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[发明专利]片状氧化镥激光晶体研磨方法-CN202011494092.5在审
发明人：董志刚 -专利权人：江苏集萃精凯高端装备技术有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种片状氧化镥激光晶体研磨方法，包括如下步骤：S1提供片状氧化镥激光晶体，对片状氧化镥激光晶体进行双面粗抛，抛光时滴加一号研磨液；S2:将片状氧化镥激光晶体一面粘贴在载物盘上；S3:对片状氧化镥激光晶体的一面进行粗抛，抛光时滴加二号研磨液；S4:对片状氧化镥激光晶体的一面进行精抛，抛光时滴加三号研磨液；S5:利用超声设备对片状氧化镥激光晶体进行清洗；S6:利用保温箱对片状氧化镥激光晶体进行保温处理，完成单面抛光；S7:对片状氧化镥激光晶体翻面，重复步骤S3、S4、S5、S6，完成另一面的抛光。本发明的片状氧化镥激光晶体研磨方法，研磨后片状氧化镥激光晶体表面残余应力低、损伤小、粗糙度小，同时获得高面型精度。
片状氧化激光晶体研磨方法

[其他]片状氧化锆型细粒晶体及其生产方法-CN86104600无效
发明人：津藤悦朗 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 1986-07-02 - 公布日： 1987-02-18 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：具有层状结构、厚度小于500以及沿层面平行方向的尺寸大于其厚度5倍的片状氧化锆型细粒晶体，这种晶体包括含有SO4离子的片氧化锆细粒晶体、含结晶水片状氧化锆细粒晶体、单斜片状氧化锆细粒晶体和四方或立方片状氧化锆细粒晶体
片状氧化锆细粒晶体及其生产方法

[发明专利]片状氧化锆型细粒晶体的生产方法-CN86104600.5无效
发明人：津藤悦朗 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 1986-07-02 - 公布日： 1990-08-01 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：具有层状结构、厚度小于500■以及沿层面平行方向的尺寸大于其厚度5倍的片状氧化锆型细粒晶体的生产方法，该晶体包括含有SO4离子的片氧化锆细粒晶体，含结晶水片状氧化锆细粒晶体，单斜片状氧化锆细粒晶体和四方或立方片状氧化锆细粒晶体
片状氧化锆细粒晶体生产方法

[发明专利]利用片状氧化铝晶种制备大粒径片状氧化铝的方法-CN202210282639.8在审
发明人：孙国新;赵奕铭;苏建辉;徐成金;李玲;乔丹 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及利用片状氧化铝晶种制备大粒径片状氧化铝的方法。提供了一种制备大粒径，高径厚比片状α型氧化铝的方法，包括：将片状氧化铝晶种与前驱体混合；将添加晶种的前驱体在特定条件下煅烧，得到片状氧化铝晶体。本发明所述的一种片状氧化铝晶体的制备方法得到的片状氧化铝晶体具有径向尺寸大，径厚比高的特点。所述的片状氧化铝晶体的平均粒径在38 um左右，厚度约为0.5 um。
利用片状氧化铝制备粒径方法

[发明专利]片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法-CN202011494151.9在审
发明人：董志刚 -专利权人：江苏集萃精凯高端装备技术有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，包括如下步骤：S1：提供片状氧化镥激光晶体，提供平面研抛机；S2：在抛光盘上粘贴好聚氨酯抛光垫，将片状氧化镥激光晶体抛光，抛光时滴加一号抛光液；S3：将抛光盘上的聚氨酯抛光垫换成复合抛光垫，将片状氧化镥激光晶体抛光，抛光时滴加二号抛光液；S4：将片状氧化镥激光晶体下盘后翻转，重复步骤S2和S3；S5：利用乙二醇溶液清洗，并静止干燥；S6：置于恒温退火设备中进行退火，除去片状氧化镥激光晶体内部的残余应力。本发明采用化学机械抛光方法加工片状氧化镥激光晶体，抛光以后的片状氧化镥激光晶体表面具有粗糙度小、损伤低、残余应力低以及面型精度高等优异特性。
片状氧化激光晶体化学机械抛光方法

