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[发明专利]集成电路结构及其制造方法-CN202110557051.4在审
发明人：熊德智;吴俊德;王鵬;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法包括在栅极结构之上沉积电介质帽盖。在形成电介质帽盖之后，在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件。掺杂电介质帽盖的顶部以在电介质帽盖中形成掺杂区域。在掺杂电介质帽盖的顶部之后，在电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层和层间电介质(ILD)层。形成过孔开口以延伸穿过ILD层和蚀刻停止层以暴露源极/漏极接触件。在过孔开口中填充源极/漏极过孔。
集成电路结构及其制造方法

[发明专利]用于在金属栅极上选择性地形成氮化物帽体的方法和设备-CN201680029265.1在审
发明人：鲍军静;杨海宁;刘延祥;J·J·徐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在导体的上表面上生长牺牲帽体。电介质间隔件抵接导体的一侧。上层电介质间隔件形成在牺牲帽体的侧壁上。选择性地蚀刻牺牲帽体，留下帽体凹陷，以及面对所述帽体凹陷的上层电介质层间隔件。在帽体凹陷中填充氮化硅，以形成中心帽体，以及具有中心帽体和上层电介质间隔件的保护性帽体。
用于金属栅极选择性形成氮化物方法设备

[发明专利]使用STI帽盖层进行应力调制以减少鳍弯曲-CN202210538768.9在审
发明人：高琬贻;王俊尧;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开总体涉及使用STI帽盖层进行应力调制以减少鳍弯曲。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成半导体条带和凹部，其中半导体条带的侧壁暴露于凹部；将电介质层沉积到凹部中；以及在电介质层之上沉积帽盖层。帽盖层延伸到凹部中，并且包括氮氧化硅。该方法还包括：用电介质材料来填充凹部的剩余部分；执行退火工艺以从帽盖层去除氮；以及使电介质材料、帽盖层和电介质层凹陷。电介质材料、帽盖层和电介质层的剩余部分形成隔离区域。半导体条带的一部分突出得高于隔离区域的顶表面以形成半导体鳍。
使用 sti 盖层进行应力调制减少弯曲

[发明专利]半导体互连结构及其制作方法-CN201310047322.7有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体互连结构及其制作方法，所述半导体互连结构至少包括衬底、位于衬底上的电介质膜、位于所述电介质膜上的第一层间介质、嵌入所述电介质膜和第一层间介质中的至少一个导电层、环绕所述导电层四周及底部的扩散阻挡层、覆盖所述导电层和扩散阻挡层的金属帽层及覆盖所述金属帽层和第一层间介质的电介质帽层；所述电介质帽层部分嵌入所述第一层间介质并包围所述金属帽层侧面。本发明的半导体互连结构及其制作方法将电介质帽层部分嵌入第一层间介质并包围所述金属帽层侧面，提高了导电层与电介质帽层之间的粘附性能，改善了互连结构中的抗电迁移特性，有效提高了器件可靠性。
半导体互连结构及其制作方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110478868.2在审
发明人：周沛瑜;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法，包括：在半导体鳍上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔件，形成第一层间电介质，其中，栅极间隔件和虚设栅极堆叠位于第一层间电介质中，去除虚设栅极堆叠以在栅极间隔件之间形成沟槽，在沟槽中形成替换栅极堆叠，以及沉积电介质帽盖层。电介质帽盖层的底表面接触替换栅极堆叠的第一顶表面和第一层间电介质的第二顶表面。在电介质帽盖层之上沉积第二层间电介质。形成延伸到第二层间电介质、电介质帽盖层和第一层间电介质中的源极/漏极接触插塞。
制造半导体器件方法

[发明专利]集成电路结构及其制造方法-CN202110581823.8在审
发明人：熊德智;王鹏;吴俊德;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法包括在栅极结构之上沉积电介质帽盖。在源极/漏极区域之上与栅极结构相邻地形成源极/漏极接触件。氧化电介质帽盖的顶部。在氧化电介质帽盖的顶部之后，在电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层，并在蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层。蚀刻ILD层和蚀刻停止层以形成过孔开口，该过孔开口延伸穿过ILD层和蚀刻停止层。
集成电路结构及其制造方法

[发明专利]具有全包覆线的互连体-CN201810250435.X有效
发明人： M·昌德霍克;俞辉在;C·杰泽斯基;R·V·谢比亚姆;C·T·卡弗 -专利权人：太浩研究有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。
具有全包覆线互连

[发明专利]具有全包覆线的互连体-CN201480046634.9有效
发明人： M·昌德霍克;俞辉在;C·杰泽斯基;R·V·谢比亚姆;C·T·卡弗 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： B32B3/30 文献下载
摘要：开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。
具有全包覆线互连

