专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种新型磁控溅射设备-CN202320891865.6有效
  • 涂亮亮;王祥;牛琳 - 南昌三盛半导体有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-09-22 - C23C14/35
  • 本实用新型公开了一种新型磁控溅射设备,包括用于安装整个溅射设备的设备支架及其下方设置的方便其移动的脚轮,设备支架前方设置有反应腔,反应腔后端与涡轮分子泵接通,反应腔的右侧与真空缓冲室接通,可以实现在真空条件下,不进行靶材更换就完成不同材料的多层镀膜,反应腔内设置有涡轮分子泵方向开口的U型环状的丝材,可以充分利用溅射材料对周围的丝材进行镀膜,提高靶材的利用率,反应腔配有真空缓冲室,反应腔可以始终保持高真空状态,通过机械手进行基片的传递,缩短工艺等待时间的同时减少腔室污染提高成膜质量。
  • 一种新型磁控溅射设备
  • [发明专利]一种铂电阻温度传感器芯片的生产工艺-CN202310166879.6在审
  • 涂亮亮;王祥;牛琳 - 南昌三盛半导体有限公司
  • 2023-02-27 - 2023-06-27 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种铂薄膜电阻温度传感器芯片的生产工艺,通过金属剥离和磁控溅射相结合可以大规模生产该芯片,步骤一:在氧化铝陶瓷衬底上旋涂光刻胶,然后通过光刻将设计的图案转移到衬底上面;步骤二:使用磁控溅射设备在氧气气氛下轰击Pt靶材,可以在具有图案化的衬底上沉积PtO薄膜;步骤三:磁控溅射结束后在700℃‑800℃进行退火,可以将图案化的PtO薄膜转化成图案化的Pt薄膜,本发明中的光刻胶在衬底预留出设计的电阻图案,再通过磁控溅射沉积PtO薄膜在衬底表面,最后通过退火得到图案化的Pt薄膜,该工艺路线通过金属剥离、磁控溅射和后期退火较容易得到所设计的Pt薄膜图案,大大提高芯片生产效率,可以装配成高效率、低能耗的芯片生产线。
  • 一种铂电阻温度传感器芯片生产工艺
  • [发明专利]一种薄膜电阻芯片镍铂丝焊线的方法-CN202310409621.4在审
  • 涂亮亮;王祥;牛琳 - 南昌三盛半导体有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-05-23 - B23P15/00
  • 本发明提出一种薄膜电阻芯片镍铂丝焊线的方法,包括:将镍铂丝裁切成固定长度;对固定长度的镍铂丝和薄膜电阻芯片上的焊盘进行表面活化处理;将表面活化处理后的镍铂丝放置在电阻芯片的焊接处,并将铂浆点在镍铂丝与电阻芯片的接触端;采用紫外光对铂浆进行固化;转移至烧结炉中进行烧结;点浆焊接可以完全避免电路击穿,提高了产品良率,也避免因为焊点垫高造成的成本损失,使用等离子体发生器进行表面活化处理,清除表面杂质使得铂浆在焊盘和镍铂丝表面有更好的流动性,可以得到更薄的铂浆使得最终可以获得300μm高度的焊点;同时也提高焊盘‑镍铂丝‑铂浆之间的粘合度,有效提高焊接的紧固程度和导电性能。
  • 一种薄膜电阻芯片镍铂丝焊线方法

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