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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种钣金零件的拉深成形方法及成形装置-CN201310473125.1无效
发明人：倪兴屹;邱超斌;段嘉庆 -专利权人：中航飞机股份有限公司西安飞机分公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种钣金零件的拉深成形方法及成形装置，含有成形凹模和成形凸模，成形凹模的成形槽内侧壁有一个可充气的橡皮囊结构，橡皮囊对板材零件提供一个来自于成形凹模内侧的柔性压力，缓解零件拉深成形断裂，甚至起到转移零件断裂区域的作用，将传统拉深模成形时安全区域作为传力区，提高材料的拉深成形性能。
一种零件成形方法装置

[发明专利]一种器件隔离结构及其制造方法、半导体器件-CN202210082284.8在审
发明人：勾鹏;钟灿;唐逢杰;左希然;潘铭;袁柳;张天翼;金桂东;陈妍君 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该制造方法包括：在衬底的第一区域进行第一离子注入形成埋层；在衬底的第二区域进行第二离子注入形成预参杂，第二区域围绕第一区域的外周设置，预参杂中的离子的热扩散能力大于埋层中的离子的热扩散能力；在衬底的设置有埋层和预参杂的一侧形成外延层；对应第二区域在外延层上进行第三离子注入形成深阱；进行热退火处理，使埋层、预参杂和深阱中的离子进行热扩散，而使埋层、预参杂和深阱依次连接，埋层、预参杂和深阱包围的内部区域为器件区域。
一种器件隔离结构及其制造方法半导体器件

[实用新型]透镜模组-CN202223239099.X有效
发明人：贾春辉;杨福臻;张佳宁 -专利权人：北京凌宇智控科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02B3/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种透镜模组，该透镜模组包括：显示源与第一透镜；所述第一透镜包括入光面和出光面，所述入光面包括第一区域与第二区域，其中，所述入光面为菲涅尔面，出光面为非球面；所述第一区域设置于所述入光面的中心位置，所述第二区域环绕所述第一区域设置，所述第一区域包括等深或等宽菲涅尔面，所述第二区域包括等深且等宽菲涅尔面。应用本实用新型提供的透镜模组可以解决传统等深菲涅尔面中齿宽随着口径增加快速变小和传统等宽菲涅尔面中齿深随着口径增加快速变大的情况，从而改善由于菲涅尔透镜边缘齿结构过密、过深导致的的衍射圆环和齿加工不良导致的炫光问题
透镜模组

[发明专利]一种提高铝合金板材深冲性能的加工方法-CN201710458213.2在审
发明人：袁鸽成;丁灿培;郭海斌;杨安宸 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： B21D22/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铝合金板材深冲性能的加工方法，包括步骤以深冲时与铝合金板材接触的凸模的外缘轮廓为加工路径，对所述铝合金板材的背面进行搅拌摩擦加工；利用所述凸模对所述铝合金板材进行深冲，且控制搅拌摩擦加工区域与所述凸模的外缘对准应用本发明提供的提高铝合金板材深冲性能的加工方法，对在凸模外缘直接作用的板材背面进行局部加工，形成一个封闭的搅拌摩擦加工区域，该区域内由于搅拌头所引入的强剪切形变促使板材形成强{111}面织构以及超细的等轴晶粒，能够有效抵抗冲压过程中的减薄效应及裂纹萌生，以局部加工的方式对深冲过程中板材的应力最集中处进行改性，提高铝合金板材单道次深冲量。
一种提高铝合金板材性能加工方法

[发明专利]一种枢纽大坝的基底施工方法-CN201610495602.8有效
发明人：倪志辉;吴立春;张绪进;郭毅 -专利权人：重庆交通大学
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种枢纽大坝的基底施工方法，包括先挖除中低水头坝直接持力层中的软弱地层，然后再按照中低水头坝的埋深对基底进行挖掘的施工步骤；其中，中低水头坝的埋深按以下步骤确定：a、根据工程设计要求，确定下游水深、护坦末端最大单宽流量以及上下游的水位差，初步计算中低水头坝的理论埋深；b、对坝下区域的基岩进行取样测试分析，获取基岩的抗冲流速；c、计算坝下区域在自然状态下的最大冲刷深度；d、根据坝下区域的冲刷深度对中低水头坝的理论埋深进行修正，确定中低水头坝的埋深为冲刷深度与理论埋深之和。本发明具有能够准确预知坝下局部冲刷的深度，合理布置水工建筑物的埋深，提高水电枢纽工程的使用寿命等优点。
一种枢纽大坝基底施工方法