[发明专利]一种片状光子晶体颜料及其制备方法和应用-CN201510696732.3有效
发明人：叶常青;窦仁美;宋延林 -专利权人：苏州中科纳福材料科技有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C09C1/24 文献下载
摘要：本发明属于颜料的制备技术领域，具体公开了一种片状光子晶体颜料的制备方法，包括以下步骤：(1) 将单分散纳米微球乳液、无机纳米颗粒混合并搅拌均匀得到混合物；然后将前述混合物涂覆在基材表面，并干燥形成龟裂的光子晶体膜；(2) 在步骤(1)制得的龟裂的光子晶体膜表面涂覆水性乳液，并加热固化，形成片状光子晶体，然后将片状光子晶体从基材上剥离即得片状光子晶体颜料。本发明所得一种片状光子晶体颜料，还能在避免添加高污染的效果颜料下赋予油墨制品更加丰富的色泽。同时，该片状光子晶体颜料相较于球形光子晶体能更好地实现结构色的闪虹彩色效果，并由于表面保护层的存在使其能直接添加到油墨中使用。
光子晶体颜料光子晶体膜龟裂制备方法和应用无机纳米颗粒制备技术领域表面保护层得到混合物表面涂覆基材表面加热固化纳米微球水性乳液效果颜料油墨制品直接添加混合物单分散高污染虹彩色结构色基材乳液涂覆油墨制备剥离赋予

[发明专利]一种晶种法制备片状氧化铝晶体的方法-CN201910782082.2在审
发明人：崔玉;袁光政;梁帅 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种片状氧化铝晶体的制备方法，属于粉末粒径和形貌控制技术领域。所述片状氧化铝晶体是以水解含有水溶性熔剂的铝前体溶液与锌、锡、磷前体溶液以获得凝胶混合物为原料，片状勃姆石为晶种，然后在特定条件下煅烧，得到片状氧化铝晶体。所述的片状氧化铝晶体的平均粒径大于20 um，厚度小于0.5 um，径厚比大于50。本发明所述的的一种片状氧化铝晶体的制备方法具有煅烧温度低，时间短，成本低，可操作性强的优点。
片状氧化铝晶体制备煅烧凝胶混合物水溶性熔剂粉末粒径平均粒径形貌控制勃姆石径厚比磷前体铝前体晶种水解种晶

[发明专利]一种光子晶体材料及其设计方法-CN201110116482.3有效
发明人：刘若鹏;王今金;季春霖 -专利权人：深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
申请日： 2011-05-06 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光子晶体材料及其设计方法，该光子晶体材料包括周期性排列的片状介电材料A及片状人工合成材料B，其中，所述片状介电材料A的折射率nA及所述片状人工合成材料B的折射率nB均大于零，而所述光子晶体材料的折射率片状人工合成材料B包括附着基材以及附着于附着基材上的人造微结构，通过调节所述人造微结构的形状来调节所述片状人工合成材料B的介电常数εB以及磁导率μB。片状介电材料A与所述片状人工合成材料B交替排列形成的光子晶体中，介电常数ε的大小呈周期性交替变化为εA-εBs，从而使得所述光子晶体材料对于特定频率的电磁波呈负折射率。
一种光子晶体材料及其设计方法

[发明专利]三维颗粒晶体和二维片状晶体组成的银粉及其制备方法-CN202210399670.X在审
发明人：潘锋;李永晟;刘建 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维颗粒晶体和二维片状晶体组成的银粉及其制备方法。本申请的三维颗粒晶体和二维片状晶体组成的银粉，其三维颗粒晶体和二维片状晶体为同一反应体系中一次反应生成。本申请的银粉，由于三维颗粒晶体和二维片状晶体是一次反应生成，表面状态接近，避免了不同形态银粉在制备过程中引入杂质而导致的混合银粉纯度不足。
三维颗粒晶体二维片状组成银粉及其制备方法

[发明专利]硅酸镓镧晶体元件的生产方法-CN201010147972.5有效
发明人：朱木典;郑燕青;朱柳典;张茁 -专利权人：东海县海峰电子有限公司
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法，其特征在于，取原料硅酸镓镧晶体割成条状晶体材料；然后进行晶体定向测角；按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片，再经改圆处理后，得圆片状晶体材料；再依次对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨处理，以达到各自的研磨厚度要求；研磨后对圆片状晶体材料进行双面被银处理，被银后用真空微调机对圆片状晶体材料进行频率调整，得到制造晶体元件所需的频率片；将频率片置于晶体元件基座上，点胶固定，封装，即得硅酸镓镧晶体元件。本发明工艺步骤设计合理、工艺可操作性强；制备的硅酸镓镧晶体元件的低电耦合系数大，温度稳定性好，带边比较陡峭，可以应用于滤波器、高温传感器等方面。
硅酸晶体元件生产方法

