[发明专利]阻变存储器的制造方法在审
| 申请号： | 202211267778.X | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115498105A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋兴宇;沈涛;蒋中伟;董云鹤 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变存储器的制造方法，包括：形成叠层结构；在该叠层结构上形成具有预定图案的掩膜层；采用第一等离子体刻蚀方法对上电极层进行刻蚀；第一等离子体刻蚀方法采用的第一工艺气体包括主刻蚀气体和能够在刻蚀形成的上电极侧壁上形成副产物的保护气体；采用第二等离子体刻蚀方法对阻变层进行刻蚀；采用第三等离子体刻蚀方法对下电极层进行刻蚀；第三等离子体刻蚀方法采用的第三工艺气体包括主刻蚀气体和保护气体。本发明提供的阻变存储器的制造方法，可以解决现有技术中存在的侧壁凹陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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