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[发明专利]沉积腔室及具有该沉积腔室的薄膜沉积设备-CN202310552146.6在审
发明人：杜树春 -专利权人：无锡金源半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜沉积技术领域，公开了沉积腔室及具有该沉积腔室的薄膜沉积设备，包括：反应腔体、过渡板和稳流机构，反应腔体内设有腔室，腔室的底部设有排气孔，腔室的底部适于安装加热盘。过渡板靠近腔室的底部设置，且过渡板与腔室底部之间留有第一流通腔，过渡板上开设有多个通孔，且通孔与第一流通腔连通。稳流机构设置在腔室内，稳流机构与过渡板之间形成第二流通腔，第二流通腔经通孔与第一流通腔连通，稳流机构上表面环形均布设有多个稳流孔，腔室与第二流通腔经稳流孔连通。
沉积具有薄膜设备

[发明专利]外延沉积腔室-CN202280007026.1在审
发明人：刘树坤;布赖恩·海斯·伯罗斯;叶祉渊;理查德·O·柯林斯;朱恩乐;丹尼·D·王;沙尼什·奈利卡;中川敏之;阿布舍克·杜贝;阿拉·莫拉迪亚;卡蒂克·布彭德拉·仙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本文描述了一种处理腔室，该处理腔室包括腔室主体，此腔室主体具有设置在底板上方的顶板，其中底盘和注入器环设置在该顶板与该底板之间。上下夹环分别将上部和底板固定到位。上加热模块耦接至顶板上的上夹环。
外延沉积

[发明专利]真空沉积腔室-CN201710574813.5有效
发明人：斯蒂芬·班格特;安德烈亚斯·勒普;托马斯·格比利;乌韦·许斯勒;乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：描述一种真空沉积腔室。所述真空沉积腔室包括：材料沉积设备，具有分配管道；以及基板支撑件，用于在沉积期间支撑基板，其中所述材料沉积设备的至少一个分配管道与所述基板支撑件之间的距离小于250mm。
真空沉积

[发明专利]处理腔室沉积限制-CN202180082431.5在审
发明人： S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;S·河;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：示例性半导体处理系统可以包括腔室主体，该腔室主体包括侧壁和基部。该系统可包括延伸穿过腔室主体基部的基板支撑件。腔室主体可限定通路，该通路在该腔室主体的该基部处绕该基板支撑件周向地延伸。该系统可包括设置在腔室主体内的一个或多个隔离器。一个或多个隔离器可在一个或多个隔离器与腔室主体之间限定排放路径。排放路径可延伸到腔室主体的基部。该系统可包括流体源，该流体源在绕该基板支撑件延伸的该通路处与该腔室主体流体地耦接。
处理沉积限制

[发明专利]气相沉积腔室-CN202010631367.9有效
发明人：周志文 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种气相沉积腔室，包括：上外壁、反应基座、支撑环、下外壁、第一导流环，支撑环设置在所述上外壁和下外壁之间且与上外壁和下外壁连接，第一导流环和反应基座依次设置在所述支撑环的内侧，且第一导流环承载在下外壁，下外壁、第一导流环和反应基座形成第一子腔，在上外壁和反应基座之间形成第二子腔；第一导流环上构造有径向贯穿的进气通孔和偏离进气通孔的径向非贯穿的进气切槽，进气通孔与所述第一子腔连通以向第一子腔的内部引入清洗气体，进气切槽与所述第二子腔连通以向第二子腔的内部引入工艺气体。根据本申请的气相沉积腔室，可方便地对其进行清洁。
沉积

[发明专利]沉积腔室清洁方法-CN202210874547.9有效
发明人：张亚梅;李培培;周伟杰;苏欣;费腾 -专利权人：拓荆科技(北京)有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积腔室清洁方法，涉及半导体技术领域，沉积腔室包括腔体和清洁组件；所述清洁组件包括第一通道，所述第一通道的一端与所述腔体的底部连通，所述第一通道的另一端用于与等离子体连通；所述第一通道上设有第一阀件
沉积清洁方法

[发明专利]微体积沉积腔室-CN201780023308.X有效
发明人： D·R·杜波依斯;K·嘉纳基拉曼;祝基恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述了具有盖、基板支座及内挡环的处理腔室，该盖具有下表面，该基板支座具有面向该盖的上表面，该内挡环在该基板支座与该盖之间。描述了使用该处理腔室的方法。
体积沉积

