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[发明专利]一种润滑均匀复合织构刀具-CN201910976281.7有效
发明人：杨泽檀;符永宏;张洋;何梦虎 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： B23B27/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种润滑均匀复合织构刀具，所述刀具的前刀面设有环形织构沟槽形貌和导油沟槽形貌，所述环形织构沟槽形貌包括若干同心的圆环沟槽织构形貌，相邻所述的圆环沟槽织构形貌之间通过直线沟槽形貌连通，所述导油沟槽形貌用于给环形织构沟槽形貌供油所述环形织构沟槽形貌包括外环沟槽织构形貌、中环沟槽织构形貌和内环沟槽织构形貌，所述外环沟槽织构形貌与导油沟槽形貌连通，所述外环沟槽织构形貌与中环沟槽织构形貌之间、中环沟槽织构形貌与内环沟槽织构形貌之间分别通过直线沟槽形貌连通
一种润滑均匀复合刀具

[发明专利]一种精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法-CN201711167683.X有效
发明人：许进;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法，利用光学线宽测量仪检测量化不同透光率下浅沟槽刻蚀的立体形貌参数特别是立体腰部形貌参数，从而根据浅沟槽刻蚀的立体形貌参数特别是立体腰部形貌参数来定义适合刻蚀菜单的透光率区间，以精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能。本发明能够克服切片监控刻蚀后沟槽形貌的精确度低，周期长的缺点，并能克服扫描电子显微镜只能量测线宽，无法测量浅沟槽形貌的弊端，无法准确反馈浅沟槽形貌的实际信息的缺陷，能够提高浅槽隔离开发效率和产品良率。
一种精确控制沟槽隔离整体形貌性能方法

[发明专利]沟槽形貌监控方法以及沟槽形貌监控结构制作方法-CN201410563479.X有效
发明人：杨彦涛;赵金波;江宇雷;杨雪;邹光祎;钟荣祥 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽形貌监控方法以及沟槽形貌监控结构制作方法，利用线宽测量工具测量沟槽形貌监控结构中第二沟槽的顶部宽度以及底部宽度，利用台阶测试仪测量第一沟槽的深度，根据所述第一沟槽的深度获得所述第二沟槽的深度，并根据所述第二沟槽的顶部宽度、底部宽度以及所述第二沟槽的深度，利用正切定理获得所述第二沟槽的倾斜度，由所述第二沟槽的顶部宽度、底部宽度以及倾斜度判断产品沟槽的顶部宽度、底部宽度以及倾斜度，进而在不破坏芯片的前提下监控产品沟槽的形貌
沟槽形貌监控方法以及结构制作方法

[发明专利]一种沟槽形貌监控方法、结构器件-CN202110873012.5在审
发明人：王万礼;李长亮;朱丽雅;陈海洋 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种沟槽形貌监控方法，步骤包括：在衬底硅片上制作沟槽并在沟槽表面氧化生长一层氧化层；再在氧化层表面制作第一测试电极；在第一测试电极与预制在衬底远离沟槽一侧表面的第二测试电极之间进行电压测试，以测得氧化层的击穿电压值；将测得的氧化层的击穿电压值与氧化层的本征击穿电压值进行比对，以判断氧化层的厚度是否均匀，进而可判定与氧化层紧贴设置的沟槽的形貌是否符合标准。还提出一种采用该沟槽形貌监控方法获得的易于沟槽形貌监控的结构器件。本发明仅通过测试沟槽内氧化层的击穿电压即可间接判断沟槽形貌情况，不仅测试结果准确且可监测效率高，且再现检测率高。同时根据这一监控方法获得的沟槽形貌结构稳定，并与实际产线工艺兼容。
一种沟槽形貌监控方法结构器件

