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[发明专利]深松装置、系统、调节耕深的方法及控制耕深的方法-CN202110245746.9有效
发明人：何进;娄尚易;李洪文;王庆杰;卢彩云;张振国;刘鹏;林涵;杨文超 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： A01B49/02 文献下载
摘要：本发明提供一种深松装置、系统、调节耕深的方法及控制耕深的方法，涉及农业设备领域，深松装置包括机架、秸秆清理机构和深松机构，秸秆清理机构与所述机架的前梁连接，适于将检测区域的秸秆清理至检测区域的两侧；深松机构与所述机架的后梁连接，且位于所述秸秆清理机构的后方，适于检测至土壤表面的实时高度，并根据实时高度调节耕地深度，以使耕地深度等于所需耕深值。通过秸秆清理机构将检测区域的秸秆清理至检测区域的两侧，避免秸秆引起的检测误差；通过深松机构检测至土壤表面的实时高度，并根据实时高度调节耕地深度，以使耕地深度等于所需耕深值，保证深松作业全过程有效打破犁底层，同时降低功耗，获得最佳深松作业效果。
装置系统调节方法控制

[发明专利]一种全断面深孔注浆加固方法-CN202210049686.8在审
发明人：谭伟生;伍军;马浪波;康江坤;王鉴 -专利权人：中铁广州工程局集团有限公司;中铁广州工程局集团城轨工程有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： E21D9/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种全断面深孔注浆加固方法，属于隧道暗挖加固方法领域，其主要包括以下步骤：S1，开挖隧道暗洞洞口的端墙；S2，洞门的开挖轮廓线处设置管棚支护结构；S3，管棚支护结构的下方设置第一断面深孔注浆区域，在管棚支护结构的外围设置第二断面深孔注浆区域，分别在第一断面深孔注浆区域和第二断面深孔注浆区域进行深孔注浆。其中注浆方式为开一孔，注一孔，且同一区域内开孔及注浆过程在相邻圈周向注浆孔之间循环进行。本申请具有优化全断面深孔注浆加固方式，且能够有效提高全断面深孔注浆加固性能的效果。
一种断面深孔注浆加固方法

[发明专利]一种高压PMOS晶体管及其制备方法-CN201410179185.7在审
发明人：王钊 -专利权人：无锡中星微电子有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压PMOS晶体管，包括：埋层，其设置在晶圆上；P-衬底，其设置在所述埋层BN上；环状深N阱区域，其配置于所述P-衬底中；P阱区域，其由所述深N阱区域与所述埋层隔离出的空间构成并且被环状深N阱区域所包围；P+源极，其配置于所述环状深N阱区域中；P+漏极，其配置于所述P阱区域中；栅极，其设置在所述P-衬底之上。本发明提供的高压PMOS晶体管，能够省略深N阱区域中的漂移区层，从而节省了光刻步骤，从而降低芯片制备成本。
一种高压 pmos 晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201911044198.2有效
发明人：刘思杰;聂俊峰;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法，包括：对半导体衬底执行第一注入工艺以形成深p阱区域，利用扩散阻滞元素对半导体衬底执行第二注入工艺以形成共同注入区域，以及对半导体衬底执行第三注入工艺，以在深p阱区域上方形成浅p阱区域。共同注入区域通过浅p阱区域的一部分与半导体衬底的顶表面间隔开，并且深p阱区域和浅p阱区域彼此连接。形成n型鳍式场效应晶体管(FinFET)，其中深p阱区域和浅p阱区域用作n型FinFET的阱区域。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种基于背景分类的运动小目标检测方法和系统-CN201911191359.0有效
发明人：胡若澜;魏小林;刘璐;董斐;姜军 -专利权人：华中科技大学;北京航天计量测试技术研究所
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G06V20/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于背景分类的运动小目标检测方法和系统，其中方法包括：将图像中的地物深空混合背景分类为地物背景区域和深空背景区域，对地物背景区域图像基于多尺度空域显著特征的方法实现运动小目标检测，对深空背景区域图像基于不变矩特征的方法实现运动小目标检测，对地物和深空背景区域检测到的目标进行综合和多帧确认得到目标检测结果。系统包括背景分类模块、地物背景目标检测模块、深空背景目标检测模块和目标检测结果综合确认模块。本发明在地物深空混合背景下提高运动小目标检测率、降低运动小目标检测的虚警率。
一种基于背景分类运动目标检测方法系统

