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[发明专利]“耳朵”层识别方法-CN202010272715.8在审
发明人：杨豫晰;孙琦;杨凯;吴辉;尚庆录;周练武;王艳丽;孙海燕;雷传玲;徐思远 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01V1/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种“耳朵”层识别方法，包括：根据待研究区域的测井资料，确定多个已知井中的标准井和多个已知井中每个井在预设井深范围内的标志层；根据多个已知井中的标准井和多个已知井中每个井在预设井深范围内的标志层，得到地层骨架剖面；根据待研究区域的地震资料和地层骨架剖面，得到标准井在预设井深范围内的夹层的个数以及每个夹层的深度位置；根据标准井在预设井深范围内的夹层的个数以及每个夹层的深度位置，确定标准井在预设井深范围内该方法不需要在作业过程中实现，仅需利用待研究区域的测井资料和地震资料即可，可以在低投入的情况下实现对“耳朵”层的识别，便于规模推广。
耳朵识别方法

[发明专利]基于农机平台的秧体保全系统及方法-CN202111380829.5在审
发明人：熊艳 -专利权人：熊艳
申请日： 2021-11-20 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： A01D13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于农机平台的秧体保全系统，所述系统包括：翻土收获结构，包括机座、限深轮、刨土机构、去土机构以及番薯储藏机构，限深轮设置在刨土机构的外侧用于限制刨土机构的刨土范围；分布检测器件，用于在第二映射图像中限深轮采集区域的外围存在所述秧体采集区域的一部分时，发出第一检测指令；自动调节机构，用于在接收到第一检测指令，将限深轮向相对于刨土机构外侧的方向推送。通过本发明，能够在判断在当前番薯收获区域内限制刨土机构的刨土范围的限深轮的外侧存在部分番薯秧体时，采用应对措施执行刨土机构的刨土范围的扩展，从而提升收获的番薯果实的完整程度。
基于农机平台保全系统方法

[发明专利]AUV大潜深运动浮力补偿控制方法-CN201710896082.6有效
发明人：张宏瀚;宫利明;凡浩;许亚杰;陈涛;周佳加 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： B63G8/14 文献下载
摘要：本发明提供的是一种AUV大潜深运动浮力补偿控制方法。检测出AUV在深海区域进行定深航行时的深度；通过AUV剩余浮力辨识算法，辨识AUV在当前深海区域进行定深航行时受到的剩余浮力；辨识的结果为稳定时，通过油囊式浮力均衡系统对AUV进行浮力补偿；否则继续对AUV在深海区域定深航行时受到的剩余浮力进行辨识；当AUV的浮力补偿值等于通过AUV剩余浮力辨识算法辨识的剩余浮力值时，则完成了对AUV的浮力补偿；否则，继续通对AUV进行浮力补偿。本发明可有效的均衡剩余浮力的影响并消除AUV的纵倾角偏差，提高AUV的操纵性及控制精度，减小AUV定深航行时所受的阻力，在携带同等能源条件下增加AUV的航行时间。
浮力补偿剩余浮力辨识深海算法均衡系统能源条件操纵性纵倾角浮力减小油囊均衡携带检测

[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法及其器件结构-CN200910247497.6有效
发明人：李若加;杨建平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：CMOS图像传感器的器件结构，包括：P型半导体衬底，半导体衬底分为二极管区域和晶体管区域及位于二极管区域和晶体管区域之间的间隙区域；位于晶体管区域的半导体衬底中的P型深掺杂阱；位于半导体衬底表面的栅氧化层，所述栅氧化层包含具有第一厚度的第一栅氧化层和具有第二厚度的第二栅氧化层，第一厚度大于第二厚度，第一栅氧化层位于二极管区域、间隙区域和部分深掺杂阱上方，第二栅氧化层位于其余深掺杂阱上方。
cmos 图像传感器制造方法及其器件结构

[发明专利]高压CMOS器件及其制造方法-CN200710153703.8无效
发明人：高光永 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造高压CMOS器件的方法，在形成高压深阱区域时不需要用于形成光学对准标记的单独掩膜。该方法包括形成暴露半导体衬底预定区域的相对厚的第一氧化物膜图案；在暴露衬底上形成第二氧化物膜图案；以及通过利用第一氧化物膜图案作为掩膜进行离子注入和退火处理，形成高压深阱区域。第二氧化物膜图案通过退火处理扩散，以在高压深阱区域上产生台阶。该台阶能被用作光学对准标记。
高压 cmos 器件及其制造方法

