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[发明专利]一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构-CN202010557689.3在审
发明人：曾嵘;任春频;刘佳鹏;陈政宇;余占清;赵彪 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，包括：由所述芯片的中心径向朝向所述芯片的边缘依次设置的平面结构区域和边缘深结区域，所述平面结构区域和边缘深结区域均包括相互贴合的第一层结构和第二层结构；在所述边缘深结区域中，所述第二层结构沿着所述晶圆芯片结构的厚度方向朝向所述第一层结构加厚成为边缘深结结构。
一种具有边缘结构芯片

[实用新型]一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构-CN202021141255.7有效
发明人：曾嵘;任春频;刘佳鹏;陈政宇;余占清;赵彪 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，包括：由所述芯片的中心径向朝向所述芯片的边缘依次设置的平面结构区域和边缘深结区域，所述平面结构区域和边缘深结区域均包括相互贴合的第一层结构和第二层结构；在所述边缘深结区域中，所述第二层结构沿着所述晶圆芯片结构的厚度方向朝向所述第一层结构加厚成为边缘深结结构。
一种具有边缘结构芯片

[发明专利]一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法-CN201110403893.0有效
发明人：张正选;刘张李;胡志远;宁冰旭;毕大炜;陈明;邹世昌 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述顶部区域及底部区域添加不同的等效模拟电荷获得与测试数据拟合的模拟数据，以确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，从而确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。本方法步骤简单，能较准确的模拟深亚微米器件总剂量辐射效应，并能反应总剂量辐射效应对器件不同部位的影响，为器件的抗总剂量辐射效应的加固提供可靠的依据。
一种用于分析微米器件剂量辐射效应方法

[发明专利]防孔铜剥离控深锣加工工艺-CN202011500525.3在审
发明人：廖海军;唐兵英 -专利权人：广州添利电子科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了防孔铜剥离控深锣加工工艺，制作PTH孔加工流程：来料检查、刨床、核对资料进行深度调整、首板检查、批量制作；PCB控深锣机的锣加工程序资料中锣带位置，针对控深锣区域内的PTH孔，每类孔径增加一个控深锣T；每类孔径增加的控深锣T，排一把比孔径大0.2—0.3mm的平底锣刀；每类孔径增加的控深锣T，锣深深度比锣台阶深度设定深2—3mil；PCB控深锣机的锣加工程序资料中，针对控深锣区域内的PTH孔，每个孔增加一个控深锣X/Y坐标；PCB控深锣机的锣加工程序资料中，增加的锣PTH孔的控深锣T，需全部放在锣台阶的锣控深锣T前。本发明具有控深锣区域的PTH孔壁铜平整、牢固，不再有铜披锋、脱落缺陷的优点。
防孔铜剥离控深锣加工工艺

[发明专利]一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法-CN201410174912.0有效
发明人：张立;何军;张大成;黄贤;赵丹淇;王玮;杨芳;田大宇;刘鹏;李婷;罗葵 -专利权人：北京大学;北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G01B7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
一种利用电流变化检测刻蚀方法

[发明专利]一种检测大马士革结构导电性的方法-CN201811058349.5有效
发明人：胡航标;周伦潮 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种检测大马士革结构导电性的方法，包括：提供具有器件区域和外围区域的半导体结构，包括衬底，于衬底上依次形成导电层、介电层；步骤S1、于半导体结构的器件区域开设第一深孔，同时于半导体结构的外围区域开设第二深孔，第一深孔与第二深孔均穿过介电层以暴露导电层；步骤S2、于第一深孔的顶部开设第一沟槽，以形成大马士革结构；同时，于半导体结构的外围区域开设独立于第二深孔的第二沟槽；步骤S3、于大马士革结构、第二深孔及第二沟槽内填充金属，并进行平坦化处理；步骤S4、以电子束扫描大马士革结构、第二深孔及第二沟槽，以判断大马士革结构的电性连接情况。
一种检测大马士革结构导电性方法

[发明专利]一种控深铣定位方法以及印刷电路板-CN201110446896.2有效
发明人：陈显任;廖良红;陈鑫;胡永栓 -专利权人：北大方正集团有限公司;珠海方正科技高密电子有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种控深铣定位方法，包括如下步骤：在待控深铣的印刷电路板(1)上设定控深区域(3)；在该控深区域(3)周围的印刷电路板上设置多个定位孔(4)；对应所述定位孔(4)设置定位件(5)，并通过所述定位件(5)将待控深铣的印刷电路板(1)固定在控深铣加工设备的机台(2)的平整台面上。相应地，提供一种应用上述定位方法对其上的控深区域进行定位的印刷电路板。本发明所述的控深铣定位方法以及应用上述定位方法的印刷电路板能够解决了现有技术中因印刷电路板出现局部板翘而引起的控深铣精度不高的问题，提高了印刷电路板的控深铣精度。
一种控深铣定位方法以及印刷电路板

[发明专利]多层电容元件以及多层电容元件的设计方法-CN202010472946.3在审
发明人：陈骏盛 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：电容元件包括具有凹槽基板、第一深宽比调制结构以及多个导电层及多个介电层。第一深宽比调制结构位于所述凹槽中，以将所述凹槽定义为第一区域以及第一调制区域，其中所述第一调制区域的深宽比与所述第一区域的深宽比不同。多个导电层及多个介电层交替地堆叠于所述凹槽中。
多层电容元件以及设计方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200680012024.2有效
发明人：简·桑斯基 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法，其中通过在第一深腐蚀区域18的基底上形成第二深腐蚀区域120，在该第二深腐蚀区域120的基底上沉积绝缘体124，以及然后从该第二深腐蚀区域的侧壁而非由绝缘体124进行保护的基底横向蚀刻空穴
半导体器件及其制造方法