[发明专利]基于透光率优化双沟槽工艺中较深沟槽刻蚀形貌的方法-CN202211058079.4在审
发明人：陈串;张俊学;吕亚冰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种基于透光率优化双沟槽工艺中较深沟槽刻蚀形貌的方法，包括建立透光率与双沟槽工艺中前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度关系的数学模型；获取前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形；根据数学模型在不同透光率条件下重合比对前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形，判断前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率在数学模型中是否匹配；当不匹配时，在后续工艺中通过调整后道刻蚀的刻蚀气体配比来调整后道刻蚀的侧壁角度，以使前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率相匹配，以优化后续工艺中较深沟槽的刻蚀形貌。本发明能够避免双沟槽工艺产生的底部或者斜率缺陷，提高沟槽的刻蚀质量。
基于透光率优化沟槽工艺深沟刻蚀形貌方法

[发明专利]优化半导体沟槽形貌的双相刻蚀工艺方法-CN202210223214.X在审
发明人：盛况;王宝柱;王珩宇;任娜 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：公开了优化半导体沟槽形貌的双相刻蚀工艺方法，主要利用两种不同条件的刻蚀工艺进行循环刻蚀，可以抑制微沟槽的产生，改善了器件沟槽底部的形貌，并可以获得“V型槽”、“U型槽”以及底部平坦的沟槽形貌。
优化半导体沟槽形貌刻蚀工艺方法

[发明专利]优化不同透光率下浅槽隔离刻蚀形貌的方法-CN201711281769.5有效
发明人：许进;唐在峰;任昱;朱骏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化不同透光率下浅槽隔离刻蚀形貌的方法，包括如下步骤：进行工艺前，建立不同透光率与浅沟槽腰部形貌之间的关系模型，并定义不同刻蚀菜单的透光率区间；进行浅槽隔离刻蚀工艺时，利用光学线宽测量仪实时检测腰部形貌，并根据腰部形貌、不同透光率与浅沟槽腰部形貌之间的关系模型、不同刻蚀菜单的透光率区间，调整刻蚀菜单，精确控制浅槽隔离的整体形貌。本发明通过利用光学线宽测量仪检测量化不同透光率下浅沟槽刻蚀的不同形貌，特别是腰部形貌，调整浅沟槽隔离刻蚀气体的配比，解决了目前只能根据切片监控刻蚀后形貌带来的精确度低，周期长的缺点。
优化不同透光率下浅槽隔离刻蚀形貌方法

[实用新型]沟槽形貌监控结构-CN201420612904.5有效
发明人：杨彦涛;赵金波;江宇雷;杨雪;邹光祎;钟荣祥 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽形貌监控结构，利用线宽测量工具测量沟槽形貌监控结构中第二沟槽的顶部宽度以及底部宽度，利用台阶测试仪测量第一沟槽的深度，根据所述第一沟槽的深度获得所述第二沟槽的深度，并根据所述第二沟槽的顶部宽度、底部宽度以及所述第二沟槽的深度，利用正切定理获得所述第二沟槽的倾斜度，由所述第二沟槽的顶部宽度、底部宽度以及倾斜度判断产品沟槽的顶部宽度、底部宽度以及倾斜度，进而在不破坏芯片的前提下监控产品沟槽的形貌
沟槽形貌监控结构

[发明专利]沟槽弯曲度测量方法及装置、缺陷数量预测方法及装置-CN201711283009.8有效
发明人：张彪;芈健;邵克坚;王琨;乐陶然;陈保友 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽弯曲度测量方法及装置，以及一种缺陷数量预测方法及装置。其中，该沟槽弯曲度测量方法，包括：获取待测区域的形貌影像，根据所述形貌影像确定所述待测区域内沟槽的粗糙度，根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。相较于现有技术，本发明利用形貌影像实现了对沟槽弯曲度的自动化定量测量，准确度更高。
沟槽弯曲测量方法装置缺陷数量预测方法

[发明专利]一种组合微织构导轨及其制作方法-CN201711406914.8在审
发明人：朱维南;王浩;符永宏;钟行涛;韩洪松;解玄;康正阳 -专利权人：南通大学;江苏大学
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B23Q1/01 文献下载
摘要：本发明在导轨表面分布的组合微织构，所述组合微织构为微凹坑形貌和微沟槽形貌，所述微沟槽形貌为在微凹坑形貌阵列加工有沿导轨长度方向的连接单个微凹坑形貌的微沟槽。
形貌微织构导轨微凹坑微沟槽表面处理技术导轨长度方向耐磨性导轨表面导轨寿命机床导轨爬行现象润滑性能综合性能制作加工

