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- [实用新型]薄膜沉积装置-CN202321020771.8有效
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请求不公布姓名
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无锡金源半导体科技有限公司
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2023-04-27
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2023-10-27
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C23C16/455
- 本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，公开了薄膜沉积装置，包括：基架、第一反应腔体和第二反应腔体。第一反应腔体设置在基架上，且第一反应腔体内部留有反应空腔，在反应空腔内可拆卸设置加热盘。第二反应腔体盖设在反应空腔上，第二反应腔体可开合设置在第一反应腔体上，第二反应腔体内设有喷淋板，喷淋板上开设有多个喷淋孔，喷淋孔适于朝向反应空腔内喷出反应气体对加热盘进行氟化处理，本实用新型通过向反应空腔内注入反应气体使加热盘表面形成氟化铝，氟化铝的化学性质非常稳定，能够有效防止加热盘与晶圆薄膜沉积的反应气体发生化学反应，防止加热盘消耗反应气体，同时可以延迟加热盘的使用寿命。
- 薄膜沉积装置
- [实用新型]一种半导体沉积装置-CN202320794615.0有效
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请求不公布姓名
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无锡金源半导体科技有限公司
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2023-04-11
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2023-10-27
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H01L21/687
- 本实用新型提供一种半导体沉积装置，其包括支架、腔体、加热部件和手动驱动机构，其中，腔体具有腔室，腔体设于支架上；加热部件一端设于腔室内，另一端向下延伸出腔体；手动驱动机构包括升降部件和与升降部件配合的转动部件，升降部件可升降地连接于支架上，加热部件的另一端与升降部件连接，转动部件转动时驱动升降部件升降。此结构的半导体沉积装置，手动转动转动部件，转动部件带动加热部件升降，即可调节加热部件在腔室内的高度，半导体沉积装置结构简单，无需设置升降电机，以降低沉积装置的制作成本；并且相比现有技术中升降电机竖直设置于加热部件的底部，可减少半导体沉积装置在竖直方向的占用空间。
- 一种半导体沉积装置
- [实用新型]一种加热盘及薄膜沉积设备-CN202320800931.4有效
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李镐赞
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无锡金源半导体科技有限公司
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2023-04-11
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2023-10-20
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H01L21/67
- 本实用新型公开了一种加热盘及薄膜沉积设备，加热盘包括载台、连接轴以及加热件，载台的任一端面成型为外沿高于中心的凹面结构，连接轴垂直连接于载台另一端面，凹面结构沿连接轴的轴线方向截面为弓形，凹面结构适于承载待加热的晶圆，且与晶圆围合成为工作腔。载台产生的热量传递至工作腔中，热量在工作腔中均匀化，在晶圆的下表面呈现均匀的热量，从而使得晶圆边缘处的受热与中心处的受热更加接近，更容易满足工艺要求的同时提高了良品率。同时，由于载台外沿高度高于中心区域，因此该加热盘的载台的边沿部分形变至与晶圆边缘脱离接触需要更长周期，从而缓解了由于载台形变带来的晶圆受热不均的问题，进一步提高了晶圆的良品率。
- 一种加热薄膜沉积设备
- [实用新型]一种喷淋组件及薄膜沉积装置-CN202321170850.7有效
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李镐赞
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无锡金源半导体科技有限公司
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2023-05-16
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2023-09-15
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C23C16/455
- 本实用新型的喷淋组件和薄膜沉积装置，包括上盖板、引流部、喷淋部以及加热器；所述上盖板的中央具有第一进气通道；所述引流部与所述上盖板共同限定形成预热气流路径，所述引流部底部的中央设有第二进气通道，所述加热器位于所述引流部内，且围绕所述第二进气通道设置；所述预热气流路径位于所述加热器与上盖板之间，且连通所述第一进气通道和所述第二进气通道，适于预热从所述第一进气通道至第二进气通道的反应气体。在第二进气通道上方设置预热气流路径，可以在反应气体从第二进气通道排出之前，提前进行预热，使反应气体后续喷淋至薄膜沉积装置的反应腔体时，减少反应气体温度不均匀的情况，提高了薄膜的沉积均匀性。
- 一种喷淋组件薄膜沉积装置
- [发明专利]沉积腔室及具有该沉积腔室的薄膜沉积设备-CN202310552146.6在审
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杜树春
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无锡金源半导体科技有限公司
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2023-05-16
