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[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板及EUV光刻用反射型掩模-CN200980114736.9无效
发明人：木下健 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明提供掩模图案边界部的反射光的对比度的下降得到抑制、特别是掩模图案外缘的边界部的反射光的对比度的下降得到抑制的EUV掩模及该EUV掩模的制造中使用的EUV掩模基板。本发明是一种EUV光刻用反射型掩模基板，其衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，在所述衬底上的至少一部分，在图案形成时除去所述吸收体层的部位和与除去所述吸收体层的部位邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。
euv 光刻反射型掩模基板型掩模

[发明专利]反射型光掩模基板及其制造方法、反射型光掩模、半导体器件的制造方法-CN200680052132.2无效
发明人：松尾正;金山浩一郎;田村信平 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：反射型光掩模基板(10)包括：衬底(1)、在衬底(1)上形成并反射曝光用光的多层反射膜(2)、在多层反射膜(2)上形成并保护多层反射膜(2)的保护膜(3)、在保护膜(3)上并吸收曝光用光的吸收体层(5)、在吸收体层(5)和保护膜(3)之间形成并对吸收体层(5)的曝光转印图案形成时进行的蚀刻有抗腐蚀性的缓冲膜(4)，保护膜(3)是含Zr和Si的化合物、或是含Zr和Si以及O或N中的至少任意一种的化合物、或是含Ru、C、或Y中的至少任意一种的单质或化合物。
反射型光掩模基板及其制造方法型光掩模半导体器件

[发明专利]设计掩模的方法-CN200510089328.6有效
发明人：谢铭峰;林思闽;尤春祺;刘建新 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一设计掩模(mask)的方法。首先，包括至少一个条状图案的主要图形在掩模衬底上形成，而转移机构(shift feature)附加在条状图案的一端。在主要图形的线端与线端之间的最后临界尺寸(critical dimension)可借由调整转移机构的相移量(phase shift)或透光率(optical transmission)，或两者同时调整以最佳化。因此可改善主要图形中条状图案尾端的回拉现象(pullback)。
设计方法

[发明专利]用于曝出微小通孔图案的相位移掩模设计-CN200510087990.8无效
发明人：林金隆 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：一种用于曝出微小通孔图案的相位移掩模，包括有一透光基板，具有一上表面；一不透光材料层，镀于该透光基板的上表面，其中该不透光材料层具有一开口，暴露出下方该透光基板的预定透光区域。其中该预定透光区域包括有：十字形第一相位移区域；以及除了该十字形第一相位移区域以外的第二相位移区域，其中通过该十字形第一相位移区域的光线与通过该第二相位移区域的光线的相位差为180度。
用于微小图案相位移掩模设计

[发明专利]改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法-CN200510114700.4有效
发明人：陈政谷;季明华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法，具体为一种改善双镶嵌结构中蚀刻轮廓的方法，包括：提供一半导体基底，其中包括一介电绝缘层以及一覆盖其上的硬掩膜层；在硬掩膜层上形成一顺应性的非晶态碳层；形成一沟槽开口，至少延伸穿过非晶态碳层的厚度；形成一双镶嵌结构，其中包括一介层窗，延伸穿过硬掩膜层及穿过部分介电绝缘层，以及一沟槽形成在介层窗之上的，最后将双镶嵌开口以金属材料填满。本发明所述改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法，能有效预防介层窗侧壁上的损害、避免光致抗蚀剂及介层窗污染的问题，以及简化制程步骤以改善制造流程。
改善镶嵌蚀刻轮廓方法

[发明专利]掩模组件以及使用该掩模组件的掩模框组件-CN200510123318.X无效
发明人：金义圭;金泰亨 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模组件，其被构造成防止掩模热变形并保持多个分开的图案掩模之间的间隙。根据一个实施例，该掩模组件包括：开口掩模，其具有在行或列上排列的多个第一开口；图案掩模，其包括多个单位图案掩模。在一些实施例中，可相对于开口掩模固定单位图案掩模的端部，该单位图案掩模包括被构造成与开口掩模的多个第一开口对齐的多个掩模图案单元。在一些实施例中，拉力被施加到单位图案掩模。
模组以及使用掩模框组件

[发明专利]用于制版掩膜的喷墨记录用片材及制造苯胺印刷版的方法-CN200510108494.6有效
发明人：中尾卓也;山田泰男 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：提供用于制版掩膜的喷墨记录用片材，它具有良好的曝光性质，并在减压下与光敏树脂版接触时显示出良好的透气性。一种用于制版掩膜的喷墨记录用片材，它包括基片和形成在其上的多孔层，它具有JIS－K7361－1所规定的至少70％的总光透射比，其中，所述多孔层含有100质量份的无机颗粒，1－30质量份的粘合剂，以及0.1－3质量份的平均粒度为4－15μm的多孔颗粒，所述无机颗粒选自于氧化铝、水合氧化铝、二氧化硅和二氧化硅－氧化铝复合物，其平均粒度为最大为250nm，并且所述多孔层的厚度为5－50μm，J.TAPPI No.5－2所规定的奥肯型平滑度为200－10000秒。
用于制版喷墨记录用片材制造苯胺印刷方法

[发明专利]在交替相移掩模中着色局部着色的设计的系统-CN200510071825.3有效
发明人： I·格罗尔;Y·O·金;M·A·拉文;L·W·利布曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：一种设计用于投影集成电路设计的图像的交替相移掩模的方法。第一和第二单元各包括第一相位的至少一个相移形式，以及第二相反相位的至少一个相移形式，第一和第二单元被并置以使相邻于各自的第一单元和第二单元的边缘的相移形式彼此相邻。如果第一和第二单元中的相邻相移形式之间的距离小于预定最小间隔，并且如果所述相邻相移形式相位相反，则反转第一和第二单元之一中的相移形式的相位，以使所述相邻相移形式的相位相同。如果第一和第二单元中的相邻相移形式彼此不接触，并且其距离大于预定最小间隔，则保持相移形式的相位。
交替相移掩模中着色局部设计系统