[实用新型]一种石英晶体剪脚治具-CN201822004716.5有效
发明人：侯丽 -专利权人：南京中电熊猫晶体科技有限公司
申请日： 2018-12-02 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： B28D1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种石英晶体剪脚治具，其为片状结构，表面设有圆孔，其中，晶体的晶体引脚从片状结构的圆孔中穿过，剪掉裸露在外部的晶体引脚。所述圆孔形状尺寸与待剪石英晶体引脚形状尺寸一致。所述片状结构的厚度与需保留的晶体引脚的长度一致。本实用新型的有益效果：1）石英晶体引脚穿过圆孔后和治具表面完全贴合，保证剪完后的晶体引脚尺寸一致。2）操作方便，显著提高作业效率和准确率。
晶体引脚圆孔片状结构石英晶体本实用新型尺寸一致穿过长度一致引脚形状治具表面作业效率晶体的准确率贴合引脚治具裸露外部保留保证

[发明专利]六方氮化硼的制备方法及其制得的六方氮化硼多晶体粉末-CN200610037578.X无效
发明人：谷云乐;刘应亮;郑明涛 -专利权人：暨南大学
申请日： 2006-09-07 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了片状六方氮化硼多晶体粉末的制备方法及制得的氮化硼多晶体粉末。>等碱金属氟硼酸盐、CaB₆等金属硼化物为硼源，以NaNH₂等为氮源，控制反应物配比，在500－600℃下反应，产物通过洗涤、过滤和干燥，即得到纳米及亚微米片状六方氮化硼多晶体粉末可制备六方氮化硼多晶体为三角形片状、六边形片状、椭圆形片状、不规则片状等不同形貌。片状氮化硼的尺寸和形貌均匀，80wt.％以上的颗粒包含在平均粒径±20％范围内。
氮化制备方法及其多晶体粉末

[发明专利]用于正电子发射成像设备的检测器及正电子发射成像设备-CN201711361844.9有效
发明人：张熙;谢思维;杨静梧;赵指向;黄秋;彭旗宇 -专利权人：中派科技（深圳）有限责任公司;广东影诺数字医学科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：检测器包括闪烁晶体阵列和光电传感器阵列。闪烁晶体阵列包括第一晶体模块和第二晶体模块，第一晶体模块由多个片状晶体沿对应片状晶体的厚度方向的第一排列方向排列而成，第二晶体模块由多个片状晶体沿对应片状晶体的厚度方向的第二排列方向排列而成，第一排列方向对应立体空间上的x向，第二排列方向对应立体空间上的y向，第一晶体模块与第二晶体模块呈上下正交布置，闪烁晶体阵列的光读出面对应第一晶体模块的上表面或/和第二晶体模块的下表面。光电传感器阵列耦合至闪烁晶体阵列的光读出面。本发明加工难度降低，系统成本下降，能很好地减少边缘效应带来的解码误差。
用于正电子发射成像设备检测器

[发明专利]一种铁离子诱导的氯化亚铜片状纳米晶体材料的界面快速可控制备方法-CN201710933901.X有效
发明人：苗中正 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2017-09-24 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C01G3/05 文献下载
摘要：本发明提供一种铁离子诱导的氯化亚铜片状纳米晶体材料的快速可控制备方法。氯化铜溶液均匀涂覆于铜箔上发生归中反应，严格控制溶液的种类与氯化铜溶液的滴加量以保证反应过程能在短时间内完成，同时精确调节铁离子的添加量对氯化亚铜片状纳米晶体厚度进行调节。反应结束后，清洗掉未反应的产品，烘干后即可制得生长在铜箔表面的氯化亚铜片状纳米晶体材料。本发明所公开的方法，在铜箔基底上直接制备氯化亚铜片状纳米晶体材料，所用时间短，无需额外的反应添加剂，片状晶体厚度可控，成本低廉，工艺简单，用途广泛。
片状纳米晶体氯化亚铜铁离子氯化铜溶液可控制铜箔诱导反应添加剂厚度可控均匀涂覆片状晶体铜箔表面直接制备添加量烘干滴加基底清洗生长保证

[发明专利]片状硫酸钙晶体及其制备方法-CN202011191613.X有效
发明人：张建;于兵;张晖;孔庆水;李春晓;毕会超;张明明 -专利权人：山东聚鑫新材料有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C01F11/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种片状硫酸钙晶体及其制备方法，属于重整催化剂技术领域。本发明所述的片状硫酸钙晶体，包括以下质量份数的原料：氯化钙30～75份、硫酸盐30～70份、晶体稳定剂5～50份、反应介质800～1500份。本发明所述的片状硫酸钙晶体及其制备方法，原料易得，工艺简单，成本低，具有广阔的应用市场。
片状硫酸钙晶体及其制备方法

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