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[发明专利]一种屏蔽栅功率器件及制造方法-CN201711275080.1在审
发明人：肖胜安 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体芯片技术领域，提供了一种屏蔽栅功率器件及制造方法，屏蔽栅功率器件中包括了半导体衬底、外延层、氧化层、场板、栅极、栅极氧化层、层间绝缘层、源极、通孔、离子注入区、沟道区；氧化层位于场板与外延层之间，氧化层至少包括第一氧化层和第二氧化层，第一氧化层具有第一厚度，第二氧化层具有第二厚度，第一氧化层靠近栅极氧化层，第二氧化层靠近半导体衬底，第二厚度大于第一厚度；通过采用较薄的第一氧化层使得场板在低压状态下便开始发挥对漂移区的耗尽作用，而第二氧化层的厚度保持不变使得屏蔽栅功率器件承受的击穿电压不发生改变，避免了屏蔽栅功率器件击穿电压的降低。
氧化层功率器件屏蔽栅场板栅极氧化层击穿电压外延层衬底半导体半导体芯片层间绝缘层离子注入区低压状态沟道区漂移区通孔源极耗尽制造

[发明专利]一种制备栅极氧化层的方法-CN201310120029.9有效
发明人：张雪琴;罗飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明一般涉及CMOS半导体器件制造工艺，具体涉及一种提高栅极氧化层的稳定性的方法，包括以下步骤：填充氧化物充满浅沟槽隔离区并覆盖剩余硅化物层的上表面，形成氧化物层；采用平坦化工艺去除部分氧化物层，暴露出剩余硅化物层的上表面，并在浅沟槽隔离区形成氧化隔离层；移除剩余硅化物层及剩余衬垫氧化层暴露出剩余剩余衬底的上表面；于剩余衬底暴露部分的表面生长一层牺牲氧化层，以该牺牲氧化层为阻挡层进行离子注入工艺后，去除该牺牲氧化层，并继续进行清洗工艺；于剩余衬底的暴露部分的上表面生长一层厚栅极氧化层至氧化隔离层的上表面。本发明可保证生长栅氧化层的厚度的均匀度，提高了栅氧化层的稳定性。
一种制备栅极氧化方法

[发明专利]一种掩膜结构及掩膜结构的制作方法-CN201610394660.1在审
发明人：贺冠中 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜结构及掩膜结构的制作方法，包括位于衬底上的氧化层和位于所述氧化层上的绝缘层，在所述氧化层上设有氧化层沟槽，在所述绝缘层上设有与氧化层沟槽贯穿的绝缘层沟槽，氧化层沟槽的宽度大于绝缘层沟槽的宽度一种的掩膜结构的制作方法，包括在衬底上依次形成氧化层和绝缘层；在所述氧化层和所述绝缘层上刻蚀出贯穿且等宽的沟槽；继续刻蚀氧化层，以形成沟槽宽度大于绝缘层沟槽宽度的氧化层沟槽。
一种膜结构制作方法

[实用新型]一种氧化锌抗菌浸渍胶膜纸及其生产装置-CN202221468639.9有效
发明人：吉军;王超;赵佶;潘燕伟;左付燕 -专利权人：山东爱格装饰材料有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： D21H27/28 文献下载
摘要：一种氧化锌抗菌浸渍胶膜纸及其生产装置，涉及浸渍胶膜纸技术领域，解决了现有技术浸渍胶膜纸抗菌物质具有副作用和抗菌效果不好的问题，包括：原纸层、氧化锌抗菌层、胶层和涂布层，所述氧化锌抗菌层包括内层氧化锌抗菌层和外层氧化锌抗菌层，所述内层氧化锌抗菌层通过喷淋的方式设置在原纸层上，所述胶层设置在内层氧化锌抗菌层的上部，所述涂布层设置在胶层的上部，所述外层氧化锌抗菌层通过喷淋的方式设置在涂布层的上部；通过增加内层氧化锌抗菌层和外层氧化锌抗菌层
一种氧化锌抗菌浸渍胶膜及其生产装置

