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[发明专利]半导体装置-CN201710246566.6在审
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2017-04-15 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，不同导电类型半导体材料设置位于沟槽之间，在沟槽内上部设置导电材料金属或多晶硅，在沟槽内下部设置导电材料金属或多晶硅，沟槽侧壁设置绝缘层，上下导电材料之间设置绝缘材料；本发明半导体装置降低漂移层顶点和底点峰值电场，在漂移层中设置多个峰值电场，实现降低导通电阻和简化制造方法。
半导体装置导电材料峰值电场多晶硅漂移层绝缘层导电类型半导体金属导通电阻沟槽侧壁绝缘材料底点制造

[发明专利]离子迁移谱议装置和方法-CN200780005506.X有效
发明人：吴青 -专利权人：卓漂仪谱公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： B01D59/44 文献下载
摘要：漂移管包括一个能够限制漂移气体中的离子的螺旋阻性导线线圈。该漂移管还包括至少一个入口和至少一个出口以通过漂移气体。位于漂移管中的一个离子门在漂移管中限定出一个反应区和漂移区。离子检测器在漂移管中布置在位于漂移区一端的离子门的下游。一个螺旋阻性导线线圈环绕于该漂移管。电源在螺旋阻性导线线圈中产生一个电场以控制漂移气体中离子的温度。
离子迁移装置方法

[发明专利]一种SOI横向绝缘栅双极晶体管-CN201710110260.8在审
发明人：乔明;詹珍雅;章文通;肖倩倩;何逸涛;王正康;余洋;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，其元胞结构包括：衬底、埋氧层、厚介质层、厚硅层N型漂移区、P阱区、P型重掺杂发射极区和N型重掺杂区、超薄顶层硅N型漂移区、N型buffer区、P型重掺杂集电极区、发射极接触电极、集电极接触电极、栅氧化层、多晶硅栅、P条、N条；本发明利用介质场增强理论增强埋层电场，从而提高SOI器件的纵向击穿电压；在靠近源端发射极区域采用厚硅层N型漂移区来降低器件比导通电阻，对于超薄顶层硅N型漂移区和厚硅层N型漂移区分别采用横向线性变掺杂，调整表面电场分布，使其在保持器件高的击穿电压的同时，极大地降低了比导通电阻。
一种 soi 横向绝缘双极晶体管

[发明专利]一种SOI‑LIGBT器件-CN201710108573.X在审
发明人：乔明;詹珍雅;章文通;何逸涛;肖倩倩;王正康;余洋;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI‑LIGBT器件，其元胞结构包括衬底、埋氧层、厚介质层、厚硅层N型漂移区、P阱区、P型重掺杂发射极区和N型重掺杂区、超薄顶层硅N型漂移区、N型buffer区、P型重掺杂集电极区、发射极接触电极、集电极接触电极、栅氧化层、多晶硅栅；本发明利用介质场增强理论增强埋层电场，从而提高SOI器件的纵向击穿电压；在靠近源端发射极区域采用厚硅层N型漂移区来降低器件比导通电阻，对于超薄顶层硅N型漂移区和厚硅层N型漂移区分别采用横向线性变掺杂，调整表面电场分布，使其在保持器件高的击穿电压的同时，极大地降低了比导通电阻。
一种 soi ligbt 器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010406717.1在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底内形成有相邻接的阱区和漂移区，漂移区中具有漏区；在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构；在栅极结构以及栅极结构露出基底上形成硅化物阻挡材料层；在硅化物阻挡材料层中掺杂离子，且掺杂离子掺杂在硅化物阻挡材料层的底部；图形化硅化物阻挡材料层，在漏区和栅极结构之间的漂移区上形成硅化物阻挡层。掺杂离子与硅化物阻挡材料层底部的悬挂键结合形成饱和键，能够减少硅化物阻挡材料层底部界面的电荷，且掺杂在硅化物阻挡材料层底部的离子具有自身的电场，能够干扰硅化物阻挡层中原有的电场线分布，从而硅化物阻挡层中的电荷不易进入漂移区中
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种硅漂移探测器-CN202210626157.X在审
发明人：翟琼华;罗宏德 -专利权人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明提供一种硅漂移探测器，X射线自硅漂移探测器的入射端面入射，入射端面的两侧具有相对设置的第一表面和第二表面，对设置于第一表面的阳极施加高电位，对设置于第二表面的阴极施加均匀变化的负偏压，使硅漂移探测器内形成漂移电场，探测器的衬底内形成电子空穴对，在电场的作用下成电脉冲，实现入射射线的探测。本发明提供的硅漂移探测器增加了X射线的吸收深度，以获得更佳清晰的探测图像；另外，探测器的输出电容不依赖于探测器的灵敏区的面积，有助于减小探测器的噪声，提高能量分辨率，同时也有助于提高探测器的空间分辨率，
一种漂移探测器

