“沟槽金属”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1452447个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN200610159881.7无效
发明人：杜·B·古延;哈扎拉·S·拉索尔;比伦德拉·N·阿加瓦拉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该器件包括具有金属线和通孔的双金属镶嵌线，以及设置用于分割金属线的冗余衬垫。所述方法包括在双金属镶嵌线的金属带中形成沟槽，在沟槽中沉积阻挡层，以及用金属填充沟槽的剩余部分。
互连结构及其形成方法

[发明专利]在接触沟槽中形成多层势垒金属的器件-CN201010540074.6有效
发明人：常虹;陈军;翁丽敏;李文军 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括一个形成在接触沟槽中的组件，接触沟槽位于有源晶胞区中。该组件是由一种沉积在接触沟槽底部和侧壁部分的势垒金属，以及一个沉积在接触沟槽剩余部分中的钨插头构成的。势垒金属可以由第一和第二金属层构成。第一金属层位于接触沟槽的侧壁和底部附近。第一金属层含有一种氮化物。第二金属层可以位于第一金属层和钨插头之间，以及钨插头和侧壁之间。第二金属层覆盖未被第一金属层覆盖的部分侧壁。
接触沟槽形成多层金属器件

[发明专利]一种优化金属沟槽制作的方法-CN200810037679.6有效
发明人：周鸣;尹晓明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化金属沟槽制作的方法，该金属沟槽制作在硅基底，硅基底具有中间阻挡层和底部阻挡层，且制作好过孔；该方法包括以下步骤：a.在未预制作所述金属沟槽的硅基底上涂敷光阻，并过孔内填充光阻；b.主蚀刻掉预制作金属沟槽中光阻未保护的介质；c.过蚀刻掉预制作金属沟槽中剩余的介质。该方法可有效避免制作的金属沟槽中出现栅栏式硅基底或面角的问题，提高制作金属沟槽质量。
一种优化金属沟槽制作方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201010551475.1无效
发明人：刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有暴露出插塞的金属导线沟槽，所述金属导线沟槽两侧的半导体衬底上覆盖有氮化硅硬掩模层；在半导体衬底上涂布光刻胶，所述光刻胶填满半导体衬底中的金属导线沟槽并完全覆盖半导体衬底表面上的硬掩模层；去除氮化钛硬掩模层上的光刻胶，保留金属导线沟槽中光刻胶；去除氮化钛硬掩模层；去除金属导线沟槽中的光刻胶。本发明通过去除干法刻蚀金属导线沟槽时的氮化硅硬掩模层，降低了金属导线沟槽的深宽比，避免在后续铜电镀工艺中产生电镀空洞，提高了CMOS器件的可靠性和良品率。
半导体结构制造方法

[发明专利]金属互连结构及其形成方法-CN201811425844.5在审
发明人：吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;马亚辉 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互连结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀，以形成金属沟槽；在所述金属沟槽内形成合金薄膜，所述合金薄膜覆盖所述金属沟槽的侧壁；在所述金属沟槽内填充金属材料，以形成金属互连线；其中，所述合金薄膜的材料包括Ta与防扩散金属，所述防扩散金属的扩散系数低于所述金属材料的扩散系数。本发明方案可以降低金属互连线中的电阻率以及降低生产成本。
金属沟槽合金薄膜金属互连结构金属互连线金属互连扩散系数防扩散介质层衬底半导体填充金属材料金属金属材料电阻率侧壁刻蚀覆盖

[发明专利]一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法-CN201810767802.3有效
发明人：周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种沟槽肖特基势垒二极管，包括中部的有源区和环绕有源区的截止区，所述有源区自下而上依次设有N型衬底层、N型外延层、栅氧化层、肖特基金属层、阳极金属层、阴极金属层；所述N型外延层上设有若干沟槽和凸台，所述沟槽和凸台横向间隔设置，在凸台的栅氧化层和阳极金属层之间沉积有BPSG缓冲层，在沟槽内填充有磷掺杂导电多晶硅层，所述沟槽深度1.3μm，沟槽宽度0.5μm，沟槽间距1.5μm以及沟槽内氧化物的厚度1000Å。本发明通过控制沟槽的形状、沟槽深度、沟槽间有源区的宽度、沟槽内氧化层的厚度，得到了一种反向漏电低，电压反向阻断能力佳，可靠性好的沟槽肖特基势垒二极管。本发明还公开了一种沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，其步骤少，制造成本低。
一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]带有转化的衬里的自对准硬掩模-CN201680091294.0在审
发明人： M.钱多克;S.苏里;C.J.耶切夫斯基;R.E.申克;T.A.特罗尼克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一个实施例中，沟槽可以形成于介电表面中，并且，沟槽可以用衬里加衬。沟槽可以用金属填充，并且，该金属可以在沟槽的开口的下方凹陷。衬里可以被转化成电介质，并且，硬掩模可以被沉积到沟槽中。
衬里硬掩模电介质介电表面金属填充自对准凹陷沉积转化开口金属

