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[实用新型]一种玉米浅掩式地表滴灌装置-CN201621357165.5有效
发明人：谷健;尹光华;郭金路;费振敏;胡波;刘莉;张洪文;刘玉成;张晓红;韩彦红;李墨染;高庆新;宝琴;李伟;杨阳;于久全 -专利权人：中国科学院沈阳应用生态研究所
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： A01G25/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及农业灌溉应用领域中的灌溉装置，具体地说是一种玉米浅掩式地表滴灌装置，支管A、支管B及浅掩式滴灌带均埋设在土壤表层下方，在土壤表层的上方种植有玉米植株，支管A通过滴灌主管与位于水井中的水泵相连通，在滴灌主管上连通有施肥罐；支管A上连通有多根支管B，每根支管B上沿长度方向均连通有多根浅掩式滴灌带；水泵泵出的水及施肥罐中的肥液依次流经滴灌主管、支管A、支管B后流向各浅掩式滴灌带，并通过浅掩式滴灌带滴灌玉米植株
一种玉米浅掩式地表滴灌装置

[发明专利]埋入式栅极结构及其制作方法-CN201910964559.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种埋入式栅极结构及其制作方法。埋入式栅极的制作方法包括：提供具有浅沟槽隔离结构和平行交错设置的多个有源区的半导体衬底；形成并图案化硬掩膜层，形成穿过浅沟槽隔离结构的栅极沟槽图案；以硬掩膜层为掩膜，采用脉冲式偏压功率输出模式对半导体衬底进行刻蚀，形成延伸穿过多个有源区和浅沟槽隔离结构的栅极沟槽，栅极沟槽在多个浅沟槽隔离结构内的深度的差值小于预设值。本发明基于脉冲式偏压功率输出模式形成栅极沟槽时，增大了刻蚀产物的排出时间，以使较窄的浅沟槽隔离结构中的刻蚀产物能够及时排出，进而减小栅极沟槽在多个浅沟槽隔离结构内的深度的差值，进而增大栅极电流。
埋入栅极结构及其制作方法

[发明专利]浅沟槽及其制造方法和浅沟槽隔离结构-CN200910045977.4有效
发明人：韩秋华;王新鹏;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及浅沟槽及其制造方法和浅沟槽隔离结构。其中，浅沟槽的制造方法包括步骤：提供具有掩膜层的半导体衬底；刻蚀所述掩膜层，使得所述掩膜层在平行于浅沟槽宽度方向上的截面为长方形或正方形；以所述掩膜层为掩膜，利用含卤素的等离子体在半导体衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽的侧壁在其宽度方向的截面上内凹。与现有技术相比，本发明形成侧壁内凹的浅沟槽结构，更方便浅沟槽的填充。并且，利用截面为长方形或正方形的掩膜层作为刻蚀浅沟槽的掩膜，可以使得浅沟槽的原始设计尺寸与实际制造尺寸之间的偏差均一。
沟槽及其制造方法隔离结构

[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法-CN201410275989.7在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，在一半导体衬底上形成用于定义栅极的栅极硬掩膜以及围绕在所述栅极硬掩膜侧面的侧墙硬掩膜，通过利用侧墙硬掩膜作为自对准硬掩膜，先对半导体衬底形成具有倾斜侧面的第一鳍式结构，然后在第一鳍式结构之间形成浅沟槽隔离，接着移除侧墙硬掩膜，进行第二次刻蚀，最终获得了上下宽度不同的鳍式场效应晶体管，由于在填充氧化层形成所述浅沟槽隔离时第一鳍式结构的侧面为倾斜斜面，从而增加了填充工艺窗口
场效应晶体管制造方法

[发明专利]浅沟槽制作方法-CN200810112501.3有效
发明人：周鸣;沈满华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽制作方法，包括步骤：提供表面覆盖有掩膜结构的半导体衬底，所述掩膜结构上形成有暴露半导体衬底的掩膜沟槽；以掩膜结构为掩膜，在半导体衬底上刻蚀出与掩膜沟槽对应的衬底沟槽；在掩膜结构表面形成保护层，且保护层填满掩膜沟槽和衬底沟槽；刻蚀保护层，直至暴露掩膜结构且未暴露半导体衬底；刻蚀保护层、掩膜结构和半导体衬底，直至半导体衬底沟槽的顶角形成目标圆角。本发明在浅沟槽的尺寸较小时，也能形成圆滑的浅沟槽顶角，避免了现有技术应用在小尺寸浅沟槽时形成的顶角圆滑程度不够的缺陷，从而改善了浅沟槽隔离的电学性能表现，进而减轻浅了沟槽隔离的漏电现象。
沟槽制作方法