[发明专利]超级结LDMOS器件-CN202210781102.6在审
发明人：祁金伟;莫海峰;岳丹诚;张耀辉 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：上述超级结LDMOS器件设置在半导体衬底上，该超级结LDMOS器件包括：外延层，外延层设置在半导体衬底上，外延层中具有间隔设置的源区和漏区，外延层具有远离半导体衬底的第一侧；漂移区，漂移区位于第一侧，漂移区具有远离外延层的第一表面上述器件的导通电阻以及输出电容被进一步降低，且多个掺杂区交错设置还能够使得掺杂区更加均匀的分布于漂移区中，以达到更加平坦化的电场调制，能够有效平衡漂移区的电场。
超级 ldmos 器件

[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202310565977.7在审
发明人：邱艳丽;孙博韬;徐妙玲;林信南;张晨;修德琦;韩丽楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种SiC MOSFET器件及其制备方法，该SiC MOSFET器件通过在漂移区形成多个间隔排布的反型注入区，使任相邻两个反型注入区和介于该相邻两个反型注入区之间的漂移区构成JFET区，即JFET区向衬底方向延伸，从而使最大电场位置远离器件表面而向漂移区内部转移，还使得最大电场位置和最大电流密度集中的沟道区域相分离，且漂移区电流密度分布更加均匀，因此，器件在短路后的热点不再集中于沟道附近的器件表面，而是更靠近衬底，且更均匀地分布在漂移区，以减少栅氧化层和栅极金属熔化的失效概率，延迟热逃逸发生时间，降低热点温度，提高器件抗短路耐受能力，增大器件短路耐受时间。
一种 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]射频LDMOS器件-CN201510579882.6有效
发明人：邓小川;梁坤元;甘志;刘冬冬;张波 -专利权人：电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种射频LDMOS器件，包含P+衬底、P型外延层，衬底金属，P型外延层内部的P+sinker区、P阱、N‑漂移区、N+区、多晶硅，N‑漂移区的上方以及多晶硅的右侧上方设有法拉第罩，法拉第罩和漂移区之间有一层low k介质，low k介质材料的介电常数小于SiO2的介电常数；本发明在漂移区上方和法拉第罩下方的绝缘介质层使用low k材料，该结构可以有效降低法拉第罩靠近漏端边缘的高电场，与传统结构相比，本器件可以有效优化漂移区表面电场分布
射频 ldmos 器件

[发明专利]超级势垒整流器器件及其制备方法-CN201610452014.6有效
发明人：胡玮;陈茜;黄晓橹 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种超级势垒整流器器件及其制备方法，通过在N型漂移区引入超结结构，使用杂质掺杂浓度比传统单一N型漂移区提高近一个数量级的注入剂量，在传统单一N型漂移区形成电荷总量平衡的交替P‑型立柱和N‑型立柱的结构该器件在较低反向电压时，漂移区受横向电场影响，P‑型立柱和N‑型立柱中耗尽层均匀展宽，其耗尽层宽度随着电压增大而增大并在PN结反向击穿前完全耗尽，形成类似于一个本征层的耗尽层，该耗尽层中电场近似均匀分布，使PN结的反向击穿电压达到最大，使得在实现相同耐压情况下可以将漂移区厚度变薄且掺杂浓度提高近一个数量级。
超级整流器器件及其制备方法

