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- [发明专利]掩模坯件的制造方法-CN200580032601.X有效
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大久保靖
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HOYA株式会社
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2005-11-04
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2007-08-29
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G03F1/14
- 于掩模坯件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法包括：保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀剂膜形成信息的工序；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息，确定形成于上述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序；将上述确定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
- 掩模坯件制造方法
- [发明专利]用于电子束曝光的掩模及制造方法和半导体器件制造方法-CN00106190.9无效
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山下浩
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日本电气株式会社
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2000-04-28
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2000-11-01
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G03F1/16
- 一种制造掩模的方法,其步骤为制造与被曝光的晶片材料相同的掩模材料,计算用于掩模写入的邻近效应校正剂量。然后,按具有掩模写入时邻近效应校正剂量两倍的校正剂量的图形,用与晶片写入时的加速电压相同的加速电压,对掩模材料的抗蚀剂膜曝光。接着,显影抗蚀剂膜,形成抗蚀剂膜图形,利用该抗蚀剂膜图形作为掩模腐蚀掩模材料,制备掩模。此后,利用该掩模,对晶片上的抗蚀剂膜进行EB曝光而不进行邻近效应校正。
- 用于电子束曝光制造方法半导体器件
- [发明专利]图形形成法-CN96108243.7无效
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李相均
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三星航空产业株式会社
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1996-07-18
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2004-04-28
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C23F1/02
- 一种图形形成法包括下列工序：在基板上形成不溶于刻蚀溶液的金属电镀薄膜；在电镀薄膜上形成光致抗蚀薄膜；用预定的光掩模图形将光致抗蚀薄膜曝光然后显影，由此制取光致抗蚀图形；用光致抗蚀图形作为掩模制取电镀薄膜图形；完全清除光致抗蚀图形；用电镀薄膜图形作为刻蚀掩模刻蚀基片，然后完全清除电镀薄膜图形。本发明由于用电镀薄膜图形代替了光致抗蚀图形作为基片刻蚀工序中的刻蚀掩模，故可准确精密加工引线框架。
- 图形形成
- [发明专利]电流控制用TFT基板的制造方法-CN201010237355.4有效
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井上一吉;矢野公规;田中信夫
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出光兴产株式会社
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2007-04-10
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2010-12-15
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H01L21/77
- 电流控制用TFT基板制造方法，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，用第1掩模形成扫描线、开关管栅极及栅极线；层叠开关管栅极绝缘膜；层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，用第2半色调掩模形成数据线、开关管源极线、源极、沟道部、漏极、漏极线、驱动管栅极线及栅电极；层叠驱动管栅极绝缘膜；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，用第3掩模形成驱动管活性层；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，用第4掩模或第4半色调掩模形成EL驱动线、驱动管源极线、源极、沟道部、漏极、漏极线及像素电极；和层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，用第5掩模使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台及像素电极露出。
- 电流控制tft制造方法
- [发明专利]半导体元件搭载用基板的制造方法-CN201480013843.3有效
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细樅茂
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友立材料株式会社
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2014-03-11
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2018-02-27
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H01L23/12
- 为了提高电极层与树脂之间密合性强度，提供一种增加电极层的厚度并且为了咬入树脂而使电极层的截面形状形成为具有凹凸的形状的半导体元件搭载用基板。该半导体元件搭载用基板的制造方法依次经过以下工序使用主感光波长不同的两种干膜抗蚀剂在基板(1)表面形成多个抗蚀层(10、11)的工序；第1曝光工序，自多个抗蚀层的上方使用第1曝光用掩模(20)从多个抗蚀层中选择性地使特定的抗蚀层(10)以第1图案感光；第2曝光工序，自多个抗蚀层的上方使用第2曝光用掩模(21)从多个抗蚀层中选择性地使特定的抗蚀层(11)以第2图案感光；显影工序，去除多个抗蚀层的未曝光部分(30、31)而使基板的表面局部露，出从而形成具有开口部(40、41)的抗蚀剂掩模(10、11)；对基板的表面的暴露的部分实施镀敷从而形成镀层(2)的工序；以及去除抗蚀剂掩模的工序。
- 半导体元件搭载用基板制造方法
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