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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]采用海上流动实验室系统对深渊进行考察作业的方法-CN202011554396.6有效
发明人：崔维成;王芳;姜哲;潘彬彬;张建;宋婷婷 -专利权人：上海海洋大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B63B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大大提高作业效率及安全性的采用海上流动实验室系统对深渊进行考察作业的方法，其中海上流动实验室系统包括带有分析实验室的母船、无人深潜器、载人深潜器、若干可连接取样机器人的带有声学定位系统的着陆器；其具体作业包括以下步骤：第一步：无人深潜器大范围扫测目标海域，以筛选出目标区域；第二步：着陆器的布放与水下定位系统的建立，以作为载人深潜器与无人深潜器水下定位的保障；第三步：无人深潜器与载人深潜器的布放与水下定位通信及作业；第四步：无人深潜器与载人深潜器上浮；第五步：无人深潜器与载人深潜器的回收与着陆器上浮。
采用海上流动实验室系统深渊进行考察作业方法

[实用新型]生态河道缓冲带-CN202220234193.7有效
发明人：王欢欢;王忆钦;朱伟强 -专利权人：浙江江河建设有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： E02B3/06 文献下载
摘要：本申请涉及生态护坡的技术领域，特别涉及一种生态河道缓冲带，该生态河道缓冲带包括河堤和护坡，河堤上设有由深根系乔木沿河道方向种植形成的深根系乔木区，护坡上设有由深根系灌木沿河道方向种植形成的深根系灌木区；河堤和护坡间连接区域设有深根槽，深根槽的槽底设有由深根系乔木种植形成的乔木深根污染拦截区。本申请通过深根系乔木区和深根系灌木区的设置，可以通过植株的根系起到固化而达到防护的效果，而由于护坡是倾斜的，因此通过种植更深的深根系乔木形成乔木深根污染拦截区，可以增加垂直于护坡方向的根系厚度，因此，能够进一步增加防护效果
生态河道缓冲

[发明专利]一种用于濒海区域较浅基坑的轻型井点降水施工方法-CN201210525157.7有效
发明人：尚宁洲 -专利权人：五冶集团上海有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： E02D19/10 文献下载
摘要：一种用于濒海区域较浅基坑的轻型井点降水施工方法，其特征在于该用于濒海区域较浅基坑的轻型井点降水施工方法所述抽水泵采用深吸高压喷射泵（10），其水平向安装在各弯连管（8）和集水总管（9）之间；所述深吸高压喷射泵（10）在抽水期间不停电连续进行抽水，在抽水过程中经常检查和调节深吸高压喷射泵（10）的出水阀门以控制流水量；如果死井数量超过10%，要及时采取措施，采用高压水反复冲孔冲洗处理。本发明的用于濒海区域较浅基坑的轻型井点降水施工方法具有方法简单，施工简便，降水效果十分明显，保证项目顺利实施，工程费用低廉和经济效益好的优点。
一种用于濒海区域基坑轻型降水施工方法

[发明专利]一种大埋深缓倾斜煤层区域的综合防突方法-CN201710568623.2有效
发明人：宋卫华;赵春阳;史苗壮;韩彦龙 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： E21F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大埋深缓倾斜煤层区域的综合防突方法，涉及煤矿安全技术领域。一种大埋深缓倾斜煤层区域的综合防突方法，通过对大埋深缓倾斜煤层回采工作面机巷先实施防突措施再对回采工作面实施防突措施，既实现了对掘进工作面的瓦斯进行了抽采也实现了对回采工作面的瓦斯进行了抽采，能够防治工作面开采过程中瓦斯超限的问题同时，实施防突措施后进行的防突效果检验和区域验证保证了防突措施的瓦斯治理效果，保障了有突出危险煤层的安全开采。
一种大埋深缓倾斜煤层区域综合方法

[发明专利]一种深腔体钛标记装置-CN201611264427.8有效
发明人：方敏捷;周亚燕;李隆兴;江将 -专利权人：方敏捷;周亚燕;李隆兴;江将
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： A61B90/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种深腔体钛标记装置，包括内窥镜、进钛机构、刺针、弹射机构，进钛机构和弹射机构设置于内窥镜内，内窥镜包括手柄部和用于伸入深腔体内的头端，刺针与弹射机构之间设有弹射位，进钛机构的出钛口设置于弹射位且用于向弹射位输送钛粒，刺针设置于头端，刺针设置有连通弹射位的导向孔且刺针用于刺入人体深腔体的病变区域边缘并引导经弹射机构弹射的钛粒沿导向孔射入人体组织内。钛粒注入人体组织内，能够稳定无害的存留于人体内，针对该肿瘤区域可多次使用，经CT扫描后清晰准确的定位肿瘤区域，在治疗中观测治疗效果，在复查时观测瘤床变化及早发现肿瘤复发的可能。
一种深腔体钛标记装置

