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[发明专利]硅的深槽刻蚀方法-CN92103289.7无效
发明人：张利春;钱钢;阎桂珍;王咏梅;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 1992-05-11 - 公布日： 1993-10-20 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。
刻蚀方法

[发明专利]一种光伏电池及其制备方法-CN201610343628.0在审
发明人：王成;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种光伏电池，其特征在于，包括由下到上依次设置的：背电极、背电场、P型基底、反应离子刻蚀绒面层、PN结层、减反射膜层与栅线电极；所述PN结层与减反射膜层接触的一面开设有多个平行的槽；所述PN与现有技术相比，本发明首先利用反应离子刻蚀，来改变电池绒面结构，提高光子的吸收率，通过降低电池的入射光损失提高电池的转换效果；其次在优化后的电池绒面表面扩散形成PN结层后再进行激光开槽，开槽后的电池形貌更能有效的增强对太阳光的吸收
一种电池及其制备方法

[发明专利]一种ZnO球形空壳结构纳米颗粒阵列的制备方法-CN201310012724.3有效
发明人：李静;尹君;岳闯;臧雅姝;何绪 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：将薄膜太阳能电池表面进行清洗后，利用反应离子刻蚀系统对电池表面进行活化处理，获得具有亲水性表面的薄膜太阳能电池；在薄膜太阳能电池表面上采用旋涂法自组装单层PS球阵列；利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径和间隙
一种 zno 球形空壳结构纳米颗粒阵列制备方法

[发明专利]一种嵌入式金刚石基碳化硅复合衬底的制备方法-CN202110432545.X有效
发明人：郑宇亭;李成明;张钦睿;刘思彤;魏俊俊;刘金龙;陈良贤;欧阳晓平 -专利权人：北京科技大学;北京科技大学顺德研究生院
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：首先对镀制有Si涂层的碳化硅(SiC)基片粘附临时载体，随后对SiC进行表面图形化及反应离子刻蚀，形成具有图案结构的SiC层。接着在其表面沉积一层金刚石以覆盖SiC，并对金刚石层表面进行研磨抛光。通过反应离子刻蚀去掉原有Si涂层后，将金刚石侧临时载体去除，最终得到嵌入式金刚石基SiC复合衬底。
一种嵌入式金刚石碳化硅复合衬底制备方法

[实用新型]一种光伏电池-CN201620479631.0有效
发明人：王成;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光伏电池，包括由下到上依次设置的：背电极、背电场、P型基底、反应离子刻蚀绒面层、PN结层、减反射膜层与栅线电极；所述PN结层与减反射膜层接触的一面开设有多个平行的槽；所述PN结层与减反射膜层之间连续接触与现有技术相比，本实用新型首先利用反应离子刻蚀，来改变电池绒面结构，提高光子的吸收率，通过降低电池的入射光损失提高电池的转换效果；其次在优化后的电池绒面表面扩散形成PN结层后再进行激光开槽，开槽后的电池形貌更能有效的增强对太阳光的吸收
一种电池

[实用新型]高精密无表面损伤反应离子刻蚀制绒设备-CN202221788050.7有效
发明人：曹解洪;周沫;胡发清 -专利权人：浙江泰恒新能源有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了高精密无表面损伤反应离子刻蚀制绒设备，包括酸洗箱，所述酸洗箱的前后侧内壁焊接安装有第一滑槽，第一滑槽内置第一滑块，第一滑块与第一滑槽滑动连接设置，第一滑块的对应侧壁焊接安装有放置板，放置板上开设有放置槽该高精密无表面损伤反应离子刻蚀制绒设备，通过设置压板将其电池片进行固定限位，使得装置在进行酸洗时，电池片不会因为浮力而出现位置的偏移，保证了酸洗的正常进行，一定程度上避免了因为电池片出现重叠堆积导致的次品率提升的情况
精密表面损伤反应离子刻蚀设备

[发明专利]一种微纳结构太阳能电池及其背面陷光结构的制备方法-CN201310017974.6有效
发明人：李海华;王庆康 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种微纳结构太阳能电池及其背面陷光结构的制备方法，该方法先提供一玻璃基底；然后利用刻蚀工艺刻蚀所述玻璃基底，使得玻璃基底表面为柱状阵列结构；最后采用离子束刻蚀技术，旋转一预定角度，获到表面为无棱角周期性微纳结构的玻璃基底该发明提供的陷光结构位于太阳能电池的背面，通过该结构的反射、折射和散射，增加了光在太阳能电池中的光程，此外，利用反应离子刻蚀技术和离子束刻蚀技术获得表面无棱角周期性的微纳陷光结构后，可以避免后续沉积电极和硅基薄膜时出现沉积不均匀
一种结构太阳能电池及其背面制备方法

