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[发明专利]一种半导体装置及其制造方法-CN202210123457.6有效
发明人：石田浩 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，其至少包括：第一场效应晶体管；以及第二场效应晶体管；设第一场效应晶体管的源极侧的轻掺杂漏极为源极侧轻掺杂漏极部，设第一场效应晶体管的漏极侧的轻掺杂漏极为漏极侧轻掺杂漏极部，则漏极侧轻掺杂漏极部的轻掺杂漏极长度，大于源极侧轻掺杂漏极部的轻掺杂漏极长度；源极侧轻掺杂漏极部的轻掺杂漏极长度，小于设置于第二场效应晶体管的轻掺杂漏极的轻掺杂漏极长度，漏极侧轻掺杂漏极部的轻掺杂漏极长度，大于设置于第二场效应晶体管的轻掺杂漏极的轻掺杂漏极长度
一种半导体装置及其制造方法

[发明专利]双侧接触开关中的电容平衡-CN201980083891.2在审
发明人：梁晴晴;R·P·K·维杜拉;G·P·埃姆图尔恩;C·N·布里恩德勒;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种双侧接触开关具有多栅极有源器件的第一独立漏极/源极区域(372)。该双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第一共享漏极/源极区域(374)。双侧接触开关具有多栅极有源器件的第二独立漏极/源极区域(376)，该第二独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域相邻。双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第二共享漏极/源极区域，该第二共享漏极/源极区域与第一独立漏极/源极区域相邻。双侧接触开关在第一独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域之间以及在第二独立漏极/源极区域与第二共享漏极/源极区域之间具有栅极区域(356)。
接触开关中的电容平衡

[发明专利]晶体管及制作方法-CN202010393413.6有效
发明人：许海涛;高宁飞;杜晓东 -专利权人：北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：晶体管包括：基底和设置在基底上的窄带隙材料层，窄带隙材料层具有沟道区；源极和漏极，源极和漏极位于窄带隙材料层远离基底的一侧，源极和漏极均与窄带隙材料层相接触；侧墙，侧墙覆盖漏极的侧壁和源极的侧壁，并向沟道区中延伸形成台阶，侧墙至少在靠近漏极的一侧具有台阶；栅介质层，栅介质层覆盖台阶和位于源极和漏极之间的窄带隙材料层；栅极，栅极覆盖栅介质层。晶体管在关断状态时漏极侧的能带变化平缓，缓解了漏极侧能带过度弯曲导致的势垒减薄，抑制了漏极载流子的反向隧穿，减小了关态漏电流；在导通状态时漏极侧能带的平缓变化，减少了载流子对漏极的冲击，使晶体管的结构更加可靠
晶体管制作方法

[发明专利]半导体晶体管器件及其形成方法-CN202110185545.4在审
发明人：朱熙甯;王志豪;江国诚;程冠伦;蓝文廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体晶体管器件包括沟道结构、栅极结构、第一源极/漏极外延结构、第二源极/漏极外延结构、栅极接触件和背侧源极/漏极接触件。该栅极结构包裹沟道结构。该第一源极/漏极外延结构和该第二源极/漏极外延结构布置在沟道结构的相对端部上。该栅极接触件布置在栅极结构上。该背侧源极/漏极接触件布置在第一源极/漏极外延结构下方。该第一源极/漏极外延结构具有与背侧源极/漏极接触件接触的凹底面。本申请的实施例还涉及形成半导体晶体管器件的方法。
半导体晶体管器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的图像传感器-CN202211407805.9在审
发明人：陈暎究;安正言卓;李元奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件和一种图像传感器，该半导体器件包括：衬底；衬底上的栅极结构，其包括平行于第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第一侧和第二侧以及平行于第二方向延伸的第三侧；以及多个源极/漏极区，其包括在第二方向上彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，以及在第一方向上与第一源极/漏极区和第二源极/漏极区中的至少一个间隔开的第三源极/漏极区，第一源极/漏极区和第二源极/漏极区分别与第一侧和第二侧重叠，第三源极/漏极区与第一侧和第三侧之一重叠，并且施加至第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的电压和施加至第三源极/漏极区的电压基于它们各自彼此不同的值进行操作。
半导体器件包括图像传感器