[发明专利]沉管法修建海底隧道合理埋深计算方法-CN201810110913.7有效
发明人：薛翊国;葛尚奇;高海东;李志强;陶宇帆;范旭阳;邱道宏;苏茂鑫;张开 -专利权人：山东大学;中铁十八局集团第一工程有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种沉管法修建海底隧道合理埋深的计算方法，包括以下步骤：确定拟建设沉管隧道区域气象、水文和地质环境条件，并获得水力学参数值和岩土体物理力学参数；获取以往沉管隧道案例，分析拟建设沉管隧道区域存在的、影响埋深的因素；由工程类比法和数值计算方法，确定出各因素影响下的的不同埋深值；由权重分析法，计算出各评判因子所占权重值，得到最终的埋深值。
埋深沉管隧道沉管权重水力学物理力学参数地质环境数值计算因素影响岩土体修建水文分析评判气象建设

[发明专利]一种深熔焊的有限元仿真热源模型获取方法-CN202011491905.5有效
发明人：刘红兵 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深熔焊的有限元仿真热源模型获取方法，用于获得高熔深锁工艺焊接样本的焊缝所对应的热源模型；其包括以下步骤：(S1)获取焊缝截面的图像；焊缝截面包括非钝化区域以及钝化区域；(S2)获取所述非钝化区域以及所述钝化区域的尺寸参数；(S3)对所述非钝化区域的侧边曲线进行拟合；(S4)根据步骤(S2)和(S3)的结果，确定热源有效作用半径的表达式，并建立旋转体热源模型。本方法采用旋转体热源对深熔焊的热源进行建模，更加贴近深熔焊的实际情况。本发明的热源模型是单一函数热源模型，不存在多个模型的匹配的问题，只需要输入焊缝相关的几何尺寸数据，就可实现热源模型的定义。
一种熔焊有限元仿真热源模型获取方法

[发明专利]板金上冲压高凸台的方法及冲头-CN201010599655.7无效
发明人：张文兵 -专利权人：深圳亿和模具制造有限公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B21D13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种板金上冲压高凸台的方法，它包括凸起成形、拉深凸起、堆积填补、塑型设定，挤压板金母材的成型区使其隆起形成凸起区域，朝隆起的方向拉深凸起区域，在拉深的后期，同时将位于板金母材成型区周边的材料补充区的金属材料朝隆起的方向挤压堆积，堆积的金属材料向凸起区域流动，继续拉深凸起区域至设定高度形成高凸台；该方法所用冲头设有阶梯结构的工作区，阶梯结构形成的端面挤压实现材料的补充。本发明将板金母材上凸台成型区周边的材料在外力挤压作用下塑性流动到凸起区域，即向凸台成型的主体部分填补材料，从而增加凸台的直身高度和强度，达到在厚度较薄的板金母材上也可冲压出较高的凸台的效果，且冲压出的高凸台不会脱落
板金上冲压高凸台方法

[发明专利]高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法-CN200610159866.2有效
发明人：蒋秋志;黄志丰 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：离子掺杂结包括一衬底及一深阱。深阱形成于衬底内并具有一第一凹结构。离子掺杂结包括一连接至该深阱的第一凹结构的半导体区域，该半导体区域并具有与该衬底实质上相同的离子掺杂浓度。借此得以增加邻近电容结构凹区域的高压结的击穿电压。因此，得以降低芯片面积及制造高压侧驱动器的成本。
高压驱动器半导体结构及其制造方法

[实用新型]高压侧驱动器的半导体结构-CN200620149902.2无效
发明人：蒋秋志;黄志丰 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：离子掺杂结包括一衬底及一深阱。深阱形成于衬底内并具有一第一凹结构。离子掺杂结包括一连接至该深阱的第一凹结构的半导体区域，该半导体区域并具有与该衬底实质上相同的离子掺杂浓度。借此得以增加邻近电容结构凹区域的高压结的击穿电压。因此，得以降低芯片面积及制造高压侧驱动器的成本。
高压驱动器半导体结构

