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[发明专利]铜金属化工艺-CN200510001816.7有效
发明人：蔡释严;吕伯雄;杨佳明;刘沧宇;范彧达;范振朋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-01-13 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少铜金属化过程中产生的铜金属突起的方法，其步骤包括：于基板上形成具有开口的介电层，形成铜金属层以填充该开口，研磨该铜金属层至该开口中铜金属层露出；提供氟离子至该铜金属层，以减少铜金属突起并于该铜金属层表面形成缓冲区；之后，于该铜金属层上原位沉积覆盖层。本发明利用氟离子移除自然形成于铜金属表面的氧化铜，并利用该缓冲区将铜金属中的热垂直应力转换成水平应力，藉以避免铜金属突起的形成。
金属化工艺

[发明专利]一种金属铜防锈处理工艺-CN201711289636.2在审
发明人：陈帅;律德宽;王祥志;李业萍;苏科嘉;孙德彬 -专利权人：青岛铸辉铜业有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C23G1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属铜防锈处理工艺，包括金属铜表面清洗处理、金属铜表面酸处理、金属铜表面抛光处理、金属铜表面钝化处理、水洗以及烘干处理，所述金属铜表面清洗处理采用的是具有一定浓度和一定温度的碱性溶液对金属铜进行喷淋清洗，所述金属铜表面酸处理所采用的酸是稀盐酸，所述金属铜表面抛光处理是采用砂纸进行抛光、打磨，所述金属铜表面钝化处理所采用的钝化液为苯并三氮唑的乙醇溶液，所述烘干处理是采用循环气流进行烘干。本发明金属铜防锈处理工艺环保、无毒害，可以长效保护金属铜，提高金属铜的防锈、抗腐蚀和抗氧化的能力，保持金属铜的长久光泽，延长金属铜制品的使用寿命。
一种金属防锈处理工艺

[发明专利]铜/锡/铅生产中的改进-CN202210302097.6在审
发明人：伯特·克莱蒂;让·迪尔克·A·戈里斯;伊夫·德维斯切;查尔斯·格南;沃尔特·冈斯;尼可·莫伦;史蒂文·斯迈特斯;安迪·布莱尤格尔曼斯 -专利权人：梅塔洛比利时公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本申请涉及铜/锡/铅生产中的改进。公开了一种用于制造第一稀铜金属组合物的方法，包括：提供黑铜组合物，部分氧化所述黑铜组合物，从而形成第一富铜金属相和第一铜精炼渣；部分氧化所述第一富铜金属相，从而形成第二富铜金属相和第二铜精炼渣；部分氧化所述第二富铜金属相，从而形成第三富铜金属相和第三铜精炼渣；将至少部分所述第二铜精炼渣或至少部分所述第三铜精炼渣添加至金属组合物，从而形成第一熔浴，其中所述金属组合物同时含有铜以及至少一种选自锡和铅的焊料金属；和部分氧化所述第一熔浴，从而形成所述第一稀铜金属组合物和第一焊料精炼渣。
生产中的改进

[实用新型]一种用于集成电路的铜保险丝-CN201320751643.0有效
发明人：叶文冠 -专利权人：叶文冠;绿亚电子（泉州）有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种用于集成电路的铜保险丝，包括有形成于一半导体基底上的两铜金属焊垫、一金属线及一保护层，所述两铜金属焊垫藉由该金属线电性连接，形成保险丝结构。所述保护层覆盖两铜金属焊垫，且形成有一可暴露出两铜金属焊垫一部分的开口。所述金属线覆盖所述保护层开口与两铜金属焊垫电性连接，以使两铜金属焊垫与空气隔绝。本实用新型铜金属焊垫上覆盖有保护层与金属线，使铜金属焊垫与空气隔绝，可防止铜金属焊垫氧化，而采用铜金属焊垫制成保险丝，可有效降低RC延迟。
一种用于集成电路保险丝

[发明专利]可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法-CN201610072108.0在审
发明人：李文熙;蔡欣昌 -专利权人：李文熙;台达电子工业股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：一种可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，至少包含步骤(A)将一金属铜粉蚀洗；(B)将被蚀洗金属铜粉溶解于乙二醇中形成金属铜溶液，另将一金属银粉溶解于乙二醇中形成金属银溶液；(C)将该金属铜溶液与该金属银溶液混合形成金属混合溶液，并在该金属混合溶液中进行化学置换反应，使该金属银所游离的银离子往该被蚀洗金属铜粉表面移动，并还原成纳米银的型态而在该被蚀洗金属铜粉表面上形成一层纳米银；(D)将该金属混合溶液过滤干燥后，取得纳米银包铜粉末；以及(E)将该纳米银包铜粉末在无还原气氛下进行烧结，并于金属铜粉氧化前将表面纳米银烧结为熔融态使其包覆于金属铜粉，获得纳米银包铜厚膜膏。
空气烧结导电纳米银包铜厚膜膏制备方法

