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[实用新型]一种半导体器件-CN202222540639.1有效
发明人：祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件，包括第一半导体层；形成在第一半导体层之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，形成在漂移区内的柱区；形成在漂移区上方的第二半导体层；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；电场过渡层的电荷总量Q总满足预设条件使得半导体器件关断，电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在电场终止层减小至0，电场过渡层的电荷总量Q总满足的预设条件为小于等于k％×Ec/εs。
一种半导体器件

[发明专利]场致发射型电子源-CN99120728.9无效
发明人：菰田卓哉;栎原勉;相泽浩一;越田信义 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 1999-09-24 - 公布日： 2000-04-05 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种场致发射型电子源及其制造方法,在n型硅基板主表面侧形成强电场漂移单元,在该单元上形成金薄膜构成的表面电极。在n型硅基板背面形成欧姆电极。表面电极配置在真空中,且相对欧姆电极作为正极,通过施加直流电压,从n型硅基板注入的电子在强电场漂移单元漂移经表面电极发射。强电场漂移单元由与作为基板的n型硅基板的厚度方向垂直的剖面呈网孔状的电子进行漂移的漂移单元和填满在网孔中导热性比漂移单元好的散热单元构成。
发射电子

[发明专利]LDMOS器件及其制作方法-CN201410065295.0在审
发明人：蒲贤勇;马千成;程勇;曹国豪 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该LDMOS器件包括：半导体衬底；设置于半导体衬底中的体区和漂移区；设置于半导体衬底上的栅极；设置于漂移区中的漏极；其中，漂移区还包括阻挡漂移区热载流子漂移的漂移阻挡部。本申请在漂移区设置的漂移阻挡部能阻挡热载流子向栅极方向漂移，不但能降低栅极下方的电场强度，而且使最强电场发生的位置向下移动从而远离栅极的栅氧化层。电场强度的降低，提高了漂移区的击穿电压、减少了碰撞电离的发生，即减少了热载流子产生的数量；又由于最强电场的位置下移，到达栅氧化层的距离增加，使实际作用于栅氧化层的热载流子数量减少，从而最终实现了阻碍热载流子作用的效果
ldmos 器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体集成器件-CN202211102837.8在审
发明人：祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体集成器件，包括：集电极金属；位于同一层的第一掺杂类型的集电极和第二掺杂类型的短路区，集电极和短路区位于集电极金属之上；形成在集电极和短路区之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，形成在漂移区内的柱区；形成在漂移区上方的第一掺杂类型的阱区；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；半导体集成器件关断，所述电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0。
一种半导体集成器件

[发明专利]超高速大电流纵向绝缘栅双极型晶体管-CN201910870444.3有效
发明人：李俊宏;刘奎方;胡斌 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明包括集电极、缓冲区、漂移区、欧姆接触重掺杂区、沟道区、发射区、绝缘介质层、主栅极，其特征在于，晶体管中部设置有电场加强单元，用于产生一个由集电极指向电场加强单元的电场，所述电场加强单元通过绝缘介质与晶体管其他部分隔离本发明能够增大器件通态电流密度，也能加强漂移区内的电场调制效应，降低器件的漂移区电阻，降低通态压降；同时，该电场在器件要关断时还能够加速漂移区内过剩载流子的移除，大幅度缩短器件的关断时间，抑制拖尾电流现象
超高速电流纵向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]用于离子迁移率谱仪漂移管的瞬态漂移电场方法-CN200610089347.3无效
发明人：高晓光;李建平;何秀丽;贾建;郭会勇 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明一种用于离子迁移率谱仪漂移管的瞬态漂移电场方法，涉及检测技术，其使用瞬态电场作为离子迁移率谱仪(IMS)漂移管中的漂移电场，即在时刻(T+mΔT)到(T+(m+1)ΔT)之间，离子团全部漂移到第m+1、第m+2、第m+3个漂移电极之间的区域，于漂移管第m+1、第m+2和第m+3个漂移电极上分别加电压V_(m+1)(m+1)、V_(m+1)(n+m+1)和VSUB>满足V_(m+1)(m+1)－V_(m+1)(m+2)＝V_(m+1)(m+2)－V_(m+1)(m+3)＝EL，在漂移管第m+1、第m+2和第m+3个漂移电极之间的区域构成强度为E的瞬态电场。本发明的瞬态漂移电场方法，可以大大降低所需电压，有利于离子迁移率谱仪电路的集成化，以及离子迁移率谱仪微型漂移管与电路的集成。
用于离子迁移率漂移瞬态电场方法

[发明专利]垂直结构功率器件、制备方法及电子设备-CN202210286890.1在审
发明人：曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种垂直结构功率器件、制备方法及电子设备，垂直结构功率器件包括漏极掺杂层、漂移层、反型超级结、掺杂半导体柱、表面功函数金属、介电层以及源极掺杂层，由较低掺杂的漂移层提高功率器件的反向耐压，然后通过将反型超级结设于漂移层内，改变漂移层内的电场分布，降低通道与漂移层界面的最大电场，避免接入反偏电压时由于高电场引起雪崩效应导致器件可靠性降低的问题。
垂直结构功率器件制备方法电子设备

