“深度反应离子刻蚀”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1954398个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种含碳层的等离子刻蚀方法-CN201010110098.8无效
发明人：倪图强;高山星一;陶铮 -专利权人：中微半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种含碳层的等离子刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，提供一刻蚀气体在等离子体作用下对所述含碳层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁；侧壁钝化步骤，提供一含碳氢成份的反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成含碳氢成份的聚合物，沉积在所述刻蚀界面的侧壁表面；交替循环所述刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，直到刻蚀到达目标深度。利用本方法可以精确刻蚀含碳层，防止污染物产生，同时保证较高的刻蚀速率。
一种含碳层等离子刻蚀方法

[发明专利]光栅深刻蚀的方法-CN202010634034.1在审
发明人：王勇禄;晋云霞;曹红超;孔钒宇;张益彬;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种光栅深刻蚀方法，该方法包括：光栅金属掩膜结构制备、反应离子束刻蚀、化学湿法腐蚀去除掩膜残留、倾斜镀制金属掩膜等过程。通过不断重复反应离子束刻蚀→残留掩膜去除→倾斜镀制金属掩膜→反应离子束刻蚀过程，可以在保持光栅占宽比的条件下逐步提升光栅的刻蚀深度，解决了氧化硅、氮化硅、氧化铪等常用光栅材料单次掩膜刻蚀选择比不高、无法实现大深宽比刻蚀的问题，为大深宽比衍射光学元件的刻蚀制备奠定了基础。
光栅深刻方法

[发明专利]利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法-CN200910079801.0无效
发明人：宋国峰;张宇;汪卫敏;陈熙 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-03-11 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：在激光器的出光面上制作一层金属薄膜；步骤2：在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂；步骤3：把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上；步骤4：采用压印技术，使液态阻蚀剂固化；步骤5：脱模，把纳米图案转移到阻蚀剂上；步骤6：等离子体刻蚀多余阻蚀剂，在金属薄膜表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案；步骤7：反应离子刻蚀，把纳米图案转移到金属薄膜上
利用纳米压印技术制备发射表面等离子体激光器方法

[发明专利]一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法-CN202210531719.2在审
发明人：王华兵;黎晓杰;李丁丁;陈士县;孙汉聪;吕阳阳;吴培亨 -专利权人：南京大学;网络通信与安全紫金山实验室
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法，属于低温超导技术领域，制备方法主要包含以下过程：清洗基片；光刻定义底电极区域；制备Nb底电极；剥离；制备Al‑AlOx‑Al势垒层；生长Nb顶层电极；再次光刻，定义结区和顶电极区域；反应离子刻蚀和离子束刻蚀本发明通过微加工技术、真空镀膜技术和刻蚀技术制备铌基约瑟夫森结，简化了工艺；采用两次光刻的工艺制备铌基约瑟夫森结，减少了器件在制备过程中界面退化的可能性，简化了制备铌基约瑟夫森结的工艺，避免了复杂的加工流程
一种新型约瑟夫制备方法

[发明专利]一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法-CN201810270664.8有效
发明人：蔡洪冰;赵慧;王晓平;罗毅 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法，包括以下步骤：A)在衬底表面沉积一层酸不溶性薄膜；B)在所述酸不溶性薄膜表面自组装小球单层有序膜；C)采用反应离子刻蚀所述小球单层有序膜，得到粒径减小的小球；D)采用氩离子刻蚀所述粒径减小的小球间的、步骤A)所述的酸不溶性薄膜；E)通过单原子层沉积技术在步骤D)得到的产物表面沉积一层酸溶性薄膜；F)在所述步骤E)得到的产物表面沉积一层与步骤A)中厚度相同的酸不溶性薄膜；G)用酸溶液刻蚀掉步骤F)得到的产物表面的酸溶性薄膜，用溶剂去除所述粒径减小的小球，得到环状纳米间隙有序阵列。
一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列方法