[实用新型]超级势垒整流器器件-CN201620618691.6有效
发明人：胡玮;陈茜;黄晓橹 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超级势垒整流器器件，通过在N型漂移区引入超结结构，使用杂质掺杂浓度比传统单一N型漂移区提高近一个数量级的注入剂量，在传统单一N型漂移区形成电荷总量平衡的交替P‑型立柱和N‑型立柱的结构该器件在较低反向电压时，漂移区受横向电场影响，P‑型立柱和N‑型立柱中耗尽层均匀展宽，其耗尽层宽度随着电压增大而增大并在PN结反向击穿前完全耗尽，形成类似于一个本征层的耗尽层，该耗尽层中电场近似均匀分布，使PN结的反向击穿电压达到最大，使得在实现相同耐压情况下可以将漂移区厚度变薄且掺杂浓度提高近一个数量级。
超级整流器器件

[发明专利]一种超结LDMOS器件-CN201310077827.8有效
发明人：乔明;蔡林希;章文通;李燕妃;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明在传统超结LDMOS器件的P型衬底中嵌入均匀分布的N+岛，并在有源区和衬底之间加入一层P型电场屏蔽埋层。其中N+岛（2）能通过增强体内电场来提高器件的纵向耐压，同时产生额外的电荷来消除衬底辅助耗尽效应，从而提高器件的击穿电压；P型电场屏蔽埋层（3）可屏蔽源端附近N+岛（2）产生的高电场，降低源区附近电场峰值，并且与N型缓冲层形成超结，加上本身的超结漂移区，使得器件具有多重超结结构，从而有效改善体内的电场分布，提高器件的击穿电压，并同时通过提高漂移区的掺杂浓度来降低器件的比导通电阻，最终达到有效减小器件面积
一种 ldmos 器件

[实用新型]一种静电除尘百叶窗-CN201620261890.6有效
发明人：张钰莹 -专利权人：张钰莹
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： B03C3/40 文献下载
摘要：百叶窗在叶片组件之间形成电场，在电场作用下，当实际电场强度与空气的击穿电场相近时空气发生电离，形成大量的正离子和自由电子，自由电子随电场向正极漂移，在漂移的过程中和尘埃中的中性分子或者颗粒发生碰撞形成荷电粒子使得原来中性的尘埃带上负电，在电场的作用下，向正极移动，吸附在集电极上，从而净化雾霾空气中的颗粒物，减少粉尘等污染物进入室内，达到清洁空气的目的。
一种静电除尘百叶窗

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201780075779.5有效
发明人：竹内有一;铃木龙太;永冈达司;青井佐智子 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在保护环部中，通过在n‑型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]带台面终端的金刚石肖特基势垒二极管器件及其制备方法-CN202010236010.0在审
发明人：郁鑫鑫;周建军;孔岑;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了带台面终端的金刚石肖特基势垒二极管器件及其制备方法，通过对样品的清洁处理，背面欧姆接触金属层的制备及合金处理，肖特基电极的制备，漂移层的刻蚀，刻蚀损伤修复，钝化介质沉积，介质孔刻蚀，上述过程得到二极管器件本发明针对现有金刚石肖特基势垒二极管器件，肖特基接触电极边缘电场高导致器件耐压降低的问题，以肖特基电极为掩模对漂移层进行刻蚀，实现肖特基电极和刻蚀后漂移层的自对准，开发了带有台面终端的金刚石肖特基势垒二极管器件制备技术，具有肖特基电极和刻蚀后的漂移层自对准，边缘峰值电场抑制能力强，反向漏电低，抗辐照能力强等优点。
台面终端金刚石肖特基势垒二极管器件及其制备方法