[发明专利]能检测水稻种质耐深播情况的筛选装置-CN202210380602.9有效
发明人：王亚;王付华;王越涛;杨文博;付景;尹海庆;王生轩;白涛 -专利权人：河南省农业科学院粮食作物研究所
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： A01C7/00 文献下载
摘要：本发明涉及稻种科研设备技术领域，具体提供了一种能检测水稻种质耐深播情况的筛选装置，包括：数据采集模块，用于采集试验稻种的基础数据、播种区域数据以及稻种播种后的出芽数据；稻种标识模块，根据基础数据进行试验稻种特征识别，并对各稻种进行分类标记；播种区域规划模块，用于根据播种区域数据进行播种规划；播种机构，用于根据播种规划将分类标记后的稻种进行播种；种质分析模块，用于根据稻种的分类标记和出芽数据，分析筛选出耐深播的稻种及其稻种特征本发明可用于筛选耐深播出苗率高的优良稻种的研究，可减少研究中的影响因素，简化分析。
检测水稻种质耐深播情况筛选装置

[实用新型]一种深腔体钛标记装置-CN201621491940.6有效
发明人：方敏捷;周亚燕;李隆兴;江将 -专利权人：方敏捷;周亚燕;李隆兴;江将
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： A61B90/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种深腔体钛标记装置，包括内窥镜、进钛机构、刺针、弹射机构，进钛机构和弹射机构设置于内窥镜内，内窥镜包括手柄部和用于伸入深腔体内的头端，刺针与弹射机构之间设有弹射位，进钛机构的出钛口设置于弹射位且用于向弹射位输送钛粒，刺针设置于头端，刺针设置有连通弹射位的导向孔且刺针用于刺入人体深腔体的病变区域边缘并引导经弹射机构弹射的钛粒沿导向孔射入人体组织内。钛粒注入人体组织内，能够稳定无害的存留于人体内，针对该肿瘤区域可多次使用，经CT扫描后清晰准确的定位肿瘤区域，在治疗中观测治疗效果，在复查时观测瘤床变化及早发现肿瘤复发的可能。
一种深腔体钛标记装置

[发明专利]一种应用于水文地质勘查场景下的安全预警方法和系统-CN202310415449.3在审
发明人：曹虎生;杨甫;朱占荣;马丽 -专利权人：陕西省一八五煤田地质有限公司;陕西省煤田地质集团有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F18/2321 文献下载
摘要：所述方法包括：在抽水试验过程中，绘制观测孔的降深值点以获取对应的降深变化曲线，其中，所述降深变化曲线包括降深转折点；以所述降深转折点为固定聚类中心，对降深值点进行聚类分析，确定该降深变化曲线中部区域的弯曲曲线
一种应用于水文地质勘查场景安全预警方法系统

[发明专利]一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法-CN201610321875.0有效
发明人：杜蕾 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/8248 文献下载
摘要：本发明提供了一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法，该制作方法包括：在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区；在深N阱区内进行P阱光刻，形成第一P阱区域和第二P阱区域，其中，第一P阱区域为寄生型N PN三极管的P阱区域，第二P阱区域为BCD板上其他器件的P阱区域；在第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，其中，相邻的遮盖区域之间的区域为未遮盖区域，第二P阱区域表面均为未遮盖区域；通过未遮盖区域对第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入。
一种 bcd 工艺寄生 npn 三极管制作方法

