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[发明专利]制作氮化镓系基板的方法-CN200710139135.6无效
发明人：陈政权 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制作氮化镓系基板的方法，先进行准备步骤准备一块磊晶成长氮化镓系材料的磊晶基板，接着以凸块形成步骤自磊晶基板向上形成多个呈现间隔散布且主要由氮化镓系材料构成的凸块，再以横向磊晶步骤自凸块端部横向磊晶成长形成一层基础层，然后以增厚步骤累积增厚基础层至不小于500μm而成该氮化镓系基板，最后以温度变化步骤，自实施增厚步骤的温度范围降温而使该氮化镓系基板与磊晶基板释出热应力进而破坏该多个凸块的墩部，进而直接分离磊晶基板与氮化镓系基板，得到厚度在500μm以上的氮化镓系基板。
制作氮化镓系基板方法

[发明专利]一种生长氮化镓系薄膜的复合衬底及其制备方法和应用-CN201210393338.9无效
发明人：庄文荣;孙明 -专利权人：江苏汉莱科技有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种生长氮化镓系半导体薄膜的复合衬底及其制备方法和其应用，本方法通过在MOCVD磊晶生长氮化镓系薄膜前对传统的磊晶衬底即本发明所述的衬底，进行溅射镀膜处理，形成与氮化镓系薄膜更为匹配的复合衬底材料，用于生长氮化镓薄膜。
一种生长氮化薄膜复合衬底及其制备方法应用

[发明专利]发光二极管芯片-CN200510114474.X有效
发明人：武良文;简奉任 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片，其主要包括基板、第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、至少一掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层及至少一穿隧接合层。掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层设置于发光层的至少其中一表面上，且穿隧接合层设置于掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与第一型掺杂半导体层之间及/或掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与第二型掺杂半导体层之间，其中掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与穿隧接合层是位于发光层的同一侧
发光二极管芯片

[发明专利]氮化镓自立基板、发光元件及它们的制造方法-CN201580001462.8有效
发明人：渡边守道;吉川润;七泷努;今井克宏;杉山智彦;吉野隆史;武内幸久;佐藤圭 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
氮化自立发光元件它们制造方法

[发明专利]一种增强型氮化镓晶体管及其制备方法-CN201810507252.1在审
发明人：于洪宇;章剑 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型氮化镓晶体管及其制备方法。该晶体管包括：基底，基底包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的栅区；氮化镓调制栅，位于栅区，氮化镓调制栅包括掺杂P型离子的氮化镓材料；源极及漏极，源极位于源区，漏极位于漏区；栅极金属层，位于氮化镓调制栅的远离基底的表面上，栅极金属层至少包括镧系金属层，镧系金属层与氮化镓调制栅接触。本发明实施例提供的增强型氮化镓晶体管，通过在氮化镓调制栅远离基底的一侧设置镧系金属层，并使镧系金属层与氮化镓调制栅接触，在增强型氮化镓晶体管工作时，需要提供更高的电压才能使源极和漏极之间的沟道导通，因此，提高了增强型氮化镓晶体管的栅极阈值电压，减少了栅极漏电流。
增强型氮化镓晶体管氮化镓调制镧系金属基底漏极漏区源极源区栅极金属层栅接触栅区制备栅极阈值电压氮化镓材料栅极漏电流掺杂P型晶体管导通沟道离子

[发明专利]氮化镓系二极管及其制造方法-CN201410369784.5在审
发明人：竹谷元伸;李康宁 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开氮化镓系二极管及其制造方法，本发明的氮化镓系二极管包括：本征氮化镓系半导体层；第一导电型氮化镓系半导体层，与所述本征氮化镓系半导体层接合；第一电极，位于所述本征氮化镓系半导体层的与所述第一导电型氮化镓系半导体层的接合面的相反面；第二电极，位于所述第一导电型氮化镓系半导体层的与所述本征氮化镓系半导体层的接合面的相反面；以及第二导电型耐压层，形成于与所述第一电极的边缘相接的所述本征氮化镓系半导体层的局部区域。
氮化二极管及其制造方法

[发明专利]氮化镓基板的制作方法-CN201110025728.6无效
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基板的制作方法，其首先在一个氮化镓单晶基板中形成一层离子植入层从而将氮化镓单晶基板分成两个部分，然后利用接合金属层将氮化镓单晶基板与辅助基板连接在一起，最后通过加热使离子植入层形成断裂，使氮化镓单晶基板与辅助基板分离同时，氮化镓单晶基板将在辅助基板的表面留下一层氮化镓薄膜，从而形成氮化镓基板。利用从氮化镓单晶基板中分离出来的氮化镓薄膜来生长氮化物系半导体材料，其生产成本较低并且所生长的半导体材料晶格缺陷较少。
氮化镓基板制作方法

[发明专利]发光二极管芯片-CN200910131545.5无效
发明人：武良文;简奉任 -专利权人：璨扬投资有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片，其主要包括基板、第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、至少一掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层及至少一穿隧接合层。掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层设置于发光层的至少其中一表面上，且穿隧接合层设置于掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与第一型掺杂半导体层之间及/或掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与第二型掺杂半导体层之间，其中掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与穿隧接合层是位于发光层的同一侧
发光二极管芯片

