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[发明专利]降低铜互连结构中铜的电迁移的方法及铜互连结构-CN201010144213.3有效
发明人：邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种降低铜互连结构中铜的电迁移的方法及铜互连结构，该铜互连结构包括基底以及位于基底上的低介电常数材料层，该低介电常数材料层具有沟槽，该沟槽的底壁、侧壁以及低介电常数材料层上覆盖有阻挡层，所述沟槽内填充有金属铜，溢出所述沟槽的金属铜形成块铜，该方法包括：对所述金属铜和阻挡层进行化学机械抛光至所述铜表面与沟槽底壁之间的距离小于或等于阻挡层表面与沟槽底壁之间的距离，在抛光过程中，铜的抛光速率大于阻挡层的抛光速率。由于本发明金属铜表面低于阻挡层的表面，这样，铜离子无法通过阻挡层高于金属铜表面的部分，所述阻挡层可以阻止位于相邻沟槽内的铜离子的电迁移。
降低互连结构迁移方法

[实用新型]铝换热管-CN200820040362.3有效
发明人：李其荣 -专利权人：江苏亚太轻合金科技股份有限公司
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： F28F1/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铝换热管，包含管体，在管体内壁上设置有条状沟槽，该条状沟槽从管体的一端延伸至管体的另一端.；其条状沟槽轴线与管子轴线方向形成夹角a，a的角度为0°～89°之间。与现有技术相比，本实用新型通过在光滑金属管壁上开设条状沟槽，使得进入金属管内的流体沿着沟槽运动，加大了流体与金属管的接触面积，增加了热交换面积，使得热量传导效率提高；条状沟槽与金属管轴线方向形成一定角度，可以使得条状沟槽在金属管内壁上呈螺旋状分布，使流过呈螺旋装流动，起到了搅拌的效果，使流过管内的流体充分对流，进一步提高了换热效率。
热管

[发明专利]微反射镜层、硅基液晶显示装置及其制作方法-CN200910049283.8有效
发明人：刘煊杰;陈宇涵;郭亮良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：其中，制作微反射镜层的方法，包括下列步骤：提供包含导电插塞及焊盘沟槽的钝化层，所述导电插塞和焊盘沟槽贯穿钝化层；在钝化层及焊盘沟槽底面形成掩膜层；在掩膜层上形成第一金属层；刻蚀第一金属层，在焊盘沟槽内形成金属焊盘，所述金属焊盘与导电插塞导通；在掩膜层和金属焊盘上形成第二金属层；刻蚀第二金属层和掩膜层至露出钝化层，形成微反射镜层及保留金属焊盘上的第二金属层；在微反射镜层间及沟槽内金属焊盘以外区域形成介质层。
反射液晶显示装置及其制作方法

[发明专利]半导体元件的制法-CN200910169148.7有效
发明人：叶炅翰;钟昇镇;郑光茗;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件的制法，包括以下步骤：形成具有第一晶体管与第二晶体管的半导体基材，其中第一晶体管具有第一虚设栅极的第一栅极结构，第二晶体管具有第二虚设栅极的第二栅极结构；移除第一与第二虚设栅极，以分别形成第一与第二沟槽；形成第一金属层以部分填充第一与第二沟槽；移除于第一沟槽中的第一金属层；形成第二金属层，以部分填充第一与第二沟槽；形成第三金属层，以部分填充第一与第二沟槽；实施热处理工艺，以回焊(reflow)第二金属层与第三金属层；以及形成第四金属层，以填充第一与第二沟槽的剩余部分。本发明提供CMOS制作流程中简单且有效方法，用以调整NMOS元件和PMOS元件的金属栅极的功函数。
半导体元件制法

[发明专利]预金属化电介质层内支撑的金属屏蔽沟槽和金属衬底触点-CN201710132182.1有效
发明人： S·拉格拉斯塔;D·里斯图伊尤;J-P·奥杜;C·热尼 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及预金属化电介质层内支撑的金属屏蔽沟槽和金属衬底触点。半导体衬底包括：光电二极管区域、电荷储存区域和CDTI结构，电荷储存区域电耦合到光电二极管区域，电容式深沟槽隔离结构包括定位在光电二极管区域与电荷储存区域之间的导电区域。接触蚀刻停止层叠置在半导体衬底上，预金属化电介质层叠置在接触蚀刻停止层上。填充有金属材料的第一沟槽延伸穿过预金属化电介质层，在接触蚀刻停止层处或之中触底。同样填充有金属材料的第二沟槽延伸穿过预金属化电介质层和接触蚀刻停止层，在CDTI结构的导电区域处或之中触底。第一沟槽在光电二极管区域与电荷储存区域之间形成光学屏蔽。第二沟槽形成用于对CDTI结构进行偏置的触点。
金属化电介质支撑金属屏蔽沟槽衬底触点