[发明专利]一种嵌入式闪存及其制造方法和电子装置-CN201510670125.X有效
发明人：陈建奇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式闪存及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构以及通过浅沟槽隔离结构相隔离的若干有源区；形成覆盖若干有源区的第一浮栅材料层；回蚀刻部分的浅沟槽隔离结构，以形成开口；沉积形成硬掩膜层，以填充开口；去除第一浮栅材料层，以暴露半导体衬底的顶面以上的浅沟槽隔离结构的侧壁；回蚀刻暴露的浅沟槽隔离结构的侧壁；沉积第二浮栅材料层，并平坦化第二浮栅材料层停止于硬掩膜层的表面上，以形成浮栅；去除硬掩膜层和浅沟槽隔离结构高于半导体衬底的部分根据本发明的嵌入式闪存的制造方法，可以显著增加浮栅和控制栅之间的接触面积，提高了器件的耦合比。
一种嵌入式闪存及其制造方法电子装置

[发明专利]浅槽隔离结构的制作方法-CN200910196128.9无效
发明人：易亮 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明的浅槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层以形成一开口；淀积氧化层，并通过刻蚀去除部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，此时浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，所述浅沟槽的顶部尖角在这个过程中得以被充分圆化，同时部分多晶硅缓冲掩膜层被线形氧化物氧化，并形成自对准牺牲氧化物；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除硬掩膜层、多晶硅缓冲掩膜层和衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。
隔离结构制作方法

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201310745732.9有效
发明人：居建华;施雪捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，覆盖所述半导体衬底的硬掩膜层，所述硬掩膜层定义出鳍式场效应管的鳍部；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的半导体衬底，形成鳍部；形成覆盖所述鳍部的隔离层，所述隔离层表面与所述硬掩膜层表面齐平；以所述硬掩膜层和隔离层为掩膜，向所述半导体衬底内掺杂形成阱区和防穿通区，所述防穿通区位于鳍部底部；形成阱区和防穿通区之后，刻蚀部分厚度的隔离层，形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的表面低于所述鳍部顶部形成的鳍式场效应管的防穿通效果、鳍部的质量以及阱区的隔离效果均较好，有效提高了鳍式场效应管的性能稳定性。
鳍部硬掩膜层效应管鳍式场衬底穿通半导体隔离层阱区浅沟槽隔离结构刻蚀掩膜隔离层表面性能稳定性表面齐平隔离效果覆盖掺杂

[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法-CN200710094466.2有效
发明人：刘乒;陈海华;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成掩膜层，所述掩膜层上形成有与浅沟槽位置对应的开口；以掩膜层为罩幕，沿开口刻蚀腐蚀阻挡层至露出垫氧化层；以掩膜层和腐蚀阻挡层为罩幕，刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；去除掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明还提供一种形成浅沟槽的刻蚀方法。本发明在腐蚀阻挡层上形成刻蚀过程中保护腐蚀阻挡层的掩膜层，使刻蚀气体对腐蚀阻挡层不会产生影响，腐蚀阻挡层的厚度也不发生变化，从而使浅沟槽隔离结构的隔离效果提高。
形成沟槽隔离结构方法刻蚀

[发明专利]浅沟槽隔离化学机械平坦化方法-CN201210122037.2有效
发明人：何卫;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；光刻/刻蚀硬掩膜层形成硬掩膜图形；以硬掩膜图形为掩膜刻蚀衬底形成浅沟槽；在硬掩膜层上以及浅沟槽内沉积绝缘层，其中不同区域内的绝缘层顶部存在高度差；在绝缘层上形成共形的保护层；化学机械平坦化绝缘层以及保护层，直至露出硬掩膜层。依照本发明的浅沟槽隔离化学机械平坦化方法，通过在氧化物顶部额外施加的保护层，防止了浅沟槽区域内处于谷部的氧化物被过度移除，从而有效地提高了台阶高度的均匀性。
沟槽隔离化学机械平坦方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法-CN200810041371.9无效
发明人：罗飞;朱虹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法，其中CMOS图像传感器形成方法，包括：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有阻挡层；刻蚀阻挡层，形成浅沟槽图形；在阻挡层上形成掩膜层；在掩膜层上形成光刻胶层后，去除外围电路区的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，去除外围电路区的掩膜层；去除像素单元区的光刻胶层后，沿浅沟槽图形刻蚀掩膜层和半导体衬底，分别在像素单元区形成第一浅沟槽，外围电路区形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深；在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层后，去除掩膜层和阻挡层；在外围电路区和像素单元区半导体衬底上形成晶体管。本发明保证了浅沟槽的隔离功能。
cmos 图像传感器及其形成方法半导体器件

