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[发明专利]制造电子封装件的方法-CN201480025074.9有效
发明人： P·常;M·梅伯里 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：该方法包括将包括微型器件的源晶片附连至目标晶片。该方法还包括从目标晶片去除一部分源晶片以形成电子封装件。当从目标晶片去除源晶片时，微型器件保留在目标晶片上。该方法还包括在电子封装件上执行后处理，所述电子封装件是在从目标晶片去除源晶片后形成的。在方法的一些形式中，当从目标晶片去除源晶片时，一些微型器件保留在源晶片上。
制造电子封装方法

[发明专利]一种带电极的反向台面超薄晶片及其制备方法-CN201810921268.7在审
发明人：李洋洋;薛海蛟;胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种带电极的反向台面超薄晶片及其制备方法，从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片；其中目标晶片的厚度为10~80μm，目标晶片的材料为钽酸锂、铌酸锂或石英；上电极和下电极均为厚度为5nm~1μm的金属膜，支撑衬底晶片的厚度为0.2~1mm，支撑衬底晶片的材料为硅、石英或玻璃，并且目标晶片和支撑衬底晶片的材料不同；本申请的带电极的反向台面超薄晶片，从上而下包括上电极、目标晶片、下电极、隔离层和支撑衬底晶片；采用隔离层将目标晶片和支撑衬底晶片连接，其中目标晶片的表面质量好，表面平整度高，因而与目标晶片连接的上电极和下电极的有效面积大，制备的谐振器的频率稳定性高。
目标晶片支撑衬底晶片电极下电极超薄晶片带电极隔离层台面制备从上而下石英表面平整度频率稳定性有效面积金属膜谐振器钽酸锂铌酸锂玻璃申请

[发明专利]一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法-CN202010888606.9有效
发明人：卢倩文;杜晓琼;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法，其中，所述晶片的获取方法包括：在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片；采用第一去除工艺，对位于所述目标晶片第一侧的封装晶片进行去除处理，并保留与所述目标晶片第一侧相邻的封装晶片的部分结构作为牺牲层，以覆盖所述目标晶片的第一侧；采用刻蚀工艺去除所述牺牲层；采用第二去除工艺，对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，以获取到处理后的目标晶片，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述目标晶片沿堆叠方向的两侧。
一种晶片获取方法半导体器件失效分析

[发明专利]一种挑起不同尺寸晶片的顶针模组-CN201910058117.8有效
发明人：闻美玲;蔡文必;吴文彬;刘水旺 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种挑起不同尺寸晶片的顶针模组，包括：图像获取模块、晶片面积识别模块、顶针数量计算模块、与晶片形状对应布置的多个顶针以及驱动顶针沿着水平方向和竖直方向运动的第一运动模组和第二运动模组；第一运动模组推动顶针沿着水平方向移动，使其位于目标晶片的中心位置；图像获取模块用于获取目标晶片的图像，晶片面积识别模块通过对图像的边缘进行识别和计算以得到目标晶片的尺寸数据，顶针数量计算模块通过目标晶片的尺寸数据得出挑起目标晶片所需的顶针数量和顶针位置，第二运动模组推动相应数量和相应位置的顶针伸出，顶针与目标晶片顶抵将目标晶片挑起。上述顶针模组，能够兼容不同尺寸的晶片使用，无需频繁更换顶针头。
一种挑起不同尺寸晶片顶针模组

[发明专利]晶片的抛光方法及晶片-CN202310019781.8在审
发明人：梁成华 -专利权人：蓝思科技（长沙）有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶片的抛光方法及晶片，该晶片的抛光方法包括：对晶片的双面进行第一次研磨，获得一级晶片；对一级晶片进行双面抛光，获得二级晶片，二级晶片的粗糙度为第一目标粗糙度；将二级晶片的第一面覆压至底座上，以在第一面和底座之间形成光圈；对贴合在底座上的二级晶片的第二面进行第二次研磨，以得到目标晶片，目标晶片的第二面的粗糙度为第二目标粗糙度，第二目标粗糙度大于第一目标粗糙度。本公开技术方案有效解决了传统单面抛光晶片平整度低、品质差的技术问题，大幅提高了单面抛光晶片的平整度和品质；且整个工艺操作简单，提高了单面抛光晶片的生产效率。
晶片抛光方法