[发明专利]一种中深孔爆破处理悬顶的方法-CN201510248024.3在审
发明人：王建军;李德忠;蔡立丰;汪玲娟;张立科;王永智;王志远;牟业龙;高闻宇 -专利权人：西北矿冶研究院
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： E21C41/16 文献下载
摘要：本发明属于矿山开采技术领域，具体涉及一种中深孔爆破处理悬顶的方法。本发明的方法为：在回采巷道的顶部岩层由悬顶区域向回采巷道内依次设置第一排、第二排、第三排中深孔，每排中深孔呈扇形排布构成扇形中深孔，第一排中深孔排面角为60°，第二排中深孔排面角为70°，第三排中深孔排面角为90°，第一排、第二排中深孔延伸至悬顶区域；向中深孔内充填炸药和毫秒延期导爆管，引爆炸药将悬顶崩落。
一种中深孔爆破处理方法

[发明专利]射频LDMOS器件及其制造方法-CN201310227240.0有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频LDMOS器件，在硅外延层中包括和沟道区掺杂类型相同的深阱，在纵向上深阱位于漂移区的底部和硅外延层的底部之间，在横向上深阱和所述深接触孔相接触、且深阱在横向上的覆盖的区域范围大于等于沟道区的在横向上的覆盖的区域范围；深阱的掺杂浓度根据射频LDMOS器件最高工作温度进行设置，深阱的掺杂浓度要求大于在最高工作温度时硅外延层产生的本征载流子浓度。本发明能避免器件高温下硅外延层的电势升高使得深接触孔漏电增加并使器件烧坏的缺陷，能提高器件的高温性能和可靠性。本发明深阱还能延伸到漂移区底部，对器件起到RESURF效果，能降低器件导通电阻。
射频 ldmos 器件及其制造方法

[实用新型]一种岩体悬顶中深孔拉底结构-CN202222626573.8有效
发明人：许发刚;覃顺平;谭宗华;叶青;吴刚;杨雪;葛程 -专利权人：四川会理铅锌股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： E21D9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种岩体悬顶中深孔拉底结构，涉及悬顶爆破领域，解决了现有的悬顶爆破技术在爆破悬顶上方矿区过厚而出矿量不佳的问题，包括巷道和矿石区；所述矿石区布置两排中深孔，分别为第一中深孔和第二中深孔；所述第二中深孔下端与所述悬顶区的水平距离为0.8米；每排所述中深孔为3个；所述第一中深孔远离所述巷道的一端距离上分层1.2米；所述第二中深孔远离所述巷道的一端距离上分层0.5米。本实用新型针对悬顶区上方先爆破远离上分层的区域，再爆破靠近上分层区域，并配合中深孔数量和各参数，使得在爆破悬顶区上方矿区过厚时，也能有效落矿，出矿量可提高两倍。
一种岩体悬顶中深孔拉底结构

[发明专利]散热型线路板的制备方法以及散热型线路板-CN202310223119.4在审
发明人：孙先成;陈绪东;周锋 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本申请公开了散热型线路板的制备方法以及散热型线路板，包括：获取到待处理板材；其中，待处理板材包括至少一个密集散热孔区域，密集散热孔区域包括密集排布的多个金属化通孔；在每个密集散热孔区域形成控深槽；对控深槽进行电镀；其中，电镀后的控深槽用于容置高功率器件。本申请利用控深槽底部密集排布的多个金属化通孔对高功率器件进行散热，能够在避免使用金属基工艺的情况下提高散热效率，从而降低了散热型线路板的制备难度，继而降低了制备成本。
散热线路板制备方法以及