[发明专利]一种改善存储区浅槽线平整度的方法-CN201810394694.X在审
发明人：薛广杰;胡华;李赟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明包括一种改善存储区浅槽线平整度的方法，用于嵌入式闪存在浅槽图形化的过程中，包括：步骤S1提供半导体衬底，于半导体衬底上依次覆盖氧化层、氮化层；步骤S2于氮化层上依次沉积第一硬掩膜层、第二硬掩膜层，于第二硬掩膜层上旋涂光刻胶层；步骤S3图形化光刻胶层，以打开用以形成浅槽的工艺窗口；步骤S4、修复光刻胶层上工艺窗口侧壁不平整的区域；步骤S5、以光刻胶层为掩膜刻蚀第二硬掩膜层，以于第二硬掩膜层中形成暴露第一硬掩膜层的沟槽有益效果：增加第一硬掩膜层与第二硬掩膜层，替代传统的硬掩膜层，减薄硬掩膜层的厚度，降低工艺成本，优化刻蚀条件，改善工艺窗口侧壁不平整的区域，稳定多晶硅的填充能力，提升器件的工作效率。
硬掩膜层浅槽工艺窗口光刻胶层氮化层平整度侧壁衬底半导体平整图形化光刻胶覆盖氧化层工艺成本工作效率刻蚀条件提升器件传统的多晶硅嵌入式图形化沉积减薄刻蚀上旋填充掩膜修复暴露替代优化

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管的制造方法-CN201410619396.8在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，在回刻蚀介质层以形成鳍部之间的浅沟槽隔离结构之前，先将鳍部上表面预先形成的两层硬掩膜层中的顶层去除，然后在整个器件表面形成盖层，所述盖层相当于增加浅沟槽填充物的宽度，并改善浅沟槽填充物的形貌，降低回刻蚀窗口的深宽比，从而改善回刻蚀后浅沟槽隔离结构表面的平坦度，同时剩余的硬掩膜层可以保持鳍部暴露出的侧面结构，最终提高鳍式场效应晶体管的器件性能。
一种场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管的制造方法-CN201410620001.6有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，在回刻蚀介质层以形成鳍部之间的浅沟槽隔离结构之前，先回刻蚀鳍部上表面预先形成的硬掩膜层使之部分去除，然后在整个器件表面形成盖层，所述盖层相当于增加浅沟槽填充物的宽度，并改善浅沟槽填充物的形貌，降低回刻蚀窗口的深宽比，从而改善回刻蚀后浅沟槽隔离结构表面的平坦度，同时剩余的硬掩膜层可以保持鳍部暴露出的侧面结构，最终提高鳍式场效应晶体管的器件性能。
一种场效应晶体管制造方法

[发明专利]双浅沟槽隔离的形成方法-CN201410457676.3有效
发明人：王永刚;李杰 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种双浅沟槽隔离的形成方法，包括：在基底表面形成氧化层和硬掩膜层，所述基底具有第一区域与第二区域；刻蚀所述第一区域上的所述硬掩膜层和氧化层，直至暴露出所述基底表面，被暴露的所述基底表面形成第一部分区域；以所述硬掩膜层为掩膜进一步刻蚀所述第一部分区域形成第一浅沟槽；保护所述第一浅沟槽，并刻蚀所述第二区域上的所述硬掩膜层和氧化层，直至暴露出所述基底表面，被暴露的所述基底表面形成第二部分区域；以所述硬掩膜层为掩膜进一步刻蚀所述第一浅沟槽与所述第二部分区域，直至第一浅沟槽形成第三浅沟槽，并形成所述第二区域的第二浅沟槽。采用所述方法形成的双浅沟槽隔离形状稳定，均一性高，形貌好。
沟槽隔离形成方法

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