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[发明专利]共形且间隙填充非晶硅薄膜的沉积-CN201680060335.X有效
发明人：陈一宏;程睿;P·曼纳;K·陈;K·杰纳基拉曼;A·B·玛里克;S·冈迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环暴露至前体与除气环境，以移除从膜释出的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加间隙填充均匀度。
间隙填充非晶硅薄膜沉积

[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统-CN201710997020.4有效
发明人： K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
包含沉积处理分开隔离区域系统

[发明专利]半导体工艺设备-CN201610044160.5有效
发明人： K·杰纳基拉曼;H·K·波内坎蒂;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;M·斯里尼瓦桑 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体工艺设备。提供了一种用于处理基板的系统，所述系统包括第一平面电动机、基板载件、第一处理腔室以及第一升降器。第一平面电动机包括沿第一水平方向设置的第一线圈布置、平行于第一水平方向的顶表面、第一侧和第二侧。基板载件具有平行于第一水平方向的基板支撑表面。第一处理腔室具有用于接收设置在基板载件上的基板的开口。第一升降器包括第二平面电动机，所述第二平面电动机具有沿第一水平方向设置的第二线圈布置。第二平面电动机的顶表面平行于第一水平方向。第一升降器配置成用于在第一竖直位置与第二竖直位置之间移动第二平面电动机的顶表面。
半导体工艺设备

[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统-CN201510736705.4有效
发明人： K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
包含沉积处理分开隔离区域系统

[发明专利]用于改进的热传递和温度均匀性的加热的基座设计-CN201911327919.0在审
发明人： V·S·C·帕里米;Z·黄;J·李;S·拉达克里什南;程睿;D·N·凯德拉亚;J·C·罗查;U·M·科尔卡;K·杰纳基拉曼;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔;B·S·权 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
用于改进传递温度均匀加热基座设计

[实用新型]基座-CN201922311864.6有效
发明人： V·S·C·帕里米;Z·黄;J·李;S·拉达克里什南;程睿;D·N·凯德拉亚;J·C·罗查;U·M·科尔卡;K·杰纳基拉曼;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔;B·S·权 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
基座

[发明专利]供应清洁气体至工艺腔室的方法和系统-CN201310055064.7无效
发明人： R·萨卡拉克利施纳;D·杜鲍斯;G·巴拉苏布拉马尼恩;K·杰纳基拉曼;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;T·诺瓦克;V·斯瓦拉马克瑞希楠;H·姆萨德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-05-28 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： B08B5/00 文献下载
摘要：本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；以及气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内。第一气体导管是配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域，而第二气体导管是配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道。
供应清洁气体工艺方法系统

[发明专利]具有改进的密度和阶梯覆盖率的无定形碳膜的沉积方法-CN201210396144.4无效
发明人： D·帕德希;H-C·哈;S·拉蒂;D·R·威蒂;C·陈;S·帕克;G·巴拉苏布拉马尼恩;K·杰纳基拉曼;M·J·西蒙斯;V·斯瓦拉马克瑞希楠;B·H·金;H·姆塞德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
具有改进密度阶梯覆盖率无定形碳沉积方法

[发明专利]供应清洁气体至工艺腔室的方法和系统-CN200980124391.5有效
发明人： R·萨卡拉克利施纳;D·杜鲍斯;G·巴拉苏布拉马尼恩;K·杰纳基拉曼;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;T·诺瓦克;V·斯瓦拉马克瑞希楠;H·姆萨德 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-05-28 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提出一种用以清洁一工艺腔室的方法与设备。在一实施例中，本发明揭示一工艺腔室，其包括一远程等离子源与一具有至少两个工艺区域的工艺腔室。各工艺区域包括：一基材支撑组件，其设置在该工艺区域中；一气体散布系统，其配置以提供气体到该基材支撑组件上方的该工艺区域内；以及一气体通道，其配置以提供气体到该基材支撑组件下方的该工艺区域内。一第一气体导管是配置以将一清洁试剂从该远程等离子源经由该气体散布组件流入各该工艺区域，而一第二气体导管是配置以将来自该第一气体导管的该清洁试剂的一部分转向到各该工艺区域的该气体通道。
供应清洁气体工艺方法系统