[发明专利]功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法-CN201410213221.7有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法。所述功率半导体芯片包括发射极/源极区、栅极区和集电极/漏极区，在每一个电极区对应铜金属化结构依次包括阻挡层、籽铜层、铜金属化层，该铜金属化结构还包括增强层，其中，增强层位于籽铜层和铜金属化层之间，或者，增强层位于阻挡层和籽铜层之间，或者，增强层位于铜金属化层的上方。这种铜金属化结构能够减少铜金属化层的厚度，因而有利于降低铜金属化的工艺难度和成本，并且能够保证铜引线键合点的寿命与可靠性。
功率半导体芯片金属化结构及其制作方法

[发明专利]一种铜金属粉末的深加工方法-CN201910253704.2在审
发明人：陈萍姬;周莉;陈华 -专利权人：柳州光华科技有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜金属粉末的深加工方法，清洗铜金属原料，对铜金属原料进行清洗过滤，将上清液存放至反应容器中，向容器中加入还原剂，得到液体与铜金属混合物备用；将步骤一中的铜金属进行热处理1‑2h，放入成型机压制成型，制得粉末状铜金属；对粉末状铜金属进行雾化，并且加入添加剂，使得添加剂气化在铜金属粉末表面形成一层防止氧化和结块的保护层；将步骤三中的铜金属送入熔炼区熔炼，本发明所述的一种铜金属粉末的深加工方法，应用本发明方法生产铜金属粉末，该金属粉末产品氧化变质率可有效控制在0.1%‑2%之间，制得的铜金属粉末导电性能极佳，具有很强的抗性和柔韧性，同时工艺操作简单，具有很大的使用前景。
铜金属深加工添加剂清洗导电性能粉末表面工艺操作金属粉末氧化变质有效控制混合物热处理柔韧性保护层成型机还原剂熔炼区上清液抗性熔炼放入结块气化雾化备用过滤送入应用生产

[发明专利]利用含铜废弃物和铜矿石联合冶炼金属铜的方法及系统-CN201610793715.6在审
发明人：杨敬增;丁涛;韩业斌;熊岳;池莉 -专利权人：中国电子工程设计院
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C22B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及金属冶炼技术领域，公开了一种利用含铜废弃物和铜矿石联合冶炼金属铜的方法和系统，其中，利用含铜废弃物和铜矿石联合冶炼金属铜的方法，包括以下步骤将含铜废弃物进行拆解分选、以获得废杂铜；将铜矿石进行提取冶炼、以获得粗铜；将所述废杂铜和所述粗铜进行火法精炼、以获得电解用阳极铜；将所述阳极铜进行电解精炼、以获得纯铜。上述利用含铜废弃物和铜矿石联合冶炼金属铜的方法，可以简化废杂铜的处理过程，减轻金属铜冶炼过程对环境的污染，提高金属铜生产效率，节约成本。
利用废弃物铜矿联合冶炼金属方法系统

[发明专利]三五族化合物半导体组件的铜金属连接线-CN201210034035.8无效
发明人：花长煌;朱文慧 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种三五族化合物半导体组件的铜金属连接线，包含一金属接触层以及一含铜金属层；其中该金属接触层位于该含铜金属层下方，由选自下列材料组成的群组所构成：钛/钯/铜(Ti/Pd/Cu)、钛/镍钒/铜(Ti/NiV/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/铜(TiW/TiWN/TiW/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/金(TiW/TiWN/TiW/Au)、钛钨/铜(TiW/Cu)以及钛钨/金(TiW/Au)；该含铜金属层还包含一金属保护层，覆盖于该含铜金属层的上方，用以防止含铜金属层的氧化；该金属保护层的材料为镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)或焊接剂(solder)。
三五化合物半导体组件金属连接线

[发明专利]铜基双金属单原子催化剂及其制备方法和锌-空气电池-CN202310094537.8在审
发明人：吕瑞涛;李一帆;黄正宏;康飞宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜基双金属单原子催化剂的方法，该方法包括：(1)将铜基双金属前驱体、载体碳前驱体和溶剂进行混合，以便得到铜基双金属单原子催化剂前驱体溶液；(2)对铜基双金属催化剂前驱体溶液进行挤出处理，以便得到铜基双金属单原子催化剂前驱体；(3)对铜基双金属单原子催化剂前驱体进行预氧化；(4)在惰性气氛下，对完成预氧化的铜基双金属单原子催化剂前驱体进行煅烧，以便得到铜基双金属单原子催化剂。由此，实现了铜基双金属在铜基双金属单原子催化剂上以原子级方式均匀分布，制备得到的铜基双金属单原子催化剂具有优异的催化活性与稳定性。
双金属原子催化剂及其制备方法空气电池