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110782913.3在审
发明人：游力蓁;苏焕杰;黄麟淯;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括形成鳍状结构于基板的第一侧上，形成源极/漏极区以与鳍状结构相邻，形成第一源极/漏极接点结构于基板的第一侧上以接触源极/漏极区，并形成盖结构于第一源极/漏极接点结构上。方法还包括经由盖结构移除第一源极/漏极接点结构的一部分以形成气隙，并形成第二源极/漏极接点结构于基板的第二侧上以接触源极/漏极区。第二侧与第一侧相对。
半导体装置形成方法

[发明专利]运行期间在半桥中的功率开关的漏极到源极监控-CN202211136104.6在审
发明人： M·扎诺斯;C·穆尔塔扎;P·斯坦普林格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及运行期间在半桥中的功率开关的漏极到源极监控。驱动电路控制半桥，该半桥包括高侧功率开关和低侧功率开关。驱动器电路可以包括：高侧比较单元，被配置为确定第一漏极到源极电压，其中当高侧功率开关导通时，第一漏极到源极电压与高侧功率开关相关联；以及低侧比较单元，被配置为确定第二漏极到源极电压，其中当低侧功率开关导通时，第二漏极到源极电压与低侧功率开关相关联。高侧比较单元还可以被配置为确定第三漏极到源极电压，其中当高侧功率开关关断时，第三漏极到源极电压与高侧功率开关相关联，低侧比较单元还可以被配置为确定第四漏极到源极电压，其中当低侧功率开关关断时，第四漏极到源极电压与低侧功率开关相关联
运行期间中的功率开关漏极到源极监控

[发明专利]半导体结构、半导体器件及其制造方法-CN201910768199.5有效
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：读取器件包括耦合到第一字线的第一栅极、耦合到位线的第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区位于第一栅极的相对侧上。编程器件包括第二栅极、耦合到第二源极/漏极区的第三源极/漏极区以及第四源极/漏极区。第三源极/漏极区和第四源极/漏极区位于第二栅极的相对侧上。伪器件包括第三栅极、耦合到第四源极/漏极区的第五源极/漏极区以及第六源极/漏极区。第五源极/漏极区和第六源极/漏极区位于第三栅极的相对侧上。本发明的实施例还涉及半导体结构、半导体器件及其制造方法。
半导体结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于堆叠晶体管的环绕式接触部-CN202211440450.3在审
发明人： C-Y·黄;P·莫罗;G·杜威;W·拉赫马迪;N·K·托马斯;M·拉多萨夫列维奇;J·T·卡瓦列罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：示例包括第一源极或漏极区域以及与第一源极或漏极区域隔开并在第一源极或漏极区域之上的第二源极或漏极区域。导电接触部在第二源极或漏极区域的顶部表面上并且向下延伸到第二源极或漏极区域的一个或多个侧表面，使得导电接触部与第二源极或漏极区域的底部表面横向相邻。在一些情况下，导电接触部还在第一源极或漏极区域的顶部表面上，和/或向下延伸到第一源极或漏极区域的侧表面。在一些情况下，第二导电接触部在第一源极或漏极区域的底部表面上，并且可以向上延伸到第一源极或漏极区域的侧表面。
用于堆叠晶体管环绕接触

[发明专利]晶体管及制作方法-CN202010393423.X有效
发明人：许海涛;高宁飞;杜晓东 -专利权人：北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：晶体管包括：依次层叠设置在基底上的窄带隙材料层、栅介质层和栅极，窄带隙材料层具有沟道区，位于窄带隙材料层远离基底一侧的膜层在沟道区具有台阶；源极和漏极，源极和漏极位于窄带隙材料层远离基底的一侧，且均与窄带隙材料层相接触，在源极和漏极中，至少漏极覆盖台阶，源极和漏极由金属材料形成。晶体管在关断状态时，漏极侧的能带变化平缓，缓解了漏极侧能带过度弯曲导致的势垒减薄，抑制了漏极载流子的反向隧穿，减小了关态漏电流，降低了晶体管的功耗，提高了晶体管的开关比；在导通状态时漏极侧能带的平缓变化，减少了载流子对漏极的冲击，减少了漏极的热迁移，使晶体管的结构更加可靠、使用寿命增长。
晶体管制作方法