[实用新型]改善的帽盖针形电绝缘体以及绝缘悬式或耐张式串-CN201120437744.1有效
发明人： J-M·乔治;S·塔蒂尔;M·谢尼耶;项良 -专利权人：塞迪维尔玻璃绝缘子(上海)有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01B17/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于高压输电线路的改善的帽盖针形电绝缘体以及绝缘悬式或耐张式串。改善的帽盖针形电绝缘体(1)至少包括电介质壳(2)，轴向插入到电介质壳(2)上的金属帽盖(3)，和在电介质壳(2)和金属帽盖(3)之间的用于保护金属帽盖(3)免于腐蚀的保护装置(5)。金属帽盖(3)具有包括外围肩状部的外部的锥形表面(32)，肩状部径向向外地突出于锥形表面(32)并确定金属帽盖(3)的最大直径。保护装置(5)位于金属帽盖(3)的肩状部和电介质壳(2)之间，并在径向上在肩状部之后。
改善帽盖针形电绝缘体以及绝缘耐张式串

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202110492249.9在审
发明人：熊德智;吴俊德;王鹏;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法，包括：在栅极间隔件之间形成栅极结构；回蚀栅极结构以使其低于栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过ILD层并在到达栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触件开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻栅极电介质帽盖的掺杂区域
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]包括用于栅极电极的低K电介质帽层的半导体器件及相关方法-CN201310468384.5有效
发明人： J·H·张 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括衬底、在衬底中的源极区域和漏极区域、在衬底中在源极区域和漏极区域之间的凹陷外延沟道层以及覆在凹陷外延沟道层上面的高K栅极电介质层。半导体器件还可以包括覆在高K栅极电介质层上面的栅极电极、与栅极电极的顶部部分和侧壁部分接触的电介质帽层以及耦合到源极区域和漏极区域的源极接触和漏极接触，电介质帽层具有比高K栅极电介质层更低的介电常数。
包括用于栅极电极电介质半导体器件相关方法

[实用新型]半导体器件-CN201320616813.4有效
发明人： J·H·张 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供一种半导体器件，可以包括衬底、在衬底中的源极区域和漏极区域、在衬底中在源极区域和漏极区域之间的凹陷外延沟道层以及覆在凹陷外延沟道层上面的高K栅极电介质层。半导体器件还可以包括覆在高K栅极电介质层上面的栅极电极、与栅极电极的顶部部分和侧壁部分接触的电介质帽层以及耦合到源极区域和漏极区域的源极接触和漏极接触，电介质帽层具有比高K栅极电介质层更低的介电常数。
半导体器件

[发明专利]具电介质帽盖于接触件上的半导体设备及相关的制造方法-CN201310003751.4有效
发明人： L·袁;J·赵;J·桂 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明揭露一种具电介质帽盖于接触件上的半导体设备及相关的制造方法，其中提供数种半导体设备结构的制造方法。用于制造半导体设备结构的方法之一包括下列步骤：形成覆于形成于半导体衬底中的掺杂区上的第一层第一电介质材料，在该第一层内形成电气连接至该掺杂区的第一导电接触件，在该第一导电接触件上形成电介质帽盖，形成覆于该电介质帽盖上的第二层第二电介质材料以及覆于该半导体衬底上的栅极结构
电介质接触半导体设备相关制造方法

[发明专利]用于具有掺杂浓度水平梯度的互连结构的铜种子层-CN201310482454.2在审
发明人：牛成玉;A·H·西蒙;黄洸汉;Y-Y·王 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：在电介质层中开出沟槽。然后使用阻挡层和金属种子层对所述沟槽加衬。所述金属种子层被非均匀掺杂且呈现出根据沟槽深度而变化的垂直掺杂梯度。然后利用金属填料来填充所述沟槽。然后在金属填充的沟槽之上沉积电介质帽层。然后，来自非均匀掺杂的金属种子层的掺杂剂迁移到所述金属填充的沟槽和所述电介质帽层之间的界面处，以形成自对准金属帽。
用于具有掺杂浓度水平梯度互连结构种子

[发明专利]具有再生长触点的半导体装置和制作方法-CN201811619600.0在审
发明人：黄振华;岳远征 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置的实施例包含：半导体衬底，包含沟道；第一电介质层，安置在半导体衬底上方；以及再生长触点，被形成为穿过第一电介质层中的第一开口。再生长触点包含：再生长区，形成于半导体衬底上方；悬突区，联接到再生长区并且形成于第一电介质层上方、在第一开口附近；以及导电帽盖，形成于再生长区和悬突区上方。一种用于制作半导体装置的方法包含：在半导体衬底上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成第一开口；在第一开口内且在第一电介质层上方形成再生长半导体层；在再生长半导体层上方形成导电帽盖；以及对导电帽盖外部的再生长半导体层进行蚀刻
再生长电介质层半导体装置衬底触点再生长半导体层半导体导电帽盖开口制作蚀刻沟道穿过安置外部

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