[发明专利]一种精细线路的制作方法-CN201510605043.7有效
发明人：黄大兴 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种精细线路的制作方法，能够通过电镀非铜金属来替代现有技术中采用的干膜，提高了极限附着力，提高了线路制作能力；另外，采用现有技术中的MSAP工艺的原材料，相对于现有的SAP工艺使用的材料本发明实施例方法包括：在预先提供的超薄铜箔板材上制作干膜；在所述干膜的间距中电镀非铜金属，其中所述非铜金属形成的非铜金属层的高度低于所述干膜的高度；去除所述干膜，并微蚀所述非铜金属；在所述非铜金属的间距中电镀铜，其中所述铜完全覆盖所述非铜金属的表面并填充完所述非铜金属的间距；露出所述非铜金属的顶部，并去除所述非铜金属；微蚀所述铜形成的线路间距下的底铜，得到精细线路。
一种精细线路制作方法

[发明专利]一种柔性金属铜薄膜的制备方法-CN201810756473.2在审
发明人：赵荣荣;陈同来;柳伟 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性金属铜薄膜，具有如下结构：金属铜薄膜/无机固化膜，通过（1）采用磁控溅射法，将金属铜溅射至硬性衬底上；（2）采用涂敷法，将无机固化膜涂敷至金属铜薄膜表面；（3）烘箱中烘干后，采用直接剥离法，将金属铜薄膜/无机固化膜从硬性衬底上剥离出来；（4）获取的金属铜薄膜/无机固化膜可以直接贴服至任意衬底材料上，抑或单独使用。上述的金属铜薄膜，与现有的金属铜薄膜相比，具有使用灵便，粘附性好，有良好的机械性能等特点。
金属铜薄膜无机固化衬底机械性能烘箱磁控溅射法衬底材料单独使用柔性金属剥离法金属铜铜薄膜涂敷法粘附性烘干溅射膜涂剥离

[实用新型]一种陶瓷金属复合体和电子设备壳体-CN202120643064.9有效
发明人：邓天有;林信平;吴伟鹏;吴学通;刘英军 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本申请具体涉及一种陶瓷金属复合体，其特征在于，包括依次设置的陶瓷件、第一铜氧化层、铜层、第二铜氧化层和铁基金属件，所述第一铜氧化层用于连接所述陶瓷件和所述铜层，所述第二铜氧化层用于连接所述铜层和所述铁基金属件本申请提供陶瓷金属复合体，第一铜氧化层、铜层和第二铜氧化层用于连接陶瓷件和铁基金属件，提高陶瓷件与铁基金属件的结合强度。
一种陶瓷金属复合体电子设备壳体

[实用新型]金刚石颗粒取样笔-CN201521127359.1有效
发明人：陈朝然;刘宝昌;刘时琦;王骕;王金百惠;孙永辉;李闯;周海龙 -专利权人：吉林大学
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G01N1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金刚石颗粒取样笔，其金属铜针通过第二绝缘固定件固定在笔杆内的前部，金属铜针从笔杆前端伸出，金属铜针与笔杆内的金属铜圆环紧密接触，笔杆的尾部具有端盖按钮，笔杆的中部内设置第一绝缘固定件，端盖按钮内壁设置第一金属铜垫片，第二金属铜垫片设置在第一绝缘固定件上，第一金属铜垫片和第二金属铜垫片与干电池的导电柱接触导通，第一金属铜垫片和第二金属铜垫片引出导线，干电池、分压电阻、金属铜针、金属铜圆环
金刚石颗粒取样

[发明专利]一种耐金属贪铜菌及应用方法-CN202210802121.2在审
发明人：马斌;任浩 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐金属贪铜菌及应用方法，耐金属贪铜菌原始编号ZM02，保藏于中国典型培养物保藏中心，保藏编号：CCTCC AB 2019263；耐金属贪铜菌应用于在重金属胁迫下降解；重金属包括铜、银、锰和锌中至少一种；耐金属贪铜菌为革兰氏阴性菌，无内生孢子形成；耐金属贪铜菌通过化能异养，不需要氧气，不需要光照；耐金属贪铜菌通过周生鞭毛运动，兼性厌氧；耐金属贪铜菌为乳白偏黄，圆形，湿润，边缘整齐，不透明；耐金属贪铜菌用于制备土壤修复剂；耐金属贪铜菌的分离基物为工厂废水及活性污泥；耐金属贪铜菌的保存方法为真空冷冻干燥法。
一种金属贪铜菌应用方法

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