[发明专利]一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法-CN201711115543.8在审
发明人：张少锋;周仲建 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法，该结构包括从下至上依次层叠的下金属层、衬底和外延层，外延层上形成有深扩散区域，深扩散区域上形成有阱区，所述阱区上形成有浅层扩散区域，阱区上形成有沟道电阻区域，沟道电阻区域与深扩散区域和浅层扩散区域相连，外延层、阱区的导电类型与衬底的导电类型相同，浅层扩散区域、深扩散区域的导电类型与衬底的导电类型相反；浅层扩散区域上设置有功率缓冲二极管的另一电极，浅层扩散区域与电阻区域的连接部上设置有介质层，深扩散区域和阱区的连接部上设置有金属。
一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法

[发明专利]用于CMOS电路的单光子雪崩二极管-CN201180051428.3在审
发明人： E·A·G·韦伯斯特;R·K·亨德森 -专利权人：爱丁堡大学评议会;意法半导体(R&D)有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：公开用于在CMOS集成电路中使用的一种单光子雪崩二极管(400)，该单光子雪崩二极管SPAD包括：深n阱区域(406)，形成于p型衬底(402)上方；n阱区域(408)，形成于深n阱区域(406)上方并且与深n阱区域(406)接触；阴极接触(412)，经由重掺杂的n型注入物(410)连接到n阱区域(408)；轻掺杂的区域(428)，在n阱和深n阱区域周围形成防护环；p阱区域(416，422)，与轻掺杂的区域相邻；以及阳极接触(420，426)，经由重掺杂的p型注入物(418，424)连接到p阱区域；在深n阱区域的底部与衬底之间的结(414)，当在阳极与阴极之间施加适当偏置电压时结形成SPAD倍增区域，并且通过适当控制侧向掺杂浓度梯度来控制防护环击穿电压，从而击穿电压高于平面SPAD倍增区域的击穿电压。
用于 cmos 电路光子雪崩二极管

[发明专利]一种基于标准CMOS工艺的单光子级分辨率传感器单元结构-CN201410051972.3无效
发明人：卜晓峰;朱小茅;吴俊辉 -专利权人：苏州超锐微电子有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种基于标准CMOS工艺的单光子级分辨率传感器单元结构，该传感器单元结构使用一种单光子雪崩二极管(SPAD)，其基本结构包括：P型硅衬底(4)上方设有深N阱(3)；P阱区域(2)形成于深N阱(3)上方并且被深N阱(3)包住；阳极接触(9)通过重掺杂的P型区域(1)连接到P阱区域(2)；阴极接触(10)通过重掺杂的N型区域(5)连接到N阱区域(6)以及深N阱(3)；浅沟道隔离区域(7)位于P阱区域(2)和N阱区域(6)之间，将P阱与N阱隔离开；浅沟道隔离区域(7)一周设有P型掺杂的保护环(8)，以遏制浅沟道隔离中由于缺陷产生的暗噪声；在P阱区域(2)的底部与深N阱(3)之间的PN结(11)，当在阴极与阳极之间施加适当偏置电压时PN结产生高压区，形成SPAD倍增区域，以此来探测光子，并且通过控制深N阱(3)的浓度梯度使得PN结的边缘击穿电压高于SPAD的平面倍增区域的击穿电压。
一种基于标准 cmos 工艺光子分辨率传感器单元结构

[发明专利]色深变换、传输色深变换后图像的方法、系统和装置-CN200810119377.3有效
发明人：郭彦东;马君;骆晓亮;梅海波;严砥 -专利权人：中国移动通信集团公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H04N1/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种对图像进行色深变换的方法和装置，包括：确定图像中的第一色彩区域，并从所述第一色彩区域中选择一个主导性颜色分量，所述第一色彩区域为图像的显著性色彩区域；将所述图像的色深位数变换为设定的色深位数，其中，在变换后图像的第一色彩区域中，选择的所述一个颜色分量的色深位数不小于其他颜色分量的色深位数。通过本发明，使色深位数变换后的图像的色彩失真较小，更加接近原始图像。本发明还公开了利用获得的变换后的图像进行传输的方法、系统和装置。
变换传输图像方法系统装置

