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[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统-CN201710997020.4有效
发明人： K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
包含沉积处理分开隔离区域系统

[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统-CN201510736705.4有效
发明人： K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
包含沉积处理分开隔离区域系统

[发明专利]胺硬化的硅-氮-氢薄膜-CN201180047951.9无效
发明人： E·O·索利斯;纪丽丽;赵月;A·B·马利克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-05 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明描述形成介电质层的方法。该方法可包含在基板上形成含硅氮氢层。该方法包含将该含硅氮氢层进行臭氧硬化，以将含硅氮氢层转变为含硅氧层。在臭氧硬化后，退火之前，在低温下将该层曝露至胺-水组合物中。胺硬化的存在允许在退火期间，在低温下更快速且完全地发生向含硅氧层的转化。该胺硬化亦使退火可使用较低氧化性的环境来实现向含硅氧层的转化。
硬化薄膜

[发明专利]用于氧化硅原子层沉积的嵌入式催化剂-CN201180044692.4无效
发明人： A·B·马利克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：描述由减少数量的前驱物达成催化性原子层沉积。沉积前驱物含有硅、氧及催化性配位基。使末端羟基化基板暴露于所述沉积前驱物下以于两个表面键结氧之间形成硅桥键。所述表面键结氧系两个表面键结羟基的一部分，且所述沉积前驱物的吸附作用游离出氢。所述硅原子亦与一个或两个附加氧原子化学键结，其中所述一个或两个附加氧原子系早已与同一个沉积前驱物分子内的硅化学键结。附加氧原子的至少一个进一步直接或通过烃链与所述催化性配位基化学键结。再者，使所述基板暴露于水气(H2O)导致发生所述附加氧被来自水气中的羟基所取代的置换反应。再次使所述表面进行末端羟基化，且可重复所述过程。所述反应的催化性质使所述沉积反应能够于低基板温度下发生。所述催化剂的化学嵌入性质提高每个循环的沉积作用，从而减少前驱物的暴露次数以生长相同厚度的膜。
用于氧化原子沉积嵌入式催化剂

[发明专利]自由基成分CVD的原位臭氧固化-CN201080062197.1无效
发明人：王琳林;A·B·马利克;N·K·英格尔;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本案描述用以形成介电层的方法。所述方法包含混合含硅前驱物及等离子体流出物的步骤，以及在基板上沉积含硅及氮的层的步骤。通过在用来沉积所述含硅及氮的层的同一基板处理区域内在含臭氧气氛中进行固化，使所述含硅及氮的层转化成含硅及氧的层。可在所述含硅及氧的层上沉积另一含硅及氮的层，并且所述层堆叠可在臭氧中再次固化，皆无需从所述基板处理区域中移除所述基板。待完成整数倍的沉积-固化循环之后，可在含氧环境中在较高温度下退火以进行所述含硅及氧的层堆叠的转化。
自由基成分 cvd 原位臭氧固化

[发明专利]不含碳自由基成分CVD膜的氧掺杂-CN201080057867.0无效
发明人： N·K·英格尔;A·B·马利克;E·O·索利斯;N·科瓦斯基;O·柳比莫瓦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：描述形成氧化硅层的方法。方法包括将自由基前体与自由基氧前体两者同时与不含碳的含硅前体结合的步骤。自由基前体与含硅前体之一包含氮。方法造成沉积含硅-氧-与-氮层于基板上。接着提高含硅-氧-与-氮层的氧含量以形成可能含有非常少量氮的氧化硅层。可在不同等离子体或相同等离子体中产生自由基氧前体与自由基前体。通过在含氧气氛存在下退火层而引起氧含量的提高，并通过在惰性环境中将温度提至更高而进一步提高薄膜的密度。
不含碳自由基成分 cvd 掺杂

[发明专利]在流动式CVD工艺所形成的介电材料上进行的湿法氧化工艺-CN201080055791.8无效
发明人： L·王;A·B·马利克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供在含硅介电材料上进行湿法氧化工艺的方法，该含硅介电材料填充在基板内所界定的沟槽或孔洞内。在一实施例中，在基板上形成介电材料的方法包括藉由流动式CVD工艺在基板上形成介电材料、固化设置在基板上的介电材料、在设置在基板上的介电材料上进行湿法氧化工艺，以及在基板上形成经氧化介电材料。
流动 cvd 工艺形成材料进行湿法氧化

[发明专利]用于含碳膜的硅选择性干式蚀刻方法-CN201080047977.9有效
发明人： K·萨普瑞;J·唐;L·王;A·B·马利克;N·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiTM蚀刻期间导入，以进一步改善有效的蚀刻速率。
用于含碳膜选择性蚀刻方法

[发明专利]形成氮化硅基薄膜或碳化硅基薄膜的方法-CN200980139851.1无效
发明人： A·B·马利克;S·D·纳马尼 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本文提供一种沉积氮化硅基介电层的方法。该方法包括引导一硅前体及一氮自由基前体至一沉积腔室中。该硅前体具有N-Si-H键、N-Si-Si键及/或Si-Si-H键。该氮自由基前体实质上不含氧。该氮自由基前体是在沉积腔室外部产生。该硅前体和该氮自由基前体彼此反应而形成氮化硅基介电层。
形成氮化薄膜碳化硅方法

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