[发明专利]氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法-CN02146269.0有效
发明人：蓝文厚;陈隆建;简奉任 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2002-10-17 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法。首先，提供一基板，然后，形成一氮化镓系半导体叠层于基板上，此氮化镓系半导体叠层由下至上依序堆叠有一N型氮化镓系接触层、一发光堆叠层及一P型氮化镓系接触层。接着，形成一数字穿透层于P型氮化镓系接触层上，再以干蚀刻法向下依序蚀刻数字穿透层、P型氮化镓系接触层、发光堆叠层、N型氮化镓系接触层并终止于N型氮化镓系接触层内，以形成一N－金属(N－Metal)形成区接下来，分别形成一第一欧姆接触电极于P型氮化镓系接触层上以作为P型欧姆接触用，一第二欧姆接触电极于N－金属形成区之上以作为N型欧姆接触用。
氮化发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法-CN94106935.4无效
发明人：中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1994-04-28 - 公布日： 1999-11-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件具有在基片上形成的氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层、及接连该半导体层形成的欧姆电极。欧姆电极包含金属材料，经退火处理。
氮化化合物半导体器件及其制造方法

[实用新型]氮化镓系发光二极管的构造-CN200420092593.0无效
发明人：赖穆人 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系发光二极管的构造，它的主要构造包括有一基板、一n型氮化镓系层、一发光层、一p型氮化镓系层、一织状纹路层、一p型氮化镓系层、一导电透光氧化层、一第一电极及一第二电极；n型氮化镓系层是位于该基板的上方，且具有表面织状化的欧姆接触区域；发光层是位于该n型氮化镓系层的上方；p型氮化镓系层是位于该发光层的上方；织状纹路层是位于p型氮化镓系层的上方；导电透光氧化层是位于织状纹路层的上方，并与织状纹路层形成欧姆接触；第一电极是与n型氮化镓系层具表面织状化的欧姆接触区域电性耦合；第二电极是与导电透光氧化层电性耦合。
氮化发光二极管构造

[发明专利]氮化镓系发光二极管-CN200410080143.4有效
发明人：武良文;涂如钦;游正璋;温子稷;简奉任 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2004-09-23 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管最主要的差异是，利用氮化硅(SiN)、氮化硅与未掺杂的氮化铟镓(InGaN)形成的短周期(ShortPeriod)超晶格(Superlattice)结构、和氮化硅与未掺杂的氮化铝铟镓在该薄层上，由于其氮化硅材质的成长，使得氮化镓系发光二极管的表面被微粗化。这样，可以避免氮化镓系发光二极管比空气具有高的折射率导致内部全反射，进而提升氮化镓系发光二极管的外部量子效率以及发光效率。
氮化发光二极管

[发明专利]氮化镓系发光二极管的制造方法-CN200910057027.3无效
发明人：蓝文厚;杨光能;简奉任 -专利权人：山东璨圆光电科技有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓系发光二极管的制造方法。首先，提供一成长基板；然后，在基板上形成一氮化镓系半导体外延层，此氮化镓系半导体外延层依次层叠有一N型氮化镓系层、一发光层及一P型氮化镓系层，在P型氮化镓系层上形成一数码穿透层。接着，再以干法刻蚀工艺依次刻蚀数码穿透层、P型氮化镓系层并终止于发光层，以在发光层形成N-金属形成区。本发明可大幅增加氮化镓系发光二极管的发光效率。
氮化发光二极管制造方法

[发明专利]一种含氧复合缓冲层结构及提高氮化镓系外延层晶体质量的方法-CN201810780248.2在审
发明人：武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种含氧复合缓冲层结构及提高氮化镓系外延层晶体质量的方法。本发明包括衬底加热处理、衬底表面离化处理、高含氧氮化铝层溅射、低含氧氮化铝层溅射和外延层生长五个阶段。本发明通过调变在蓝宝石基板上利用磁控反应溅射沉积氮化铝薄膜时,通入氧气溅镀多层不同含氧量的氮化铝薄膜层,最终获得匹配外延层生长的高晶体质量氮化铝复合薄膜过渡层。本发明的优点：通过在蓝宝石基板上构建一种含氧组份不同的氮化铝复数层薄膜结构材料作为缓冲层成长氮化镓系外延层，能明显提高氮化镓系外延层晶体质量。
含氧氮化镓系外延层蓝宝石基板外延层晶体氮化铝层氮化铝溅射磁控反应溅射氮化铝薄膜层氮化铝薄膜复合缓冲层薄膜结构衬底表面衬底加热复合薄膜含氧量复数层高晶体过渡层缓冲层生长调变多层构建溅镀离化组份沉积匹配氧气

[发明专利]氮化镓系半导体的成长方法-CN200610001595.8有效
发明人：陈政权;陈铭章;洪昆明 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系半导体的成长方法，用于提供一个制造固态半导体发光装置所需要的基础，该成长方法包含下列步骤：提供一块基材，在该基材上形成多个间隔散布的氮化镓系材料的岛状凸块，在上述岛状凸块上形成一层由氮化镓系为主的材料所制成的基础层
氮化半导体成长方法

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