[实用新型]一种注水自封口膜袋-CN202022833823.6有效
发明人：陆海华 -专利权人：博世勒自动化科技（昆山）有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B65D30/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种注水自封口膜袋，包括由两层塑胶膜经热压压制而成的袋体，在袋体上端设置注水口，每层所述塑胶膜上均设有第一热合区域和第二热合区域，所述第一热合区域和第二热合区域分别分布在塑胶膜的两侧，该第一热合区域包括沿袋深方向设置在第一竖直热合区域和1个或多个分布在竖直热合区域的第一斜型热合区域，所述第一斜型热合区域为斜向下结构；该第二热合区域包括沿袋深方向设置在第二竖直热合区域和1个或多个分布在竖直热合区域的第二斜型热合区域，所述第二斜型热合区域为斜向下结构；当存在多个斜型热合区域时，每个斜型热合区域从上至下依次错开但不接触设置在塑胶膜上，形成蛇形注水通道。
一种注水封口

[发明专利]一种人工林地下水合理埋深估算方法-CN201210431508.8有效
发明人：王让会;宁虎森;徐德福;李琪;张慧芝;卢筱莉;吴明辉;左成华 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工林地下水合理埋深估算方法，属于林业生态工程技术、环境监测技术交叉的技术领域。本发明方法包括以下步骤：在人工林的不同区域，在具有代表人工林区不同地貌、土壤、植物及其生长状况背景下的小区域中确定多个地下水采样点；测量各地下水采样点的实际地下水埋深；采集各地下水采样点所对应样地的植被类型及其生长状况级别；根据所采集的信息，得到一组特定样地背景下保障植被正常生长的地下水合理埋深，进而估算出人工林地下水合理埋深。本发明为人工植被背景下的地下水埋深定量核算提供了新的模式与途径，可为实现人工林的可持续管理提供合理有效的依据。
一种人工林地下水合理估算方法

[发明专利]光检测设备和光检测系统-CN201710628241.4有效
发明人：森本和浩;池田一;岩田旬史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：光电转换部分具有配置有不同导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的PN结。埋入部分被埋入半导体基板中并且包含电极和被定位在电极与半导体基板之间且与第二半导体区域接触的电介质构件。第二半导体区域被定位在比第一半导体区域深的位置中。埋入部分被定位为从第一表面延伸到比第一半导体区域深的位置。以在电极与第二半导体区域之间出现的反型层和第一半导体区域彼此接触的方式，电势被供应到第一半导体区域、第二半导体区域和电极。
检测设备系统

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201380071355.3有效
发明人：西村信也;副岛成雅;山本建策 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具有第一导电型的接触区域、第二导电型的主体区域、第一导电型的漂移区域、沟槽、绝缘膜、栅电极以及第二导电型的浮置区域。沟槽从半导体基板的表面贯通接触区域以及主体区域而形成，其底部位于漂移区域内。绝缘膜覆盖沟槽的内面。栅电极以被绝缘膜覆盖的状态收纳于沟槽内。浮置区域设置于漂移区域内的比沟槽的底部深的位置，并且与沟槽的底部相邻。浮置区域具有与沟槽的底部相邻的第一层以及设置于比第一层深的位置的第二层。第一层的宽度宽于第二层的宽度。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]目标提取方法及装置-CN201711249429.4在审
发明人：吕春雷;冯强;耿爱辉;曹立华 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G06T7/70 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种目标提取方法及装置，选用尺寸小于10*10像素的滑动窗口，按照预置滑动方式在具有深空背景的图像上滑动，以对图像中的部分具有上述尺寸的区域进行遍历，并计算所遍历的每个区域内所有像素的亮度之和；将和值最大的区域确定为目标所在的区域。由于每个区域的尺寸小于10*10像素，因此，该区域内一般不会存在能量不均匀问题，因而本方法基本不会受到光学系统的成像不均匀性的影响，而椒盐噪声的尺寸小于2*2像素，且分布较分散，因此，计算该区域内的亮度和可以有效抑制椒盐噪声对提取目标的影响从而实现从深空背景的图像中稳定提取目标。
目标提取方法装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610149406.1无效
发明人：大竹诚治;神田良;菊地修一 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，其所要解决的问题是在以往的半导体装置中，由于集电极区域形成得宽，故难以缩小设备尺寸。本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(2)上层叠N型外延层(4)。在外延层(4)上形成作为基极引出区域的N型扩散层(5)、作为发射极区域的P型扩散层(6、7)、作为集电极区域的P型扩散层(8、9)。发射极区域在其深向部位具有比其表面附近的扩散宽度宽的区域，横型PNP晶体管(1)在外延层(4)深向部位形成最小基极宽度。根据该构造，在缩小集电极区域的情况下也能够得到希望的hfe值。
半导体装置及其制造方法

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