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202011106406.X有效
发明人：张国伟;许宗能;王建智 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：基板；导线层，位于所述基板上；介质层，位于所述导线层上；第一沟槽，位于所述介质层中；第二沟槽，位于所述第一沟槽上，所述第二沟槽与所述第一沟槽连通，所述第二沟槽的顶端开口的口径大于所述第一沟槽的顶端开口的口径；阻挡层，位于所述介质层和所述导线层上；金属层，位于所述阻挡层上，且所述金属层位于所述第一沟槽和所述第二沟槽内；多个保护层，位于所述金属层上；凹口，位于所述多个保护层中，且所述凹口位于所述金属层中。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的方法-CN201710131431.5在审
发明人：张洵渊;谢瑞龙;夫马尔·卡米尼 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的方法，其所揭示的一种说明性方法此外还包括在绝缘材料层中形成第一沟槽与第二沟槽，第一沟槽具有第一横向关键尺寸，第二沟槽具有比第一沟槽的第一横向关键尺寸更大的第二横向关键尺寸，在第一沟槽中形成第一导电结构，其中，第一主体金属材料构成第一导电结构的主体部分，以及在第二沟槽中形成第二导电结构，其中，第二主体金属材料构成第二导电结构的主体部分，并且其中第一主体金属材料与第二主体金属材料为不同材料
金属化形成具有不同材料组成导电结构方法

[实用新型]换热设备用复合垫片-CN92215173.3无效
发明人：吴树济 -专利权人：吴树济
申请日： 1992-02-25 - 公布日： 1992-08-12 - 主分类号： F28F3/10 文献下载
摘要：一种由金属骨架和膨胀石墨构成的复合垫片，金属骨架的环形外圈的上下两表面开有二个或多个同心沟槽，金属骨架圈内隔条的上下表面开有二条或多条互相平行的沟槽，每一同心沟槽和平行沟槽与其两旁相邻的同心沟槽或平行沟槽相接，使每两个相邻的沟槽之间形成一高度相同的尖齿状凸峰环或棱。金属骨架环形外圈和隔条的上、下两表面均覆盖膨胀石墨。当垫片被压紧后，垫片在法兰联接的部位和隔板与管板的接合部位形成多道石墨密封圈和多道金属密封圈。垫片的密封效果优良，且制造工艺简便。
换热设备用复合垫片

[实用新型]一种屏蔽栅MOSFET器件-CN202221184614.6有效
发明人：伍震威;梁嘉进;单建安 -专利权人：安建科技有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种屏蔽栅MOSFET器件，本发明涉及于功率半导体器件，该器件包括有下表面金属、第一导电型衬底、第一导电型外延层、器件内沟槽和位于器件外围的终端沟槽、第二导电型掺杂体区、氧化物介质层和上表面金属，所述的器件内沟槽包括有交替排列的第一类沟槽和第二类沟槽，所述的第一类沟槽包括有屏蔽栅电极和栅电极；所述的第二类沟槽包括有屏蔽栅电极；所述的终端沟槽内设有屏蔽栅电极和栅电极。第一类沟槽用于形成导通区域；第二类沟槽用于连接屏蔽栅电极和上表面金属层；终端沟槽的宽度要大于第一、二类沟槽，用于保证器件外围的击穿电压，并且用于连接栅电极和表层金属。
一种屏蔽 mosfet 器件

[发明专利]触控结构制作方法、触控结构、触控显示面板及电子设备-CN201811466413.3在审
发明人：李培良 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供了一种触控结构制作方法包括如下步骤：在基材上划分触控区和外围区，外围区包围触控区，同时曝光显影基材上下表面的第三金属层和第一金属层，以及第四金属层和第二金属层，使得第一金属层和第三金属层上形成多个第一沟槽，第二金属层和第四金属层上形成多个第二沟槽，第一沟槽贯穿第三金属层及第一金属层并延伸至基材上表面，第二沟槽贯穿第四金属层及第三金属层并延伸至基材下表面，第一沟槽和第二沟槽均覆盖触控区和外围区。
结构制作方法显示面板电子设备

[发明专利]一种基于沟槽底部的金属层形成方法-CN201410046778.6在审
发明人：李理 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于沟槽底部的金属层形成方法，该方法包括：采用第一酸性溶液清洗半导体器件的沟槽；依次在该沟槽的上下平面以及侧壁形成金属层和树脂层，并对该树脂层进行加热固化处理；采用干法刻蚀的方法对该树脂层进行去除处理，以露出该沟槽的上平面以及侧壁上方部分的金属层；采用第二酸性溶液去除该露出的该沟槽的上平面以及侧壁上方部分的金属层，并采用该干法刻蚀的方法去除剩余的树脂层，以在该沟槽的下平面上覆盖该金属层。
一种基于沟槽底部金属形成方法

[发明专利]半导体存储装置的制作方法-CN201710560153.5有效
发明人：冯立伟;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在半导体基底上形成介电层，在存储单元区形成第一沟槽贯穿介电层，且于周围区形成第二沟槽贯穿介电层。形成金属导电层填入第一沟槽与第二沟槽，用以于第一沟槽中形成位线金属结构且于第二沟槽中形成第一金属栅极结构。本发明利用取代金属栅极制作工艺来形成位线金属结构，由此达到降低位线电阻抗的效果。
半导体存储装置制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201910499799.6有效
发明人：黄竞加;吕增富;廖伟明 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，包含基板、沟槽、绝缘层、下方金属层、负电容材料层、以及上方金属层。沟槽位于基板内，并具有内表面。绝缘层衬贴于沟槽的内表面上。下方金属层位于绝缘层上，并部分地填入沟槽。负电容材料层衬贴于绝缘层及下方金属层上，并界定出沟槽的残余部分。上方金属层设置于负电容材料层上，并部分地填入沟槽的残余部分。
半导体装置