[发明专利]一种介质加载型周期沟槽缝隙天线-CN200910244248.1无效
发明人：冯沁;黄成;崔建华;赵泽宇;罗先刚 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01Q13/10 文献下载
摘要：一种介质加载型周期沟槽缝隙天线，首先确定天线的工作频率f；然后选择金属板材料；在金属板中央区域开一长度为sl，宽度为sw金属缝隙结构，波导结构作为激励源放在金属板下方激励该金属缝隙。接着在金属板的出射面，对称地排布若干周期沟槽结构，沟槽的周期为p，深度为d以及宽度为w，第一个沟槽距离金属缝隙中央的距离为p1，此外在相邻金属沟槽之间加载介电常数为ε，厚度为t的介质。本发明与传统的周期沟槽缝隙天线相比，利用加载的介质减小了天线的口径尺寸，并且还能够有效地激发出更多的表面能量，增加了向自由空间辐射的能量，从而进一步提高了天线的辐射性能，尤其是E和H面的波束角都得到了大幅度的压缩
一种介质加载周期沟槽缝隙天线

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN201711085704.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于存储器的半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；2）采用化学气相沉积工艺于沟槽内及半导体衬底上表面沉积第一层金属层；及，3）采用物理气相沉积工艺于第一层金属层上表面沉积第二层金属层，由第二层金属层填满沟槽，且第二层金属层的材料与第一层金属层的材料相同。本发明先采用化学气相沉积工艺于沟槽内沉积第一层金属层，之后再采用物理气相沉积工艺于沟槽内沉积材料相同的第二层金属层，在沟槽内填充的第一层金属层与第二层金属层内均不会产生孔洞，从而可以提高器件的性能，避免器件发生失效
半导体结构及其制备方法

[发明专利]悬挂式红外探测器像元结构及其制备方法-CN201610602975.0有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种悬挂式红外探测器像元结构及其制备方法，包括：硅衬底表面的导电金属区，红外探测结构以及与红外探测结构相电连的导电梁结构；导电梁结构具有顶层导电梁和多层导电沟槽；导电沟槽包括：底部与导电金属区接触且顶部位于导电梁结构最顶层的第一导电沟槽，以及底部高于第一导电沟槽底部且顶部位于导电梁结构最顶层的第二导电沟槽；第一导电沟槽的顶部和第二导电沟槽顶部分别与顶层导电梁两端连接；第二导电沟槽的底部与红外探测结构相接触；红外探测结构产生的电信号首先经第二导电沟槽底部传输到第二导电沟槽顶部，再经顶层导电梁传输到第一导电沟槽的顶部，再从第一导电沟槽顶部传输到第一导电沟槽底部进而传输到导电金属区。
悬挂红外探测器结构及其制备方法

[发明专利]一种沟槽IGBT及其制作方法-CN201911214968.3在审
发明人：俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，具体公开了一种沟槽IGBT及其制作方法，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元，两个所述假沟槽单元之间设置至少一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。本发明可以通过在真沟槽栅单元之间增加假沟槽单元和/或假沟槽栅单元来降低饱和压降、优化抗短路能力。
一种沟槽 igbt 及其制作方法

[实用新型]一种沟槽IGBT-CN201922123553.7有效
发明人：俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体领域，具体公开了一种沟槽IGBT，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元，两个所述假沟槽单元之间设置至少一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。本实用新型可以通过在真沟槽栅单元之间增加假沟槽单元和/或假沟槽栅单元来降低饱和压降、优化抗短路能力。
一种沟槽 igbt