[实用新型]晶片转移装置-CN202122293365.6有效
发明人：郎欣林;罗会才;周诚;郭志坚 -专利权人：深圳市丰泰工业科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请属于半导体设备技术领域，涉及一种晶片转移装置，包括：机架、第一驱动机构、至少两个晶片吸附机构、至少两个晶圆盘和至少一个目标盘；第一驱动机构、晶圆盘和目标盘均安装在机架上，目标盘位于两个晶圆盘之间；机架上设置有滑动导轨，晶片吸附机构安装在滑动导轨上，第一驱动机构驱动晶片吸附机构在目标盘和晶圆盘之间沿滑动导轨做往复运动；至少两个晶片吸附机构配置为先后将晶片转移至目标盘上；晶片吸附机构包括吸嘴头，吸嘴头具有多个吸附位，吸附位以用于吸附转移晶片。通过将目标盘设置在至少两个晶圆盘之间，两个晶片吸附机构分别将晶圆盘上的晶片转移至目标盘上，从而提高晶片转移的效率。
晶片转移装置

[发明专利]处理工具以及处理晶片的方法-CN202010783248.5在审
发明人：刘丙寅;蔡嘉雄;黄信华;张宇行;林勇志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种处理工具，所述处理工具包括第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。第一晶片安装框架被配置成固持目标晶片。第二晶片安装框架被配置成固持掩蔽晶片。掩蔽晶片包括由穿过掩蔽晶片的多个开口构成的掩模图案以对应于将形成在目标晶片上的预定沉积图案。沉积室被配置成当第一晶片安装框架与第二晶片安装框架夹持在一起以固持目标晶片及掩蔽晶片时接纳第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。沉积室包括材料沉积源，所述材料沉积源被配置成通过掩模图案中的所述多个开口从材料沉积源沉积材料，以在目标晶片上以预定沉积图案形成材料。
处理工具以及晶片方法

[发明专利]晶片涂布制作工艺-CN201910831370.2在审
发明人：陈有证;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片涂布制作工艺。首先，放置一晶片于支撑柱上，且晶片与位于晶片下方的一加热盘之间具有一间距，使晶片能以一第一温度涂布。接着，判定一目标晶片制作工艺温度与第一温度的差异，以改变晶片的一涂布温度，其中当目标晶片制作工艺温度大于第一温度时，直接加热加热盘至目标晶片制作工艺温度；当目标晶片制作工艺温度小于第一温度但大于一最低涂布温度时，仅增加晶片与加热盘之间的间距，其中最低涂布温度为在没有冷却加热盘且晶片与加热盘之间具有一最大间距时的温度；当目标晶片制作工艺温度小于最低涂布温度时，增加晶片与加热盘之间的间距且冷却加热盘。
晶片制作工艺

[发明专利]用于在激光标刻系统中对准晶片加工系统的系统和方法-CN200680013683.8无效
发明人：罗伯特·帕拉迪斯;凯斯·巴兰泰尼;加里·保路希;奥利弗·斯特雷克 -专利权人：杰斯集团公司
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在晶片背面标刻系统中确定激光加工性能的系统。该系统包括用于在目标晶片(44)的背面生成图案标记的激光标刻系统(54)，以及用于透过目标晶片的正面检测图案标记的检测系统(56)。目标晶片(44)具有厚度(T)、折射率(n)和两个大致平坦的表面，以使检测系统透过目标晶片的视在聚焦区大致接近于目标晶片(44)的正面。
用于激光系统对准晶片加工方法

[发明专利]双DIE系统、双DIE系统的握手机制方法及芯片-CN202310302098.5在审
发明人：王立华;潘明方;熊海峰 -专利权人：上海泰矽微电子有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种双DIE系统、双DIE系统的握手机制方法及芯片，其中，一种双DIE系统包括第一晶片、第二晶片和中断线；第一晶片通过中断线与第二晶片电连接。第一晶片用于在采集完目标数据后，通过中断线向第二晶片发送目标数据请求信号。第二晶片用于响应于目标数据请求信号，访问第一晶片并获取目标数据。本申请提供的双DIE系统可以减少第一晶片和第二晶片之间的互连线数量，达到节约成本，以及降低芯片的封装难度的效果。
die 系统握手机制方法芯片