[发明专利]具有漏极通孔布置的晶体管管芯以及其制造方法-CN201811143631.3有效
发明人： I·克哈莉;D·C·伯德奥克斯;D·G·霍尔梅斯;H·鲁达;P·S·查卡拉博迪 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有漏极通孔布置的晶体管管芯以及其制造方法。一种晶体管管芯的一实施例包括半导体衬底、漏极区、沟道区、漏极端以及导电栅极抽头。所述导电栅极抽头包括耦接到所述沟道区之上的栅极结构的远侧末端。所述漏极区的第一区段邻近于所述栅极抽头的所述远侧末端。所述漏极端包括由图案化导电层的一个或多个部分形成的漏极流道。多个漏极柱将所述漏极流道电连接到所述漏极区的第二区段和第三区段，且多个第二漏极柱电连接所述漏极流道与第三漏极区区段。第一漏极柱与所述第二漏极柱之间的第二漏极区区段之上的堆积结构没有所述漏极流道与所述漏极区之间的电连接。
具有漏极通孔布置晶体管管芯及其制造方法

[发明专利]CMOS晶体管及其制作方法-CN200910045974.0有效
发明人：肖德元;季明华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS晶体管及其制作方法，其中CMOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括n型硅、与n型硅相邻的p型硅；刻蚀半导体衬底，在n型硅中定义出p型源/漏极区域，在p型硅中定义出n型源/漏极区域；在半导体衬底上依次形成栅介质层和栅极，所述栅极和栅介质层横跨p型源/漏极区域和n型源/漏极区域；在栅极两侧的p型源/漏极区域内形成p型轻掺杂漏极，在n型源/漏极区域内形成n型轻掺杂漏极；在栅极两侧形成侧墙；在栅极及侧墙两侧的p型源/漏极区域内形成p型源/漏极，在n型源/漏极区域内形成n型源/漏极。
cmos 晶体管及其制作方法

[发明专利]阵列基板和阵列基板的制备方法-CN202210272069.4在审
发明人：房健威 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板中第一源漏极层形成在衬底一侧，包括相互独立的第一源极和第一漏极，金属氧化物半导体层形成在衬底一侧，包括有源层，有源层形成在第一源极和第一漏极之间，且分别与第一源极和第一漏极连接，有源层覆盖第一源极和/或第一漏极的部分顶面，第一绝缘层形成在金属氧化物半导体层和第一源漏极层远离衬底的一侧，包括第一过孔和第二过孔，第二源漏极层形成在第一绝缘层远离金属氧化物半导体层的一侧，第二源漏极层包括第二源极和第二漏极，第二源极通过第一过孔与第一源极连接，第二漏极通过第二过孔与第一漏极连接。本申请刻蚀第一源极和第一漏极时不会损伤有源层沟道区，因此提升了器件稳定性。
阵列制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210657728.6在审
发明人：林诗雅;杜建德;蔡仲恩;刘致为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体器件包括栅极结构、n型源极/漏极部件、p型源极/漏极部件、NFET沟道和PFET沟道。栅极结构在衬底上方。n型源极/漏极部件分别位于栅极结构的相对的第一侧和第二侧处。p型源极/漏极部件分别位于栅极结构的相对的第三侧和第四侧处。NFET沟道在栅极结构内延伸并且连接n型源极/漏极部件。PFET沟道在栅极结构内延伸并且连接p型源极/漏极部件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]沟道蚀刻薄膜晶体管-CN03103798.4有效
发明人：奥村展 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-02-24 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟道蚀刻薄膜晶体管，沟道蚀刻薄膜晶体管具有：源极，其包括源极主部和源极引线部；以及漏极，其包括漏极主部和漏极引线部。源极引线部和漏极引线部中的至少一个具有侧接触部，该侧接触部直接与有源层的侧壁接触。侧接触部的平均宽度比源极主部和漏极主部中的对应一方的平均宽度窄。
沟道蚀刻薄膜晶体管

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