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2023-08-11
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C23C16/44
- 本发明涉及薄膜沉积技术领域，公开了沉积腔室及具有该沉积腔室的薄膜沉积设备，包括：反应腔体、过渡板和稳流机构，反应腔体内设有腔室，腔室的底部设有排气孔，腔室的底部适于安装加热盘。过渡板靠近腔室的底部设置，且过渡板与腔室底部之间留有第一流通腔，过渡板上开设有多个通孔，且通孔与第一流通腔连通。稳流机构设置在腔室内，稳流机构与过渡板之间形成第二流通腔，第二流通腔经通孔与第一流通腔连通，稳流机构上表面环形均布设有多个稳流孔，腔室与第二流通腔经稳流孔连通。本发明使得晶圆表面流动的反应气体均匀的从晶圆中心向晶圆的四周扩散，保证晶圆上方反应气体的均匀性，进而保证晶圆表面的薄膜均匀。
- 沉积具有薄膜设备
- [发明专利]具有加热盘调平功能的薄膜沉积设备-CN202310519309.0有效
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刘亚
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无锡金源半导体科技有限公司
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2023-05-10
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2023-08-08
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C23C16/46
- 本发明涉及薄膜沉积设备技术领域，公开了具有加热盘调平功能的薄膜沉积设备，包括：反应室、加热盘、套筒和调平机构，反应室内设有反应腔，加热盘底面设有连接轴，连接轴适于插入密封套内。套筒设置在反应室的底部，套筒上开设多个调节孔。调平机构包括：调节轴、调节盘和调节件，调节轴穿入贯穿孔，调节轴的连接端与加热盘连接，调节轴的调节端设有调节盘。调节件上设有调节部，调节部用于支撑调节盘，调节件适于沿调节孔的轴向方向移动使得加热盘调平。本发明通过移动调节件使调节件沿调节孔的轴向方向移动，带动调节轴移动，使得倾斜的加热盘表面调整为水平状态，使晶圆放置在水平的加热盘表面进行薄膜沉积，保证晶圆沉积质量。
- 具有加热盘调平功能薄膜沉积设备
- [发明专利]一种喷淋组件及薄膜沉积装置-CN202310547454.X在审
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李镐赞
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无锡金源半导体科技有限公司
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2023-05-16
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2023-08-01
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C23C16/455
- 本公开的喷淋组件和薄膜沉积装置，包括上盖板、引流部、喷淋部以及加热器；所述上盖板的中央具有第一进气通道；所述引流部与所述上盖板共同限定形成预热气流路径，所述引流部底部的中央设有第二进气通道，所述加热器位于所述引流部内，且围绕所述第二进气通道设置；所述预热气流路径位于所述加热器与上盖板之间，且连通所述第一进气通道和所述第二进气通道，适于预热从所述第一进气通道至第二进气通道的反应气体。在第二进气通道上方设置预热气流路径，可以在反应气体从第二进气通道排出之前，提前进行预热，使反应气体后续喷淋至薄膜沉积装置的反应腔体时，减少反应气体温度不均匀的情况，提高了薄膜的沉积均匀性。
- 一种喷淋组件薄膜沉积装置
- [实用新型]一种圆形密封门-CN202221509827.1有效
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不公告发明人
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无锡金源半导体科技有限公司
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2022-06-15
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2022-12-27
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E06B7/22
- 本实用新型涉及密封装置技术领域，具体涉及一种圆形密封门，包括门板和密封件，门板包括密封面，密封面上设置有密封槽，其中，密封槽包括开口和底壁，开口小于底壁，密封件填充在密封槽内，且密封件的部分形状适应于密封槽的形状。密封件为弹性垫，安装密封件时，按压密封件，密封件变形并卡扣在密封槽内，拆卸密封件时，采用夹具夹持密封件，施加拉力，将密封件拉出密封槽，相对于以往密封件粘接在密封槽内的情况，本方案能最大程度防止半导体设备用的气体泄露和减少颗粒产生，又易于拆卸密封件，便于后期维护。
- 一种圆形密封
- [实用新型]一种密封门-CN202221512930.1有效
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不公告发明人
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无锡金源半导体科技有限公司
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2022-06-15
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2022-11-01
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E06B3/70
- 本实用新型涉及密封装置技术领域，具体涉及一种密封门，包括门板本体和设置在门板本体上的密封圈，门板本体上设置有连接孔，连接孔贯穿门板本体设置，且连接孔的长度方向与密封圈所在的侧壁平行，连接孔适于容置机械臂上的连接件，门板本体上设置有固定结构，固定结构适于将密封门固定在机械臂的连接件上，其中，当密封门与对应的门框错位时，可以使密封门在连接件上微调距离，然后再通过固定结构进行固定，使密封门与连接件对准密封。
- 一种密封
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