[发明专利]硅通孔填充方法-CN201110152715.5无效
发明人：彭虎;肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：硅片上淀积二氧化硅，形成深沟槽；在深沟槽中淀积一层钛或氮化钛；在深沟槽中淀积钨；进行化学机械研磨表面的钨去除；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片的背面进行减薄，将形成于深沟槽的底部的空洞露出；从硅片的背面对深沟槽底部的空洞进行金属填充，并制作背面金属图形。本发明通过正面刻蚀、正面金属填充和背面金属填充结合，能够便于与现有集成电路工艺集成、并能利用现有生产设备进行加工，能降低工艺难度和成本。
硅通孔填充方法

[发明专利]一种集成结构的制备方法以及由此得到的铜互连线与介质材料集成结构-CN201910340421.1在审
发明人：黄亚敏;董业民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成结构的制备方法，包括：S1，在半导体衬底上，沉积一层高分子聚合物，在高分子聚合物的表面形成一层光刻板；S2，通过等离子刻蚀高分子聚合物形成聚合物沟槽，去除光刻板；S3，在聚合物沟槽的壁面覆盖一层金属阻挡层；S4，在聚合物沟槽中填充沉积铜金属以形成铜互连线结构；S5，通过等离子刻蚀将铜金属之间的高分子聚合物全部清除，在铜金属之间形成金属沟槽；S6，在金属沟槽中填充沉积介质材料；S7，在介质材料和铜互连线结构上沉积绝缘材料形成覆盖层本发明通过在聚合物沟槽中填充铜金属，避免直接对介质材料进行刻蚀所引起的沟槽表面缺陷。
集成结构介质材料铜互连线聚合物高分子聚合物铜金属制备填充等离子刻蚀金属沟槽光刻板沉积介质材料沉积绝缘材料沉积铜金属分子聚合物金属阻挡层表面形成沟槽表面覆盖层壁面衬底刻蚀沉积去除半导体覆盖

[发明专利]半导体器件的制造方法及装置-CN201210491746.8有效
发明人：王坚;贾照伟;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法及装置，以提高半导体器件的性能并降低半导体器件的制造成本，该方法包括：提供半导体基底，并在半导体基底上依次形成介质阻挡层、低K介电质层、金属硬掩膜层及硅氧化层；在介质阻挡层、低K介电质层、金属硬掩膜层及硅氧化层内形成沟槽和通孔；在硅氧化层的顶表面及沟槽和通孔的内壁形成阻挡层；在阻挡层的顶表面及沟槽和通孔内沉积金属层；采用无应力抛光的方法将沟槽和通孔外的金属层及沟槽和通孔内的部分金属层去除，使沟槽和通孔内的金属层的高度与低K介电质层的顶表面齐平；采用气相刻蚀的方法将沟槽和通孔外的阻挡层、硅氧化层及金属硬掩膜层去除。
半导体器件制造方法装置

[发明专利]用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺-CN201110123681.7无效
发明人：姬峰;李磊;胡有存;陈玉文;张亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其中，在硅片的已完成的前层金属层上依次淀积一介电阻挡层、一第一介电层、一中间介电阻挡层和一第二介电层；旋涂光刻胶，光刻形成沟槽图形；干法刻蚀沟槽至第一介电层，去除光刻胶；淀积金属硬掩模，作为通孔刻蚀硬掩模；旋涂底部抗反射涂层填满沟槽；回刻底部抗反射涂层至沟槽内；旋涂光刻胶，光刻形成通孔图形；干法刻蚀，打开金属硬掩模，灰化去除剩余光阻和底部抗反射涂层；干法刻蚀，形成通孔；淀积金属阻挡层和铜籽晶层；电镀铜填满通孔和沟槽。本发明通过先沟槽后通孔并使用金属掩膜的双大马士革制造工艺达到了对通孔高深比和通孔尺寸控制进行有效控制的目的。
用于顶层金属沟槽硬掩模双大马士革工艺

[发明专利]改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法及集成电路制造方法-CN201610612979.7在审
发明人：刘涛;黄彪;刘玮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法及集成电路制造方法。根据本发明的改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法包括：将硅片布置在浅沟槽隔离工艺机台内，其中采用静电吸盘固定硅片；执行浅沟槽隔离工艺的同时，在静电吸盘的与硅片相对的表面通惰性气体，以带走静电吸盘表面的重金属元素；利用真空泵抽走浅沟槽隔离工艺机台内的空气。
改善沟槽隔离金属污染方法集成电路制造