专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]充电机系统-CN202210885628.9有效
  • 曾祥幼;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2022-07-26 - 2023-10-03 - H02J7/02
  • 本发明公开了一种充电机系统。该充电机系统包括整流电路、功率因数校正电路、变换电路;整流电路用于对输入电压进行整流,并输出电信号;功率因数校正电路包括感性支路和控制单元;感性支路连接在整流电路和控制单元之间,控制单元用于增加电信号在感性支路上的通过时间;变换电路与功率因数校正电路连接,变换电路用于将电信号进行功率变换后输出至负载。通过功率因数校正电路处于充电阶段和提供电信号阶段时,感性支路上均有电信号通过,可以增加电信号在感性支路上的通过时间,避免感性支路上的断流现象,进而可以减少电信号的谐波,提高充电机系统的功率因数,从而提高电能的利用率,提高了充电机系统的效率,同时有利于电网的稳定运行。
  • 充电机系统
  • [发明专利]一种逆导型IGBT器件及其制备方法-CN202310819974.1有效
  • 李豪;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-07-06 - 2023-10-03 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种逆导型IGBT器件及其制备方法。该器件包括:元胞区、环绕元胞区的终端区以及至少部分环绕终端区的N型集电区;N型缓冲层;设置于N型缓冲层一侧的N型漂移层;设置于N型漂移层远离N型缓冲层一侧的N型发射极和N型集电极,N型发射极位于元胞区,N型集电极位于N型集电区;P型集电极,设置于N型缓冲层远离N型漂移层的一侧;导电结构连接于N型集电极和P型集电极之间,导电结构用于将N型集电极与P型集电极电连接,以实现逆导功能。本发明实施例的技术方案采用常规IGBT器件的制备工艺及设备,无需进行背面光刻工艺,有效降低了逆导型IGBT器件的工艺制造难度。
  • 一种逆导型igbt器件及其制备方法
  • [发明专利]一种功率器件结构-CN202310809345.0在审
  • 刘子泽;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-09-19 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种功率器件结构。该功率器件结构包括:衬底;设置于衬底一侧的条形沟槽元胞;设置于条形沟槽元胞远离衬底一侧的发射极金属层;发射极金属层包括发射极引线区和非发射极引线区;非发射极引线区环绕发射极引线区设置;发射极引线区与条形沟槽元胞在衬底上的正投影的交叠数量,小于非发射极引线区与条形沟槽元胞在衬底上的正投影的交叠数量。本发明实施例的技术方案可有效减小发射极引线区的电流集中效应,从而有利于防止发射极引线区因发热量过大而烧毁。
  • 一种功率器件结构
  • [发明专利]开关速度快且损耗低的RC-IGBT结构及其制备方法-CN202310778008.X有效
  • 林青;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-09-19 - H01L29/08
  • 本发明公开了半导体技术领域的一种开关速度快且损耗低的RC‑IGBT结构及其制备方法;RC‑IGBT结构包括:N型漂移区;P型阱区,与N型漂移区的正面电接触;P型发射区和N型发射区,依次交替设置,并均经由P型阱区与N型漂移区的正面电接触;沟槽栅结构,由N型发射区的表面垂直延伸至N型漂移区;N型缓冲层,与N型漂移区的背面电接触;具有[110]晶向和[100]晶向并存的混合晶向衬底层,包括在[110]晶向上制备的P型集电区和在[100]晶向上制备的N型集电区,P型集电区和N型集电区均经由N型缓冲层与N型漂移区的背面电接触。可以提高器件的开通和关断速度,降低开关损耗。
  • 开关速度损耗rcigbt结构及其制备方法
  • [发明专利]一种超结IGBT功率器件-CN202310584217.0在审
  • 李嘉楠;潘晓伟;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-07-28 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种超结IGBT功率器件。该功率器件包括:P型集电区、超结漂移区、P型区、两个第一沟槽和两个第二沟槽;超结漂移区包括P型柱和N型柱并列排布于P型集电区的正面;P型区设置于超结漂移区远离P型集电区的一侧;第一沟槽和第二沟槽至少将P型区隔出P型基区;第一沟槽的内壁设置有第一介质层,内部填充有栅导电层;第二沟槽的内壁设置有第二介质层,内部填充有栅导电层或发射极导电层;发射极金属层设置于P型区远离P型集电区的一侧;发射极金属层靠近P型区的一侧表面设置有至少一个凸出部,至少一凸出部延伸至P型基区内部。本发明实施例的技术方案可平衡功率器件的导通压降与关断损耗之间的调节关系,改善整体电学性能。
  • 一种igbt功率器件
  • [发明专利]外延结构及半导体器件-CN202210206690.0有效
