻晶体管的类似的电容耦合效应。
非易失性存储器中的分割编程

[发明专利]用于聚合处理单元和动态分配存储器的方法和电路-CN202180063143.5在审
发明人： S·C·伍;T·沃吉尔桑 -专利权人：拉姆伯斯公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种用于人工神经网络的专用集成电路与高带宽存储器集成。具有平铺的神经网络处理单元的处理管芯被接合到存储器管芯的堆叠上，存储体被布置成与覆盖的处理单元建立相对短的连接。存储体为每个覆盖的处理单元形成垂直的存储体组。处理管芯上的开关矩阵允许每个处理单元经由短的、快速的管芯间存储器通道与其垂直的存储体组通信，或者与相邻处理单元下的更远的存储体组通信。
用于聚合处理单元动态分配存储器方法电路

[发明专利]一种相变存储器热串扰测试方法-CN201410256649.X有效
发明人：李震;刘畅;赖志博;缪向水;程晓敏 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器的热串扰测试方法，该方法利用相变存储单元中的相变材料本身作为温度探测器，通过在一个相变存储单元上施加激励信号，在另一个相邻的相变存储单元上施加测试信号，采集相邻的相变存储单元上的响应信号，利用相变材料在不同温度下电学性能及性质的差异来测量相变存储单元编程过程中相邻的单元所受到的热串扰影响大小，从而对相变存储器热串扰稳定性进行评估。本发明适用于一般的相变存储单元结构，不需要集成其他部件，提高了热串扰测试的可靠性。
一种相变存储器热串扰测试方法

[发明专利]只读存储器-CN98101966.8无效
发明人：崔秉淳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-05-22 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：公开了一种只读存储器，其具有一组分别与主位线和辅位线相连的存储器块，一组用于存储信息的存储器单元，以及用于通过该主位线读取存储在存储器单元中的信息的读取放大器。该存储器还具有一个放置在这些块之间并具有一组连接主位线和辅位线的块选择晶体管的块选择部分。辅位线延伸到至少一个相邻的块并通过块选择部分另外连接到主位线。
只读存储器

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