[发明专利]一种快恢复二极管-CN202110704234.4在审
发明人：朱辉;肖秀光;吕磊;潘恒 -专利权人：安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管，包括N型掺杂漂移区、重掺杂N型衬底区域以及位于N型掺杂漂移区与重掺杂N型衬底区域之间的N型掺杂缓冲层。N型掺杂缓冲层包括低掺杂电场缓冲层、电场终止层和反向恢复载流子存储层，低掺杂电场缓冲层与N型掺杂漂移区接触且低掺杂电场缓冲层的厚度较厚，低掺杂电场缓冲层的掺杂浓度高于N型掺杂漂移区的掺杂浓度；电场终止层位于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层之间，电场终止层的掺杂浓度高厚度薄，其掺杂浓度高于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层；反向恢复载流子存储层与所述重掺杂N型衬底区域接触，其浓度较低。
一种恢复二极管

[发明专利]一种二极管器件-CN202211102827.4在审
发明人：祁金伟;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种二极管器件，包括：第一掺杂类型的第一半导体层；形成在第一半导体层之上的第一掺杂类型的电场终止层；形成在电场终止层之上的第一掺杂类型的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的第一掺杂类型的漂移区，以及形成在漂移区内间隔排列的多个第二掺杂类型的柱区；形成在漂移区上方的第二掺杂类型的第二半导体层；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；二极管器件关断，电场过渡层被完全耗尽，电场在电场过渡层降低且在电场终止层减小至0。
一种二极管器件

[发明专利]一种具有PN叠型耐压层结构的可关断晶闸管-CN202310406370.4在审
发明人：陈万军;周彭炜;夏云;刘超;孙瑞泽;郑崇芝;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：相对于传统的可关断晶闸管，本发明在器件的采用PN叠型耐压层结构，其位于N型电场截止层上方以及P型基区下方，其由低掺杂的P型漂移区和低掺杂的N型漂移区相叠构成。在关断时，本发明可关断晶闸管电场峰值位于P型漂移区和N型漂移区的交界处，电场分别向阳极方向和阴极方向拓展，因此电场建立的更快，关断损耗更低。同时电场峰值位置的改变降低了最大电场，从而增加了可以关断的最大电流。本发明的有益成果：改善了关断时的电场分布，关断时关断损耗显著降低，同时最大可关断电流得到显著提升。
一种具有 pn 耐压结构可关断晶闸管

[发明专利]抑制直流漂移的集成光波导电场传感芯片、系统及方法-CN201910155835.7有效
发明人：张家洪;朱楚奕;杨秀梅;万小容 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制直流漂移的集成光波导电场传感芯片、系统及方法，芯片包括铌酸锂晶片、两平行直波导、T形电极、两平行条形电极、反射膜。本发明提供的电场传感芯片通过设置两条相同的直波导、T形电极和两片相同的条形平行电极，使得被测电场信号对两波导中的光波产生相反的调制作用，而由温度等外部因素引起的直流漂移相同，在系统输出端采用电信号采集处理器进行差分运算即可抵消直流漂移，有效地克服了集成光波导电场传感器普遍存在直流漂移问题，实现稳定、准确地对电场进行测量。
抑制直流漂移集成波导电场传感芯片系统方法

[发明专利]一种多层堆叠的LDMOS功率器件-CN202010481812.8在审
发明人：李琦;党天宝;李海鸥;张法碧;陈永和;肖功利;傅涛;孙堂友;黄洪;姜焱彬;王磊 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区栅漏两极的电场峰值，同时在器件内部引入了两个新的电场峰值，优化了器件的内部电场强度，改善器件内部的电场分布，从而提高了器件的耐压特性。此外，还通过在双漂移区之间引入轻掺杂的交叠浮空层辅助耗尽，以有效增加双漂移区的掺杂浓度，进一步改善耐压特性。再者，通过上部漂移区的底部引入重掺杂的单元内埋层和在双漂移区之间的轻掺杂区中引入重掺杂的单元内浮空层来进一步改善器件的耐压特性。
一种多层堆叠 ldmos 功率器件

[发明专利]一种阶梯高K介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201710844705.5有效
发明人：段宝兴;谢丰耘;赵逸涵;曹震;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种阶梯高K介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该器件主要是在器件漂移区两侧形成阶梯高介电常数(High K)介质层。器件关断时High K介质层通过电场调制辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，导通电阻降低。分区优化的阶梯高K介质层能在漂移区引入新的电场峰，进一步优化了漂移区的电场分布。结合以上优势，在相同漂移区长度的情况下，本发明具有更高的耐压和更低的导通损耗。
一种阶梯介质宽带半导体纵向扩散金属氧化物场效应

[发明专利]一种阶梯高K介质层元素纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201710844659.9有效
发明人：段宝兴;谢丰耘;赵逸涵;曹震;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种阶梯高K介质层元素半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该器件主要是在器件漂移区两侧形成阶梯的高介电常数(High K)介质层，High k介质层阶梯下方为低介电常数的介质层器件关断时High K介质层通过电场调制辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，导通电阻降低。分区优化的阶梯状高K介质层能在漂移区引起新的电场峰，进一步优化了漂移区的电场分布。结合以上优势，在相同漂移区长度的情况下，本发明具有更高的耐压和更低的导通损耗。
一种阶梯介质元素纵向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]制造电场放射型电子源的方法和装置-CN02124448.0无效
发明人：菰田卓哉;栎原勉;相泽浩一;本多由明;渡部祥文;幡井崇;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2002-06-26 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：一种电场放射型电子源10，具有n型硅基板1、在n型硅基板1的1个表面上形成的漂移层6(强电场漂移层)、在漂移层6上形成的表面电极7。通过外加电压，使表面电极7相对于n型硅基板1为正极，从而由n型硅基板1注入漂移层6中的电子在该漂移层6中漂移，通过表面电极7被释放出。在该电场放射型电子源10的制造过程中，形成漂移层6时，通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层。然后，在各半导体微晶体表面形成绝缘膜。
制造电场放射电子方法装置