  • 许洁;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2022-03-03 - 2023-07-07 - H01L29/06
  • 本发明提供了一种外延结构及半导体器件,外延结构包括:钝化层;势垒层,势垒层位于所述钝化层的一侧;其中,所述势垒层的表面包括至少一个势垒层凹槽,至少一个势垒层凹槽位于结构设定区域,且所述至少一个势垒层凹槽的开口朝向钝化层。势垒层表面的势垒层凹槽可以引入更多的电场集中区域,进而削弱在栅极靠近漏极的边缘处因电场集中效应产生的峰值电场的强度,减少栅极边缘因该峰值电场的作用变为会被陷阱俘获的热电子的数量,进而缩短了在半导体器件开关时陷阱的充放电时间,即缩短了半导体器件开启和关断的时间,提高器件的响应速度。
  • 外延结构半导体器件
  • [发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202310430492.7有效
  • 林青;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-04-21 - 2023-06-23 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管。该逆导型绝缘栅双极型晶体管包括至少一个元胞,每一个元胞包括:集电区,集电区包括P型集电区和N型集电区;N型缓冲区覆盖P型集电区和N型集电区;导电接触孔位于P型集电区和N型集电区之间,从集电区延伸至N型缓冲区的部分区域;N型漂移区位于N型缓冲区远离集电区的一侧;P型体区位于N型漂移区远离N型缓冲区的一侧;发射区包括P型发射区和N型发射区,P型发射区包围N型发射区设置;沟槽栅结构位于N型发射区内,贯穿N型发射区且从N型发射区、经由P型体区延伸至N型漂移区的部分区域。本发明实施例提供的技术方案避免了逆导型绝缘栅双极型晶体管在正向导通时出现电压回转现象。
  • 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
  • [发明专利]一种双沟槽栅RC-IGBT及其制备方法-CN202310430491.2有效
  • 林青;王英杰;张杰;李豪;潘晓伟 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-04-21 - 2023-06-23 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种双沟槽栅RC‑IGBT及其制备方法。该器件包括:N型漂移区;P型阱区,与N型漂移区的正面电接触;P型发射区和N型发射区,均经由P型阱区与N型漂移区的正面电接触;N型缓冲层,与N型漂移区的背面电接触;P型集电区和第一N型集电区,均经由N型缓冲层与N型漂移区的背面电接触;第二N型集电区,内嵌于P型集电区远离N型缓冲层的一面;第一沟槽栅结构,由N型发射区的表面垂直延伸至N型漂移区内;第二沟槽栅结构,由第二N型集电区的表面垂直延伸至N型缓冲层内。通过在器件的背面中设置沟槽栅结构以及第二N型集电区,使器件在正向导通时始终工作在单极型导电模式,从而抑制电压折回现象的产生。
  • 一种沟槽rcigbt及其制备方法
  • [发明专利]一种RC-IGBT器件及其制作方法-CN202310287466.3有效
  • 李豪;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-06-16 - H01L21/331
  • 本发明公开了一种RC‑IGBT器件及其制作方法,制作方法包括:形成具备正面元胞结构的RC‑IGBT硅基;向RC‑IGBT硅基的背面注入第一类型杂质离子依次形成第一类型缓冲区和第一类型集电区;对第一类型集电区远离第一类型缓冲区的表面进行处理形成多个凹槽,其中,凹槽的深度大于设定深度;向处理后的第一类型集电区远离第一类型缓冲区的表面注入第二类型杂质离子,形成第二类型集电区;去除部分第二类型集电区以裸露部分第一类型集电区,同时保留凹槽内的第二类型集电区。本发明提供的RC‑IGBT器件及其制作方法,无需背面光刻工艺,制作方法简单,可以降低RC‑IGBT器件的制作成本。
  • 一种rcigbt器件及其制作方法
  • [发明专利]一种开关器件测试系统及方法-CN202310203637.X在审
  • 曾祥幼;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-03-03 - 2023-06-02 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种开关器件测试系统及方法。该测试系统包括:电压电流调节模块、损耗确定模块和驱动控制模块;电压电流调节模块的第一端通过损耗确定模块与待测器件的第一端电连接,电压电流调节模块的第二端与待测器件的第二端电连接,用于调节测试系统的电压和流过待测器件的电流;其中,电压和电流分别满足设定电压范围和设定电流范围;损耗确定模块,用于确定待测器件的损耗值;驱动控制模块的输出端电连接于待测器件控制端,用于调节并输出待测器件的开关控制信号,以控制待测器件导通或关断。本发明实施例的技术方案可计算待测器件在应用电路中的实际损耗,从而便于选择合适的功率器件,合理设计散热装置。