[发明专利]一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺-CN202211524369.3在审
发明人：张雷;王忠新;俞娇仙;王守志;王国栋;刘磊;刘光霞;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺，本发明采用粗磨、细磨、粗抛、精抛、电感耦合等离子体反应离子刻蚀处理，提高了抛光效率，将单晶片的加工时间大大缩短，能够实现单晶片完全无损伤化，得到的氮化镓单晶片亚表面无损伤
一种表面损伤氮化晶片加工工艺

[发明专利]一种减少观测角度影响的结构蓝色玻璃的制备方法-CN202211705199.9在审
发明人：杨扬;李刚;王天齐;金克武;彭塞奥;姚婷婷;王金磊;夏申江;程海波;黄海清;王东;甘治平 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少观测角度影响的结构蓝色玻璃的制备方法，其特征在于：（1）玻璃基底放入洗液浸泡后用去离子水和乙醇依次洗涤，氮气吹干后用等离子体清洗；（2）采用反应离子刻蚀工艺制备预制增透层，刻蚀深度为90~120nm，表面粗糙度为5~20nm；（3）采用射频反应溅射工艺继续制备厚度为150~200nm、折射率为1.7~2.2的ZrOXNY薄膜；（4）采用射频反应溅射工艺制备厚度为10~50nm、折射率为1.5~2.0的SiOXNY薄膜；（5）采用离子辅助沉积电子束蒸发工艺沉积厚度为5~20nm、折射率为4.1~4.4的无定型硅层；（6）采用射频反应溅射工艺沉积厚度为100~150nm、折射率为1.5~2.0的SiO
一种减少观测角度影响结构蓝色玻璃制备方法

[实用新型]反应离子刻蚀机及其气体分配装置-CN201920972362.5有效
发明人：谭志明 -专利权人：华智科技(国际)有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：一种气体分配装置及反应离子刻蚀机，该气体分配装置的底座具有气体分配槽，气体可从进气孔进入到气体分配槽。增压室内气体压强上升至一定程度，可从网片的网状孔隙内排出，均匀的进入到排气板的出气孔中，然后再均匀的排入至反应腔内，提高刻蚀的均匀性。
气体分配槽增压网片压强气体分配装置室内气体反应离子刻蚀机气体流量比敞开气体分流气体形成室内气压网状孔隙出气孔反应腔进气孔均匀性排气板刻蚀排出喷出底座流出覆盖保证

[发明专利]一种高深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法-CN201310734714.0有效
发明人：丹尼尔·吉多蒂;靖向萌;张名川 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度和深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法，以及包含上述刻蚀方法在内的一种刻蚀石英玻璃的系统。通过在玻璃晶圆工件沉积一层适当厚度的掩膜，然后进行反应离子刻蚀在整个工件区域的掩膜上开出一组通孔，随后沉积一层钝化层，因为玻璃的刻蚀速率远大于对掩膜的刻蚀速率，就能保证玻璃通孔的垂直度。刻蚀熔融石英玻璃的系统除包括反应腔，射频激励，气体交换系统阀门，反应腔真空控制阀门之外，还包含一个加热装置。加热装置位于反应腔内，通过其内置的加热部件和冷却部件，以及一个可以打开或折叠的小支架实现玻璃工件与加热装置的离合，使得玻璃工件可以在短时间内快速升温和降温。
一种高深垂直玻璃刻蚀方法

[发明专利]微机电可调氮化物谐振光栅制备方法-CN201410492521.3有效
发明人：王永进;施政;高绪敏;贺树敏;李欣;于庆龙 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
微机可调氮化物谐振光栅制备方法

[发明专利]柔性硅片的制备方法-CN201810517102.9有效
发明人：冯雪;蒋晔;陈颖;付浩然;张柏诚;刘兰兰 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及柔性硅片的制备方法，包括步骤：提供一硅片，所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面；在所述硅片的所述侧面上形成抗刻蚀层；在所述硅片的所述第一表面上和所述第二表面上刻蚀形成微结构；采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片，减薄所述硅片；去除所述微结构和所述抗刻蚀层，得到柔性硅片。
柔性硅片制备方法

[发明专利]柔性硅片的制备方法-CN201810517115.6有效
发明人：冯雪;蒋晔;陈颖;付浩然;张柏诚;刘兰兰 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及柔性硅片的制备方法，包括步骤：提供一硅片，所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面；在所述硅片的所述第一表面和所述侧面上形成抗刻蚀层；在所述硅片的所述第二表面上刻蚀形成微结构；采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片，减薄所述硅片；去除所述微结构和所述抗刻蚀层，得到柔性硅片。
柔性硅片制备方法

[发明专利]用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法-CN200510029961.6无效
发明人：叶振华;胡晓宁;陈兴国;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO₂)材料。本发明的最大优点是：掩膜层具有高的刻蚀选择比，能避免用光刻胶作掩膜层会导致大量聚合物沉积、刻蚀停滞现象和刻蚀线宽损失的不足，并在掩模层的制作过程中无需经受高温处理。
用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵掩膜层制备方法

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