[发明专利]高压隔离N型LDMOS器件的制造方法-CN201110305290.7有效
发明人：刘剑;段文婷;孙尧;陈瑜;陈华伦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压隔离N型LDMOS器件的制造方法，首先，通过在器件的P型阱区域及漏端区域两个不同区域下方分别注入较浓的N型离子，并且伴随强的深推阱工艺，形成两个较深的隔离的非常深N型阱，然后，采用较淡的注入条件，并且伴随弱的深推阱条件，形成两个较浅的连通的深N型阱，使在器件漏端漂移区形成浅的结深。
高压隔离 ldmos 器件制造方法

[发明专利]成形件制造方法-CN201780012929.8有效
发明人：中村尚文;山本雄大 -专利权人：日铁日新制钢株式会社
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B21D22/28 文献下载
摘要：本发明在通过包括至少一次拉深冲压加工和在该拉深冲压加工之后进行的至少一次拉深加工的成形加工来制造成形件时，拉深冲压加工所使用的冲头(31)的后端侧的宽度大于前端侧的宽度，通过将坯料金属板(2)与冲头(31)一起压入至压入孔(30a)，对坯料金属板的相当于凸缘部的区域进行减薄拉深加工，拉深加工使用模头和拉深套筒，将模头与拉深套筒的模具间隙设为固定地对在拉深冲压加工中进行了减薄拉深加工的区域进行加工。
成形制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010823232.2在审
发明人：山下茉莉子;小松香奈子;石井良明;篠原大辅 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备第一导电型的半导体基板、设于所述半导体基板上的第一导电型的半导体层、设于所述半导体基板与所述半导体层之间的第二导电型的第一半导体深区域、与所述第一半导体深区域一同包围所述半导体层的第一器件部分的第二导电型的第一保护环区域、与所述第一保护环区域以及所述第一半导体深区域相接并将所述第一器件部分划分为第一区域以及第二区域的第二导电型的第一分离区域、设于所述第一区域内的第一导电型的第一半导体区域、以及设于所述第二区域内的第一导电型的第二半导体区域
半导体装置

[发明专利]图像传感器-CN202210556606.8在审
发明人：朴海龙;崔性洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括具有多个像素区域的衬底和设置在像素区域之间的衬底中的深器件隔离图案。所述多个像素区域包括在第一方向和第二方向上彼此相邻的第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和第四像素区域。深器件隔离图案包括介于第一像素区域和第二像素区域之间以及第三像素区域和第四像素区域之间并且在第二方向上彼此间隔开的第一部分，以及介于第一像素区域和第三像素区域之间以及第二像素区域和第四像素区域之间并且在第一方向上彼此间隔开的第二部分第一像素区域包括第一延伸有源图案，第一延伸有源图案在第一方向上延伸到第二像素区域并且设置在深器件隔离图案的第一部分之间。
图像传感器

[发明专利]用于对玻璃片进行划线的方法和系统-CN201580029438.5有效
发明人： P·A·哈吉克;R·S·拉克卡;M·T·马萨罗;G·D·特雷切勒 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C03B33/02 文献下载
摘要：方法包括对玻璃片进行划线以形成玻璃片的经划线区域。经划线区域以纵向方向延伸，并且包括多个深划线部分和纵向位于相邻深划线部分之间的肩部分。沿着切断线切断玻璃片，所述切断线以横向方向延伸，所述横向方向基本垂直于纵向方向并且穿过经划线区域的肩部分。
用于玻璃片进行划线方法系统

[发明专利]一种计算区域地层升降幅度的方法及装置-CN201810555738.2在审
发明人：边瑞康;陈刚;胡宗全;聂海宽;杜伟;吴靖;冯动军;刘忠宝 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：公开了一种计算区域地层升降幅度的方法及装置。该方法及装置包括：对区域地层在构造运动前后的古埋深进行恢复，得到两期古埋深平面等值线分布图；对两期古埋深数据进行平面网格化处理，获得各个网格点的古埋深；根据各个网格点的古埋深，计算构造运动前后地层的绝对升降幅度本发明通过充分利用定量评价方法的优点，对区域地层的抬升与沉降幅度进行分析，在很大程度上提高了地层构造运动评价的广度和精确度。
构造运动升降幅度埋深地层区域地层网格点沉降幅度地层构造定量评价计算区域平面网格运动评价等值线分布图抬升升降地质恢复分析

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