[实用新型]一种多形貌组合微织构导轨-CN201721816016.5有效
发明人：朱维南;王浩;符永宏;钟行涛;韩洪松;解玄;康正阳 -专利权人：南通大学;江苏大学
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本实用新型在导轨表面分布的组合微织构，所述组合微织构为微凹坑形貌和微沟槽形貌，所述微沟槽形貌为在微凹坑形貌阵列加工有沿导轨长度方向的连接单个微凹坑形貌的微沟槽。
形貌微织构导轨本实用新型微凹坑微沟槽表面处理技术导轨长度方向导轨表面导轨寿命机床导轨爬行现象润滑性能综合性能耐磨性加工

[实用新型]一种组合微织构导轨-CN201721816997.3有效
发明人：朱维南;王浩;符永宏;钟行涛;韩洪松;解玄;康正阳 -专利权人：南通大学;江苏大学
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： B23Q1/01 文献下载
摘要：本实用新型在导轨表面分布的组合微织构，所述组合微织构为微凹坑形貌和微沟槽形貌，所述微沟槽形貌为在微凹坑形貌阵列加工有沿导轨长度方向的连接单个微凹坑形貌的微沟槽。
形貌微织构导轨本实用新型微凹坑微沟槽表面处理技术导轨长度方向耐磨性导轨表面导轨寿命机床导轨爬行现象润滑性能综合性能加工

[发明专利]一种复合织构PVD涂层刀具及其加工工艺-CN202011561192.5有效
发明人：符永宏;周云;杨泽檀;何玉洋;杨杰 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合织构PVD涂层刀具，所述刀具的刀‑屑接触区域内设有复合织构形貌，所述复合织构形貌表面涂覆涂层；所述涂层厚度至少小于0.1倍的复合织构形貌的深度。所述复合织构形貌包括凹坑和沟槽；若干所述凹坑阵列均布在刀‑屑接触区域，相邻每列所述凹坑之间设有沟槽。所述沟槽为线性沟槽或波浪形沟槽。本发明在刀‑屑接触区域加工凹坑与沟槽织构，在织构表面涂覆一层厚度较小的硬涂层，这样既能够实现复合织构的润滑性能，减小摩擦，又可以增加刀具的耐磨度，延长刀具的寿命。
一种复合 pvd 涂层刀具及其加工工艺

[发明专利]一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法-CN202310015042.1在审
发明人：张熠鑫;贾国;苏晓山;王大明;卢昂 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法，包括如下步骤：进行沟槽刻蚀，所述沟槽设置一拐点，所述拐点下部用于容纳多晶，所述拐点上部的沟槽宽度大于所述拐点下部的沟槽宽度；对沟槽依次进行氧化和多晶沉淀，然后进行退火处理；进行多晶刻蚀，形成多晶预期形貌；对整体结构进行氧化处理，使多晶异常部位完全氧化，并对产生的氧化层进行取出，得到多晶最终形貌。
一种改善 sgt 产品多晶形貌制造方法

[发明专利]改善沟槽形貌方法-CN201410043299.9有效
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善沟槽形貌方法。本发明改善沟槽形貌方法，包括在形成有沟槽的硅晶片表面制备一层多晶硅；采用热氧化法，对该多晶硅按照制备厚度进行氧化形成氧化层，并采用刻蚀法去除该氧化层；采用热氧化法，在去除该氧化层后形成的图案上，形成牺牲氧化层本发明，通过在形成有沟槽的硅晶片表面制备一层多晶硅、按照制备厚度进行氧化形成氧化层、去除该氧化层，使得新形成的图案在形成牺牲氧化层时，其表面二氧化硅的生长方向和生长速度基本一致，从而仅需要较薄的牺牲氧化层即可修复损伤的沟槽表面
改善沟槽形貌方法

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