[发明专利]研磨垫、研磨垫的制造方法以及研磨方法-CN202080039388.X在审
发明人：加藤充;菊池博文;冈本知大;加藤晋哉 -专利权人：株式会社可乐丽
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：一种研磨垫，其包括具有研磨面的研磨层，研磨面具备：深槽区域，其具有由深度0.3mm以上的深槽或孔形成的第一图案；台面区域，其是除深槽区域以外的区域；台面区域具有：深度0.01～0.1mm的浅凹陷，其具有第二图案
研磨制造方法以及

[发明专利]深浅孔组合爆破预裂方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310488253.7在审
发明人：张广辉;蒋军军;邓志刚;赵善坤;田宇飞;任伟光;段卓然;张宁博;苏振国 -专利权人：煤炭科学技术研究院有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： F42D1/00 文献下载
摘要：包括：确定待爆破采煤矿区对应的第一爆破子区域和第二爆破子区域，以及爆破炸药的属性信息，并确定爆破深孔的深孔深度和爆破浅孔的浅孔深度，爆破深孔和爆破浅孔的连线方向与巷道的巷道轴向相同，深孔深度大于浅孔深度，再根据属性信息，在第一爆破子区域中开设至少一个爆破深孔和多个爆破浅孔，并在第二爆破子区域中开设至少两个爆破浅孔和多个爆破深孔，以及根据属性信息，深孔深度和浅孔深度，在爆破深孔和爆破浅孔中设置爆破物料和爆破炸药
深浅组合爆破方法装置电子设备存储介质

[发明专利]虚拟现实显示设备、主机设备、系统及数据处理方法-CN202011270953.1在审
发明人：李文宇;苗京花;陈丽莉;张浩;宗少雷;段欣;孙继刚;孙伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种虚拟现实显示设备、主机设备、系统及数据处理方法，该虚拟现实显示设备包括：显示面板和驱动芯片，驱动芯片包括第一处理模块和驱动模块，第一处理模块被配置为对虚拟现实主机设备中的第二处理模块发送的具有第三色深的待解码图像进行解码处理，获得具有第一色深的第一图像和具有第二色深的第二图像，第三色深大于或者等于第一色深，第二色深小于第一色深；驱动模块被配置为生成第一图像对应的第一数据电压和第二图像对应的第二数据电压；向显示面板中的注视区域施加第一数据电压并向非注视区域施加第二数据电压，以驱动显示面板在注视区域中以第一色深显示图像并在非注视区域中以第二色深显示图像。
虚拟现实显示设备主机系统数据处理方法

[发明专利]基于分区多级深冷处理的零件制备方法及设备-CN202210837481.6有效
发明人：王新云;丁华平;唐学峰;牛勇;邓磊;龚攀;张茂;金俊松 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明属于深冷处理相关技术领域，其公开了一种基于分区多级深冷处理的零件制备方法及设备，包括以下步骤：(1)通过神经网络建立多级深冷工艺参数‑微观组织‑性能之间的非线性映射关系；(2)将目标零件划分为多个子区域，反推出各个子区域所需的多级深冷处理参数，进而获得目标零件内部对应的一系列深冷工艺参数分布组合；(3)对分区多级深冷处理过程进行高通量数值模拟，以确定目标零件内部不同区域的最佳深冷处理参数组合；(4)对待处理零件进行分区独立式的深冷处理本发明解决了现有技术中对零件深冷处理的适用性不强、工艺复杂的技术问题。
基于分区多级冷处理零件制备方法设备

[发明专利]一种填充方法及设备-CN202111392537.3在审
发明人：康赐俊;邱泰玮;沈鼎瀛;单利军;刘宇;张雅君 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种填充方法，应用于元件，元件至少为两个，元件连接在衬底层上，两个相邻的元件与衬底层围合形成有一个第一凹槽区域，方法包括：获取与第一凹槽区域对应的第一深宽比；当第一深宽比超过指定阈值的情况下，在第一凹槽区域中沉积与第一深宽比对应的第一填充层，以使元件与第一填充层围合形成第二凹槽区域；获取与第二凹槽区域对应的第二深宽比；当第二深宽比不超过指定阈值的情况下，沉积第一覆盖层，以使第一覆盖层和第一填充层将元件完全覆盖
一种填充方法设备

[发明专利]用于有多个喷涂区域面的窄深槽型面热喷涂方法-CN201210555040.3有效
发明人：黎红英;夏至;肖康宁;黄勋;张军 -专利权人：四川成发航空科技股份有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于有多个喷涂区域的窄深槽型面热喷涂方法，其主要内容包括：根据模拟的窄深槽不同喷涂区域型面，确定不同喷涂区域型面对应的喷枪喷涂行走路径，以保证每个喷涂区域都能以最大的喷涂角度喷涂，保证涂层质量和沉积效率；根据窄深槽不同喷涂区域型面涂层厚度要求，确定喷涂不同喷涂区域型面的喷枪喷涂行走路径的行走参数，以控制涂层厚度；对于喷枪难以直接喷涂到的槽型面转接过渡区域，通过将喷涂焰流喷射至喷涂焰流经反弹能喷涂于该过渡区域的型面，利用焰流反弹对该转接过渡区域型面进行喷涂。采用本发明的方法对窄深槽型面进行喷涂，各喷涂区域涂层厚度控制稳定，涂层质量好，重复性高。
用于有多个喷涂区域窄深槽型面热方法