[发明专利]一种渐变类图像的分割方法、装置、设备及介质-CN202310187889.8在审
发明人：曹建伐;陈安;周才健;周柔刚;盛锦华;周卫华;王班;许允迪;肖廷哲 -专利权人：杭州汇萃智能科技有限公司;温州汇萃智能科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06T7/11 文献下载
摘要：本申请公开了一种渐变类图像的分割方法、装置、设备及介质，方法包括：获取包含渐变目标区域的待分割图像；将像素值小于第一阈值的区域记为第一深区域，将像素值大于第二阈值的区域记为第一浅区域，第一阈值小于第二阈值；分别将第一深区域向第一浅区域膨胀，和/或将第一浅区域向第一深区域膨胀，使得第一浅区域和第一深区域相交，得到分割后的图像。本申请得到的图像可以很好的分割出所需的渐变目标，且当第三区域中像素点的像素值与背景像素值相似时，采用本方案能够区分出目标像素值与背景像素值相似的区域。
一种渐变图像分割方法装置设备介质

[实用新型]NLDMOS器件、锂电保护器件、芯片及电子产品-CN202022856892.9有效
发明人：宋利军;张子敏 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其中实施例中NLDMOS器件包括BN区域；位于所述BN区域上方的N型阱区；位于所述N型阱区的深孔区域，所述深孔区域连接所述BN区域，且在所述深孔区域填充金属引出漏极，从而使得漏极N+区域与所述BN区域导通
nldmos 器件保护芯片电子产品

[实用新型]深松装置及系统-CN202120484717.3有效
发明人：何进;娄尚易;李洪文;王庆杰;卢彩云;张振国;刘鹏;林涵;杨文超 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： A01B49/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种深松装置及系统，涉及农业设备领域，深松装置包括机架、秸秆清理机构和深松机构，秸秆清理机构与所述机架的前梁连接，适于将检测区域的秸秆清理至检测区域的两侧；深松机构与所述机架的后梁连接，且位于所述秸秆清理机构的后方，适于检测至土壤表面的实时高度，并根据实时高度调节耕地深度，以使耕地深度等于所需耕深值。通过秸秆清理机构将检测区域的秸秆清理至检测区域的两侧，避免秸秆引起的检测误差；通过深松机构检测至土壤表面的实时高度，并根据实时高度调节耕地深度，以使耕地深度等于所需耕深值，保证深松作业全过程有效打破犁底层，同时降低功耗，获得最佳深松作业效果。
装置系统

[发明专利]一种潜水含水层水位水量协同控制的保水采煤方法-CN201611045182.X有效
发明人：范立民 -专利权人：陕西省地质环境监测总站
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： E21C41/16 文献下载
摘要：本发明涉及水文地质工程地质环境工程领域与采矿工程有一定的交叉，尤其涉及一种潜水含水层水位水量协同控制的保水采煤方法，包括如下步骤：先预测裂隙场对矿区潜水位埋深的影响分区；再对预测的潜水位消失区依据植被类型选择保水方法；再预测预测的潜水位埋深变化区煤层全厚综采沉降对潜水位埋深、埋深变化区煤层全厚综采越流对潜水位埋深和煤层全厚综采区域潜水含水层水均衡对潜水位埋深的影响，以及煤层全厚综采区域水均衡对潜水位埋深的影响总量；再将潜水位埋深变化区域分为适生类、高水位类和低水位类；再对潜水位埋深变化区域不同的分类采取不同的保水采煤方法；煤炭每开采一年，重复步骤五到八。
埋深潜水煤层潜水含水层保水采煤预测变化区域水位水量协同控制变化区水文地质工程均衡采矿工程地质环境工程领域影响分区植被类型沉降裂隙低水位高水位区域水消失区保水矿区煤炭分类重复

[发明专利]低电阻接触结构及其形成方法-CN201110145381.9无效
发明人：甯德雄;章贞 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在半导体器件中形成低电阻接触结构的方法，包括：在半导体衬底中形成掺杂的半导体区域；在所述掺杂的半导体区域的上部处形成深能级杂质区域；通过退火激活所述掺杂的半导体区域和所述深能级杂质区域二者中的掺杂剂；以及在所述深能级杂质区域之上形成金属接触以在其之间产生金属-半导体界面。
电阻接触结构及其形成方法

[发明专利]一种印制电路板中深微孔的制备方法及印制电路板-CN202310270747.8在审
发明人：李鹏杰;李智 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种印制电路板中深微孔的制备方法及印制电路板，其中，所述印制电路板中深微孔的制备方法包括：确定每个待钻孔区域的介质层厚度；根据所述介质层厚度计算每个所述待钻孔区域的机械钻孔深度；根据每个所述待钻孔区域的所述机械钻孔深度分别对每个所述待钻孔区域进行机械钻孔，使每个深微孔的剩余介质层的厚度相同；对每个所述深微孔的剩余介质层进行激光烧蚀，得到所述深微孔。
一种印制电路板微孔制备方法