[发明专利]一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法-CN201110075312.5无效
发明人：高平;杨欢;李飞;罗先刚 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，步骤：(1)根据透射波长的需要选择合适型号的基底，对基底进行清洗、亲水化处理；(2)在基底表面均匀的自组装一层纳米球；(3)采用反应离子刻蚀机RIE工艺对制作的纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米球的间隙的尺寸大小；(4)利用刻蚀后的纳米球自组装作为模具，在球与球之间的间隙处填充金属；(5)通过Lift off工艺去除纳米球自组装层，得到阵列化的金属纳米结构芯片。本发明制作的金属纳米结构芯片的光学性质可控，可应用于局域表面等离子体共振(LSPR)传感、表面增强拉曼光谱(SERS)探测领域，实现生物、化学分子的快速检测。
一种调谐三角形金属纳米粒子阵列结构制作方法

[发明专利]一种基于硅衬底的氧化铪空心微针及制备方法-CN201610730862.9有效
发明人：张永华;斯蒂芬.A.坎贝尔 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅衬底的氧化铪空心微针及制备方法，其制备方法包括：单晶硅片的准备；硅片表面形成二氧化硅；硅片正面甩光刻胶、烘胶并图形化；刻蚀二氧化硅层得到微针的刻蚀窗口；硅片各向异性刻蚀得到锥形尖端；硅片深反应离子刻蚀得到深孔；原子层沉积方法沉积氧化铪膜；硅上氧化铪的完全刻蚀；硅片背面的碱性溶液湿法刻蚀，露出氧化铪微针末端；Oxford刻蚀机刻蚀掉氧化铪微针末端；硅片背面继续碱性溶液湿法刻蚀得到裸露的氧化铪微针阵列
一种基于衬底氧化空心制备方法

[发明专利]一种刻蚀硅通孔的方法-CN201310502864.9在审
发明人：余东洋;卞祖洋;严利均 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀硅通孔的方法，所述刻蚀方法包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，在第一刻蚀阶段，向所述等离子体反应腔内交替通入第一刻蚀气体和沉积气体，在第二刻蚀阶段，向所述等离子体反应腔通入第二刻蚀气体，所述第一刻蚀阶段刻蚀硅通孔深度大于等于整个硅通孔深度的采用本发明所述的技术方案，可以较好的改善硅通孔的侧壁形貌，通过将硅通孔的刻蚀过程分解为第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，在第一刻蚀阶段，可以对硅基底层进行快速刻蚀，在第二刻蚀阶段向等离子体反应腔中加入易于氧化硅发生反应的
一种刻蚀硅通孔方法

[发明专利]晶片及其形成方法-CN201010270505.1有效
发明人：姜熙福;金永郁 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：形成晶片的方法能够通过在包括多个芯片的晶片上执行深反应离子刻蚀(DRIE)工艺而将各个芯片彼此分离。
晶片及其形成方法

[发明专利]一种硅片制绒方法和用所述方法制造的太阳电池-CN201110033169.3无效
发明人：朱永生;张光春;汪义川 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：具体而言，所述硅片制绒方法为：首先用酸溶液腐蚀多晶硅片表面或用碱溶液腐蚀单晶硅片表面制绒；接着在所述绒面上用反应离子刻蚀制绒。用所述方法制备的硅片绒面均一、反射率低，可以有效提高太阳电池的转换效率。
一种硅片方法制造太阳电池

[发明专利]改善沟槽间深度差异的等离子刻蚀方法与装置-CN200810037675.8有效
发明人：周鸣;尹晓明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭露了一种改善沟槽间深度差异的等离子刻蚀方法与装置，将沟槽刻蚀过程拆分为两步，并采用不同刻蚀参数加以控制，从而改善了芯片中心区域到边缘区域的沟槽之间的深度差异。该方法包括如下步骤：于反应室上极板提供一源功率以及一第一电磁场，以激发刻蚀气体产生等离子体，并引导等离子体轰击基片表面；于反应室上极板提供一第二电磁场，以激发刻蚀气体产生等离子体，并引导等离子体轰击基片表面，其中反应室上极板边缘处设有一外线圈组且外线圈组以内设有一内线圈组，且上述第一电磁场由内线圈组产生，上述第二电磁场由内外线圈组共同产生。
改善沟槽深度差异等离子刻蚀方法装置