[发明专利]等离子腔室中用于基板夹持的设备与方法-CN200780037481.1无效
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩;A·班塞尔;E·Y·朱科;M·阿优伯;H-J·金;K·杰纳基拉曼;S·拉蒂;D·帕德希;M·J·西蒙斯;V·斯瓦拉马克瑞希楠;B·H·金;A·阿巴亚缇;D·R·威蒂;H·姆塞德;A·巴利施尼科夫;C·陈;S·刘 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-04 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本发明大致上提供用以监测与维持一等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理一基板的方法，其至少包含：将基板定位在一静电夹具上；施加一RF功率于静电夹具中的一电极以及一反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加一DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的一虚拟阻抗。
等离子腔室中用于夹持设备方法

[发明专利]具有改进的密度和阶梯覆盖率的无定形碳膜的沉积方法-CN200780024531.2有效
发明人： D·帕德希;H-C·哈;S·拉蒂;D·R·威蒂;C·陈;S·帕克;G·巴拉苏布拉马尼恩;K·杰纳基拉曼;M·J·西蒙斯;V·斯瓦拉马克瑞希楠;B·H·金;H·姆塞德 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
具有改进密度阶梯覆盖率无定形碳沉积方法

[发明专利]改善PECVD不定形碳膜层的膜内缺陷的方法-CN200780023174.8有效
发明人： D·帕德希;C·陈;S·拉蒂;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·周;K·杰纳基拉曼;M·J·西蒙斯;V·斯瓦拉马克瑞希楠;D·R·威蒂;H·姆塞德 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件，以及多种制造该物件的方法。在一实施例中，本发明提供一种涂覆一物件的铝表面的方法，其中该物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供一处理腔室；置放该物件至该处理腔室内；使第一气体流入该处理腔室，其中该第一气体包含碳源；使第二气体流入该处理腔室，其中该第二气体包含氮源；在该处理腔室内形成等离子体；以及在该铝表面上沉积一涂覆材料。在一实施例中，涂覆材料包括一含不定形碳氮的层。在一实施例中，该物件包含一喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。
改善 pecvd 定形碳膜层缺陷方法

[发明专利]加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁-CN200680053046.3无效
发明人： T·诺瓦克;K·S·伊姆;S－Y·B·唐;K·D·李;V·N·T·恩古耶;D·辛格尔顿;M·J·西蒙斯;K·杰纳基拉曼;G·巴拉苏布拉马尼恩;M·阿优伯;W·H·叶;A·T·迪莫斯;H·M'沙迪 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： B08B6/00 文献下载
摘要：本发明揭示用以清洁用来处理含碳膜层(例如非晶形碳膜层，含硅与碳的阻障膜层，以及含硅、氧与碳的低介电常数膜层)的半导体处理腔室的方法。此方法包含在腔室中不存在有RF功率下使用一远程等离子体源以产生活性物质，其中该活性物质系清洁腔室的内表面。活性物质是从一含氧气体(例如O₂)与/或一含卤素气体(例如NF₃)所产生。一基于氧气的灰化过程也可以在腔室暴露于来自远程等离子体源的活性物质之前被用以从腔室内表面除去碳沉积物。
加强用于介电膜层远程等离子体清洁

[发明专利]具排气孔隙特征的气体散流喷气头-CN200480033987.1无效
发明人： S·贾诺拉基斯;K·杰纳基拉曼 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：根据本发明的具体实施例，是关于在一工件表面分布制程气体的系统与方法。根据本发明一具体实施例，制程气体是经由一气体散流喷气头所界定的数个孔隙而由一来源流动至一工件表面。该气体散流喷气头的特征亦在于具有可移除该晶片表面上材料的数个排气孔隙。由该喷气头排气孔隙所提供的补充排气可用以减少因流动通过该晶片表面径向所产生的气体速度变化，从而增强于该晶片边缘与中心间所得处理的一致性。该散流与排气孔径面积的比例可随该面板变化或维持固定。此外，可选择散流与排气孔隙的尺寸与数目，以最佳化通过该半导体晶片表面的气体散流。
排气孔隙特征气体喷气

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