[发明专利]一种反向台面复合结构超薄晶片及其制备方法-CN201810921590.X有效
发明人：薛海蛟;李洋洋;胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种反向台面复合结构超薄晶片及其制备方法，其中超薄晶片包括目标晶片和位于目标晶片底部具有支撑作用的衬底晶片，其中目标晶片的厚度为2~80μm，总体厚度偏差为0.005~1μm的平板薄片，此结构不仅能有效解决超薄晶片因厚度小、力学性能较差，容易受力破碎的问题，并且衬底晶片进行选择性腐蚀，成为框架结构，不会对目标晶片产生腐蚀，从而保留了其良好的表面结构和晶体特性；本申请的制备方法，采用掩盖涂层对衬底晶片进行保护，选择合适的腐蚀液进行选择性腐蚀衬底晶片得到反向台面复合结构，本申请的制备方法对目标晶片的力学性能没有影响，表面光洁度高，厚度小，并且可以工业化批量生产，效率高，成本低。
一种反向台面复合结构超薄晶片及其制备方法

[发明专利]一种晶片调度方法和一种电子设备-CN202211318051.X有效
发明人：李杰;张璐;刘慕雅;曾为鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种晶片调度方法和一种电子设备。所述晶片调度方法包括当仿真调度序列运行至测试片调度时间点时，确定目标待加工晶片，所述仿真调度序列用于调度所述待加工晶片；将所述仿真调度序列回滚至所述目标待加工晶片对应的目标待加工晶片调度时间点；在所述目标待加工晶片调度时间点上设定测试片工艺路径本发明实施例通过在需要调度测试片时，确定此时的待加工晶片，回滚到目标待加工晶片调度时间点，在该目标待加工晶片调度时间点设定测试片工艺路径，实现在此时最先调度测试片，使得当需要测试片进入加工腔室时，工艺路径中的测试片可以快速被使用
一种晶片调度方法电子设备

[发明专利]超薄超平晶片和制备该超薄超平晶片的方法-CN201711458484.4有效
发明人：朱厚彬;张秀全;胡卉;薛海蛟;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C30B29/18 文献下载
摘要：提供了一种超薄超平晶片以及一种制备超薄超平晶片的方法，所述方法可以包括以下步骤：提供均具有抛光面的衬底基板和目标晶片基板；在衬底基板的抛光面上旋涂保护胶层，然后对衬底基板的与所述抛光面相对的背面进行研磨减薄；对目标晶片基板和研磨减薄后的衬底基板进行清洗；将目标晶片基板的抛光面与衬底基板的抛光面直接接触，以形成键合体；对键合体中的目标晶片基板进行研磨减薄，并进行抛光处理，以使目标晶片基板达到目标厚度；以及将抛光后的键合体浸入选择性腐蚀溶解溶液，以去除衬底基板，从而得到超薄超平晶片。
超薄晶片制备方法

[发明专利]缺陷检测方法及缺陷检测系统-CN201810415053.8有效
发明人：陈建辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：所述缺陷检测方法包括：对由晶片检验工具扫描的参考晶片的连续的管芯的多个扫描图像应用排序滤波器，以获得多个参考管芯图像；收集由所述晶片检验工具扫描的目标晶片的目标管芯的多个目标管芯图像；将所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像进行比较，以根据所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像中的对应像素的像素值的差异来检测多个缺陷；以及从所检测到的所述缺陷中排除多个共有缺陷，以检测印刷在所述目标晶片上的至少一个掩模缺陷，其中所述共有缺陷是通过所述晶片检验工具对所述目标晶片实行晶片检验而获得
缺陷检测方法系统

[发明专利]超声探头、控制方法及医疗设备-CN202110572668.3在审
发明人：刘锦群;苏晞;冯锦屏 -专利权人：深圳市理邦精密仪器股份有限公司;佛山市妇幼保健院
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：本发明涉及医疗设备技术领域，具体涉及超声探头、控制方法及医疗设备，所述超声探头包括晶片组件，具有多个晶片；角度调节组件，用于调整各个所述晶片与目标体之间的信号传输方向；控制器，与所述角度调节组件连接，所述控制器用于基于各个所述晶片对应的信号强度控制所述角度调节组件的动作，以实现目标跟随。通过角度调节组件调整晶片与目标体之间的信号传输方向，其中，角度调节组件的动作是基于各个晶片对应的信号强度进行控制的，即，通过目标定位的方式实现晶片组件始终能够跟随目标，以获得准确的胎心信号。
超声探头控制方法医疗设备

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