专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种胶体半导体片状纳米晶体的合成方法-CN202111097489.5有效
  • 胡岸;高宇南 - 北京大学
  • 2021-09-18 - 2023-03-28 - C09K11/02
  • 本发明公开了一种胶体半导体片状纳米晶体的合成方法。本发明在胶体半导体片状纳米晶体的晶种横向生长过程中,第一次快速注入硫前驱体,通过控制注入硫前驱体的速度和注入量,调控荧光峰,随着在前期硫前驱体的注入量的增加,荧光峰会向更短的波长移动;第二次缓慢注入硫前驱体,从而在胶体半导体片状纳米晶体的侧边生长硫化物保护冠,硫化物保护冠相比与能够发光的胶体半导体片状纳米晶体具有更高的能隙,从而隔绝表面缺陷;并且,胶体半导体片状纳米晶体作为发光核,硫前驱体注入缓慢,使得发光核心与硫化物保护冠间的晶格差异变得平滑
  • 一种胶体半导体片状纳米晶体合成方法
  • [发明专利]一种三维层状TATB介晶及其制备方法-CN202310242415.9在审
  • 周小清;李洪珍;张祺;周鑫;徐容;郝世龙 - 中国工程物理研究院化工材料研究所
  • 2023-03-14 - 2023-06-30 - C30B29/54
  • 介晶是由多个片状晶体层状堆积而成,介晶的粒度范围为50μm~90μm。三维层状TATB介晶制备方法包括以下步骤:(1)初级片状纳米TATB颗粒的制备,将TATB加入到含添加剂的良溶剂中,60℃~130℃完全溶解,得到TATB饱和溶液,然后将所述饱和溶液在快速搅拌下降至室温,得到含初级片状纳米TATB颗粒的悬浮液。(2)初级片状纳米TATB颗粒的定向附着(Oriented Attachment),将所述含初级片状纳米TATB颗粒的悬浮液在室温下慢速搅拌一定时间,使初级片状纳米TATB颗粒按层‑层堆积方式发生定向附着本发明工艺流程简单,制备得到的三维层状TATB介晶具有明显的微纳多级结构,流散性好,介晶的堆密度远高于片状晶体,可用于浇注装药并显著提高装药固含量。
  • 一种三维层状tatb及其制备方法

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