[实用新型]气相沉积炉-CN201721832487.5有效
发明人：朱文博;银波;范协诚;王文;夏高强;薛明华 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相沉积炉，包括炉体，还包括炉体内设置的：加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物变成气体；沉积腔室，设置于加热腔室上方与加热腔室密封连接，且与加热腔室通过连通通道连通，沉积腔室内设置有可转动的沉积机构，沉积机构用于沉积产物，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛；接收机构，用于接收从沉积机构上落下的沉积产物，连通通道穿过接收机构伸入到沉积腔室。气相沉积炉中的沉积盘可旋转，从而使得沉积机构上沉积的产物均匀分布，提高了沉积产物的一致性。连通通道穿过接收机构伸入到沉积腔室，可以避免现有技术中沉积产物从连通通道与接收机构之间的空隙落入到加热腔室内。
沉积腔室沉积沉积产物加热腔室接收机构连通通道气相沉积炉沉积腔室内伸入反应生成产物本实用新型穿过加热原料开口调节密封连接沉积炉沉积盘加热腔可旋转可转动炉体落下连通开口体内

[发明专利]化学气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法-CN201710889409.7在审
发明人：王文;银波;范协诚;夏高强;薛明华;朱文博;夏进京 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积炉，包括炉体，还包括炉体内设置的：加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物升华；沉积腔室，与加热腔室密封连接，且与加热腔室连通，沉积腔室内设置有可转动的沉积盘，沉积腔室还包括对沉积盘冷却的冷却单元，沉积盘用于沉积产物，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛。本发明中的化学气相沉积炉中的沉积盘可旋转，从而使得沉积盘上沉积的产物均匀分布，提高了沉积产物的一致性，产物具有较高的质量稳定性，满足工业化生产需求。
沉积腔室沉积盘化学气相沉积炉加热腔室沉积产物沉积腔室内反应生成产物质量稳定性加热原料开口调节冷却单元密封连接氧化亚硅可旋转可转动炉体沉积连通冷却开口体内升华生产

[发明专利]一种半导体设备-CN201711266540.4有效
发明人：丁安邦;师帅涛;陈鹏;史小平;傅新宇;李春雷;荣延栋;何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。
一种半导体设备

[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统-CN201710997020.4有效
发明人： K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
包含沉积处理分开隔离区域系统

[发明专利]气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法-CN201711420170.5在审
发明人：朱文博;银波;范协诚;王文;夏高强;薛明华 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法，气相沉积炉包括炉体，还包括炉体内设置的：加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物变为气体；沉积腔室，与加热腔室密封连接，且与加热腔室连通，沉积腔室内设置有用于沉积产物的沉积机构，沉积机构为可转动的叶轮机构，沉积机构转动可将沉积于其上的沉积产物甩出，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛；接收机构，用于接收从沉积机构上甩出的沉积产物。本发明中的沉积机构转动可将沉积于其上的沉积产物甩出，大大提高了沉积产物的收集效率，沉积机构自身不断为新生成的沉积产物提供空白的沉积面，从而进一步提高了新生成的沉积产物的沉积效率。
沉积沉积产物沉积腔室加热腔室甩出气相沉积炉机构转动氧化亚硅沉积腔反应生成产物室内沉积效率加热原料接收机构开口调节密封连接收集效率叶轮机构沉积炉可转动炉体连通开口体内生产

[发明专利]气相沉积设备和气相沉积方法-CN202110586355.3在审
发明人：柳成龙;金京汉;劝炯斗;郑钟桓;崔庆五;崔承浩 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本公开涉及气相沉积设备和气相沉积方法。所述气相沉积设备包括：载体，在所述载体上安置有基底；沉积腔室，在所述沉积腔室中执行用于将沉积材料沉积到所述基底的沉积工艺；第二腔室，在所述第二腔室中搬运所述载体，在所述载体上安置有完成了所述沉积工艺的所述基底；以及第一腔室，包括机械臂，所述机械臂在真空状态下将完成了所述沉积工艺的所述基底与所述载体分离开以从所述第二腔室传送到所述第一腔室，其中，所述第二腔室始终保持真空状态。
沉积设备和气方法

[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统-CN201510736705.4有效
发明人： K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
包含沉积处理分开隔离区域系统

[发明专利]气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法-CN201711418958.2在审
发明人：朱文博;银波;范协诚;王文;夏高强;薛明华 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法，包括炉体，其特征在于，还包括炉体内设置的：加热腔室，用于加热原料反应生成产物并使得产物变成气体；沉积腔室，与加热腔室密封连接，且与加热腔室连通，沉积腔室内设置有用于沉积产物的沉积机构，沉积机构包括可转动的滚筒，升华的产物沉积到滚筒外表面，沉积腔室开设有沉积腔室开口，通过沉积腔室开口调节沉积腔室内的气氛；刮取机构，用于刮取滚筒外表面的沉积产物；接收机构，用于接收刮取机构刮取下来的沉积产物本发明的滚筒可转动，从而使得沉积机构上沉积的产物均匀分布，相对于现有技术中的平面的沉积机构，本发明中的滚筒的侧面积大，从而大大增加了单位体积的滚筒上的沉积面积。
沉积滚筒沉积腔室刮取沉积产物加热腔室氧化亚硅沉积腔可转动反应生成产物室内滚筒外表面气相沉积炉加热原料接收机构开口调节密封连接沉积炉平面的炉体连通开口体内升华生产

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