[发明专利]一种用于扫描隧道显微镜的隧道探针及其制备方法-CN200610066899.2无效
发明人：魏红祥;韩秀峰;王天兴;张晓光 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： G12B21/04 文献下载
摘要：本发明利用预先打孔再沉积的方法，并通过控制聚焦离子束刻蚀，电子束曝光，离子刻蚀，或反应离子刻蚀的方法的工艺参数，得到针尖直径为纳米水平、分辨率高的细小的探针。
一种用于扫描隧道显微镜探针及其制备方法

[发明专利]采用低温工艺形成电学隔离区方法、单片集成方法及芯片-CN200710045975.6有效
发明人：李刚;胡维 -专利权人：李刚;胡维
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种采用低温工艺形成电学隔离区方法、单片集成方法及芯片，其首先采用湿法腐蚀、等离子干法刻蚀或深槽反应离子刻蚀法将一绝缘硅基片具有的器件层相应部分腐蚀以形成相应隔离槽，并由隔离槽将基片分隔为多个电学隔离区，接着再在器件层上采用低于400℃的低温工艺生成一绝缘介质层，并使处于隔离槽位置处的绝缘介质层表面平坦，然后再在需要电学连接的各电学隔离区的绝缘介质层相应位置采用湿法腐蚀或干法刻蚀法形成相应连接孔，最后在绝缘介质层上淀积一金属层，并进行必要刻蚀后形成将各连接孔进行相应金属互连的金属连接线，进而实现相应各电学隔离区的必要电学连接，由此可实现将MEMS与集成电路器件的集成。
采用低温工艺形成电学隔离方法单片集成芯片

[发明专利]一种微机电器件与集成电路器件单片集成芯片-CN201010173572.1无效
发明人：李刚;胡维 -专利权人：李刚;胡维
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种采用低温工艺形成电学隔离区方法、单片集成方法及芯片，其首先采用湿法腐蚀、等离子干法刻蚀或深槽反应离子刻蚀法将一绝缘硅基片具有的器件层相应部分腐蚀以形成相应隔离槽，并由隔离槽将基片分隔为多个电学隔离区，接着再在器件层上采用低于400℃的低温工艺生成一绝缘介质层，并使处于隔离槽位置处的绝缘介质层表面平坦，然后再在需要电学连接的各电学隔离区的绝缘介质层相应位置采用湿法腐蚀或干法刻蚀法形成相应连接孔，最后在绝缘介质层上淀积一金属层，并进行必要刻蚀后形成将各连接孔进行相应金属互连的金属连接线，进而实现相应各电学隔离区的必要电学连接，由此可实现将MEMS与集成电路器件的集成。
一种微机器件集成电路单片集成芯片

[发明专利]基于超声驻波的微流控筛选芯片及其制备方法-CN201010519669.3有效
发明人：国世上;赵兴中;李思晢;邓宇亮 -专利权人：武汉大学
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：其产品由载玻片、带有驻波反应腔的硅片、压电陶瓷和夹具所构成。硅片上的驻波反应腔由深度反应离子刻蚀法在硅片上形成的驻波反应沟道及其进、出样孔口所构成。载玻片覆盖在硅片上，其与硅片上驻波反应腔进、出样孔口对应的位置处开有对应的进、出样孔口，并在其孔壁和孔口周围键合有一层有机高分子材料。压电陶瓷耦合在硅片底部，并在其正反面分别引出导线。
基于超声驻波微流控筛选芯片及其制备方法