[发明专利]P-LDMOS的制造方法-CN201210114133.2无效
发明人：葛洪涛;黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种P-LDMOS的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成深N阱；在所述深N阱中形成隔离结构；在所述深N阱的漏极区域形成P阱，在所述深N阱的源极区域形成N阱；在所述深N阱上形成栅极；进行源漏轻掺杂工艺本发明在漏极采用深N阱和P阱取代传统P-LDMOS中漂移区的光罩，而在源极采用深N阱中的N阱取代了传统体区中的光罩，在制程中减少了两个光罩，在满足器件耐压的前提下有效降低了LDMOS器件的制造成本。
ldmos 制造方法

[发明专利]N-LDMOS的制造方法-CN201210114134.7无效
发明人：葛洪涛;黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种N-LDMOS的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成深N阱；在所述深N阱中形成隔离结构；在所述深N阱的漏极区域形成N阱，在所述深N阱的源极区域形成P阱；在所述深N阱上形成栅极；进行源漏轻掺杂工艺本发明在漏极采用深N阱和N阱取代传统N-LDMOS中漂移区的光罩，而在源极采用深N阱中的P阱取代了传统体区中的光罩，在制程中减少了两个光罩，在满足器件耐压的前提下有效降低了LDMOS器件的制造成本。
ldmos 制造方法

[实用新型]分区卸荷控制深大基坑变形的系统-CN201220682598.3有效
发明人：贾坚;谢小林;翟杰群;张羽;刘传平;罗发扬;施佩文 -专利权人：同济大学建筑设计研究院（集团）有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： E02D17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分区卸荷控制深大基坑变形的系统，包括深大基坑围护结构和一临时分隔墙，深大基坑邻近保护对象侧的坑内设置临时分隔墙，所述临时分隔墙将深大基坑分成远离保护对象的大基坑和邻近保护对象的窄条基坑两个区域采用临时分隔墙将深大基坑分成远离保护对象的大基坑和邻近保护对象的窄条基坑两个区域分区卸荷，从而使深大基坑相对远离保护对象，先开挖远离保护对象的大基坑，通过快速施工完成大基坑底板浇筑，控制大坑卸荷产生的坑内隆起和坑外沉降，在窄条坑开挖时，可以通过重点控制窄条基坑的侧向变形以控制保护紧邻窄条基坑的保护对象，从而达到减小和控制深大基坑开挖对保护对象变形影响的目标。
分区控制基坑变形系统

[发明专利]激光焊接熔深提取方法及设备-CN202110419799.8有效
发明人：王锐;万楚豪;邱秀分;王瑞;郑增超;胡真;何崇文;杨付飞 -专利权人：武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01B11/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光焊接熔深提取方法及设备。所述方法包括：采集熔深监测系统的参考光，在干涉信号中剔除参考光的均值，得到第一干涉信号；对第一干涉信号进行非均匀逆傅里叶变换以提取熔深信息，对熔深信息进行峰值去噪并提取峰值散点；在焊缝区域内获取峰值散点的概率密度曲线，根据概率密度曲线划分熔深的有效区域；对峰值散点进行拟合，得到焊缝的熔深曲线；其中，每一峰值散点横坐标对应一焊缝点处熔深。本发明可以去除信号中未干涉的无效项以及随机噪声信号，提高熔深曲线拟合的精度，进而精确提取激光焊接的熔深信息。
激光焊接提取方法设备

[实用新型]一种建筑工地用防护鞋-CN202320675372.9有效
发明人：汪勇;陈晓群;汪涛 -专利权人：安徽沃克尔防护科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： A43B7/083 文献下载
摘要：本实用新型提供一种建筑工地用防护鞋，涉及防护鞋技术领域，所述内底上的脚后跟区域开设有深槽，所述深槽靠近内底脚掌区域一侧顶边开设有浅槽，所述浅槽内转动连接有覆盖深槽槽口的压板，所述压板一对立侧边均通过弹簧片与深槽槽底活动连接，所述深槽槽底固定连接有鼓风罩，所述鼓风罩的风口设置在远离浅槽的一面，且鼓风罩表面与压板表面固定连接，设置的延伸块保证压板在旋转至水平时，延伸块刚好与深槽的槽底接触，即保证压板的水平状态，即保证在劳保鞋在穿着时人员的脚后跟与脚掌处于舒适的状态
一种建筑工地防护