  • 一种开关器件测试系统方法
  • [发明专利]一种老化测试系统及装置-CN202310161434.9在审
  • 曾祥幼;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-02-23 - 2023-05-09 - G01R31/00
  • 本发明公开一种老化测试系统及装置。老化测试系统包括电源模块,电源模块用于连接待测器件,并向待测器件供电。负载,负载与待测器件串联连接,负载用于调节输入待测器件的电流值。驱动模块,驱动模块与待测器件连接,驱动模块用于输出第一控制信号。第一控制信号用于驱动待测器件工作,参数获取模块用于获取待测器件工作时的参数信息,控制模块与参数模块连接,控制模块用于根据参数信息,确定待测器件的老化测试结果。本发明实施例提供的技术方案实现了通过老化测试模拟不同工况下功率器件的工作环境,以达到筛除实际应用中因工作条件不合适而失效的器件的效果。
  • 一种老化测试系统装置
  • [发明专利]一种低热阻封装结构及其制备方法和应用-CN202310382926.0在审
  • 张磊;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-05-09 - H01L23/367
  • 本发明提供一种低热阻封装结构及其制备方法和应用,所述低热阻封装结构包括PCB基板、芯片、基岛、塑封体、铜片、引脚和散热片,所述芯片的背面连接在基岛的正面上,芯片的正面连接在铜片的一端,铜片的另一端连接有引脚,塑封体灌封在基岛、铜片、芯片和引脚上,盖封住芯片,并使得远离芯片一侧的铜片表面、远离芯片一侧的基岛表面和远离铜片一端的引脚露出,露出的基岛表面和铜片表面均各自连接散热片,露出的部分引脚与PCB基板相连;通过在远离芯片的铜片和基岛的表面均各自设置散热片,使得芯片产生的热量可以同时通过基岛以及铜片各自传递给两个散热片,从而达到了快速降低芯片温度的目的。
  • 一种低热封装结构及其制备方法应用
  • [发明专利]加热系统及其控制方法与车辆-CN202210804873.2在审
  • 曾祥幼;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2022-07-08 - 2022-09-02 - B60H1/22
  • 本发明实施例公开了一种加热系统及其控制方法与车辆。加热系统包括:热敏器件、开关模块和过流保护模块;热敏器件、开关模块和过流保护模块串联于第一电源端和第二电源端之间;热敏器件具有正温度系数,开关模块用于根据自身控制端的信号而导通或关断,以在导通时控制热敏器件通电,在关断时控制热敏器件断电;过流保护模块用于在开关模块导通起的第一时段之内,增大热敏器件、开关模块和过流保护模块所在线路上的阻抗,在开关模块导通起的第一时段之后,减小热敏器件、开关模块和过流保护模块所在线路上的阻抗;其中,第一时段的时长小于开关模块的导通时长。本发明实施例的技术方案,有助于缓解加热系统的电流冲击问题。
  • 加热系统及其控制方法车辆
  • [发明专利]一种功率器件测试系统和方法-CN202210206338.7在审
  • 曾祥幼;张杰 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2022-03-02 - 2022-05-27 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种功率器件测试系统和方法。包括:电源模块、频率调节模块、测量模块和处理模块;所述电源模块用于提供可调节的输出电流;所述频率调节模块用于调节所述待测功率器件的工作频率,并根据所述工作频率驱动所述待测功率器件;所述测量模块用于测量不同所述工作频率下相应的所述输出电流的所述待测功率器件的工作温度,并在所述工作温度与预设温度的差值在误差区间内情况下测量所述待测功率器件的工作电流;所述处理模块用于根据所述工作频率和所述工作电流获得所述待测功率器件的工作特性。本发明的技术方案,实现功率器件工作频率调整以及工作电流的测试,提高了功率器件的安全工作区的准确性。
  • 一种功率器件测试系统方法
  • [实用新型]加热系统的短路保护电路和加热系统-CN202121772892.9有效
  • 曾祥幼;张杰;胡舜涛 - 上海陆芯电子科技有限公司
  • 2021-07-30 - 2022-01-07 - H02H3/08
  • 本实用新型公开了一种加热系统的短路保护电路和加热系统。加热系统包括:热敏器件;短路保护电路包括:短路功能模块、退饱和保护模块、过流保护模块和输出控制模块。短路功能模块的第一端与热敏器件的第二端电连接;退饱和保护模块的第一输入端与短路功能模块的第一端电连接,第二输入端与短路功能模块的第二端电连接;过流保护模块的第一端与短路功能模块的第二端电连接,第二端接入第二电源信号;输出控制模块的第一输入端与退饱和保护模块的输出端电连接,第二输入端与过流保护模块的输出端电连接,输出端与短路功能模块的控制端电连接。本实用新型实施例可以对加热系统的短路问题进行快速响应,并在故障解除后及时恢复系统运行。
  • 加热系统短路保护电路

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