[发明专利]中间掩模版保持器和中间掩模版的组件-CN200410087986.7有效
发明人： G·－J·希伦斯;B·L·W·M·范德文 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2004-10-26 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：中间掩模版和中间掩模版保持器的组件，其中中间掩模版保持器(1)的状态在形状锁合的中间掩模版阻止状态和中间掩模版释放状态之间是可调整的，其中当中间掩模版保持器(1)处于阻止状态中时，中间掩模版保持器(1)用于至少以形状锁合方式沿至少一个方向(X，Y，Z)保持中间掩模版(MA)，当中间掩模版保持器(1)处于释放状态时，该中间掩模版保持器(1)用于释放中间掩模版(MA)。本发明还涉及一种系统，包括中间掩模版(MA)和中间掩模版保持器(201)的组件，以及至少一个检测器(250)，其中中间掩模版(MA)包括一个或多个标记(MRK)，其中中间掩模版保持器(201)和检测器(250)用于相对于彼此在运动学上对准，其中检测器(250)用于检测所述中间掩模版标记(MRK)，用以使中间掩模版(MA)相对于中间掩模版保持器(201)定位。
中间模版保持组件

[发明专利]测试掩模结构-CN200310114868.6有效
发明人：吴文彬 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2003-11-07 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试掩模结构。本发明的测试掩模结构包含有至少一个与最终产品成固定比例的阵列图样区域，该阵列图样区域依据所述固定比例具有第一图样密度；以及至少一个具有第二图样密度的测试掩模区域。本发明之测试掩模结构系根据该第一图样密度以及该第二图样密度来调整阵列图样区域之面积与测试掩模区域之面积，以获得所需之图样密度。
测试结构

[发明专利]光学光刻方法-CN03155531.4有效
发明人：赖俊丞 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2003-08-28 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种光学光刻方法，更具体地，提供一种在光致抗蚀剂层中形成多个呈阵列排列的分离的封闭图案的方法。提供一相位移掩模，其包括多个第一、二相位移透光区域和一非相位移区域。第一、二相位移透光区域呈有规律性的交错阵列排列。并且第一、二相位移透光区域被非相位移区域分隔。进行一曝光工艺以在光致抗蚀剂层内形成分别对应于第一、二相位移透光区域的封闭图案。
光学光刻方法

[发明专利]接触孔洞光学邻近效应修正和掩模及半导体装置制造方法-CN03146456.4有效
发明人：吕灿;吴文彬;洪永隆;吕承恭 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明提出一种接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，首先固定在制程中预定的光阻和光源等因素下，建立光掩模关键尺寸(mCD)与光阻关键尺寸(pCD)在各间距(d)下的对应关系。并根据此对应关系，在光阻关键尺寸和间距的每一组合条件下，决定每一光掩模关键尺寸对应的修正量。并依此进行制程光掩模图案上的接触孔洞的第一次修正，再对修正后的接触孔洞进行第二次修正，以修正成面积接近第一次修正后的接触孔洞，且中心点维持与未修正前的接触孔洞相同的方形。
接触孔洞光学邻近效应修正半导体装置制造方法

[发明专利]金属掩模板-CN03123573.5无效
发明人：陈旭南;罗先刚;秦涛;陈元培;杜春雷 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明是金属掩模板，它由基板加上表面或下表面或上下表面图形相同的铬和金或铜或银或铝金属薄层图形构成，借助光照射具有微细图形结构金属掩模板产生波长很短的等离子波，穿过纳米图形孔和缝传播性质，使一般波长或长波长光穿过纳米金属掩模进行光刻。克服了现有铬掩模版的纳米图形制作技术复杂，同时又由于受衍射极限的限制，不能被一般波长或长波长光穿过，无法进行光刻的缺点。用193－1000nm波长激光照明，也可光刻制作出纳米量级的图形。
金属模板

[发明专利]光掩模、电子器件的制造方法及光掩模的制造方法-CN03159698.3无效
发明人：前岛洁志 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明的光掩模设有透过区(R1)、半色调区(R2)及遮光区(R3)，采用一次描画方法形成。多个透过区(R1)的各外周为半色调区(R2)包围。在设有0.32μm以下的间隔布置的多个透过区(R1)的、且透过区的间隔为光掩模(10)内最小的最密集图案区中，形成包围相邻的一对透过区(R1)的各外周的半色调区(R2)，使遮光膜(3)位于相邻的一对透过区(R1)之间。由此，通过这种三色调掩模，提供所有间距无禁止区域的光掩模、电子器件的制造方法及光掩模的制造方法。
光掩模电子器件制造方法

[发明专利]光罩保护膜的卸除装置-CN03137004.7有效
发明人：李光洋;张启俊;何铭涛;邱铭乾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-05-28 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光罩保护膜的卸除装置，用以快速卸除光罩的保护膜。本发明的光罩保护膜的卸除装置是以把手固定元件作为支点，扳动ㄇ字型把手时借助连动轴将ㄇ字型把手末端的插入元件插进光罩保护膜的孔洞，并藉杠杆原理将光罩保护膜卸离光罩，如此可避免工作人员运用公知卸除器具时不小心刮伤光罩的危险，同时节省卸除光罩保护膜所花的时间。
保护膜卸除装置

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