[发明专利]栅极氧化层的形成方法-CN201010620563.2有效
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极氧化层的形成方法，包括：提供衬底，通过热氧化工艺，在所述衬底上形成栅极氧化层，其中，所述热氧化工艺的反应气体至少包含有氧化亚氮。本发明通过热氧化工艺，在至少包含有氧化亚氮的气体中通过氧化工艺生成栅极氧化层，使得所述栅极氧化层中具有微量或痕量的氮元素，所述氮元素可以阻止后续注入的掺杂离子扩散到栅极氧化层内，避免扩散至栅极氧化层内的掺杂离子对栅极氧化层造成损伤，使得所述栅极氧化层具有良好的薄膜特性，改善栅极氧化层的漏电现象，提高半导体器件的电学性能。
栅极氧化形成方法

[发明专利]LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及其制备方法-CN201910435315.1有效
发明人：吴亚贞;刘长振 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供的一种LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及其制备方法，该制备方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一氧化层和第二氧化层；在所述第二氧化层上形成图形化的光刻胶层；以及以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述第二氧化层进行刻蚀工艺，并清除所述图形化的光刻胶层，以形成LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构。本发明将现有的ONO叠层的场氧化层隔离结构替换为由第一氧化层和第二氧化层组成的叠层的场氧化层隔离结构，以减低场氧化层隔离结构对LDMOS晶体管的电气特性的影响。进一步的，在所述第二氧化层上形成保护层，以减低后续离子注入工艺、清洗工艺等对场氧化层隔离结构的损伤。
ldmos 晶体管氧化隔离结构及其制备方法

[实用新型]一种门锁和门把手安装板-CN201120257513.2有效
发明人：唐剑峰 -专利权人：苏州唐峰金属制品有限公司
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种门锁和门把手安装板，包含安装板基体；所述安装板基体上设有合金层；所述安装板基体和合金层外设有防氧化层；所述防氧化层为油漆层；所述防氧化层为防氧化金属层；所述防氧化层金属层为锌层；所述防氧化层金属层为锡层；本实用新型的门锁和门把手安装板，由于设置了合金层，所述基体和合金层外设有防氧化层，有效防止安装板发生氧化现象，保持了安装板光泽度。
一种门锁门把手安装

[实用新型]一种石墨烯基三层复合膜-CN201921859645.5有效
发明人：聂玉静;黄新宇 -专利权人：闽南师范大学;福建壹工软包装科技有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯基三层复合膜，包括第一氧化石墨烯保护层、第一氧化石墨烯层、加固层、第二氧化石墨烯层、铜箔层、第三氧化石墨烯层、第二氧化石墨烯保护层，所述第一氧化石墨烯保护层的底端设有第一氧化石墨烯层，所述第一氧化石墨烯层的底端设有加固层，所述加固层的底端设有第二氧化石墨烯层，本石墨烯复合膜采用第一氧化石墨烯层、加固层、第二氧化石墨烯层、铜箔层、第三氧化石墨烯层复合来提高阻隔性能、耐挤压、耐撕扯性能、导热性能和整体的稳定性能，采用第一氧化石墨烯保护层和第二氧化石墨烯保护层提高石墨烯基三层复合膜的耐火性和耐腐蚀性能，对氧化石墨烯层进行保护，从而提高石墨烯基三层复合膜的使用寿命。
一种石墨三层复合

[发明专利]调节和确定氧化层循环位置的方法-CN201410084100.7无效
发明人：王万利 -专利权人：王万利
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C10J3/00 文献下载
摘要：调节和确定氧化层循环位置的方法，涉及煤气的生产方法，调节气化剂蒸气流量和蒸气压力，依据气化效率，确定氧化层循环位置在炉篦以上100-450mm；渣层温度低，氧化层循环位置高，渣层温度高，氧化层循环位置低；维持确定的氧化层循环位置稳定。减少或消除氧化层循环位置底线，高于温度显示的氧化层底线，减少二底线距离波动。改变氧化层循环位置，渣层温度稳定了，气化效率稳定，显示升或降。调节气化剂中蒸气含量的方法。调节氧化层循环位置的方法。氧化层循环的第三个环节探火，时间固定；开气封，炉内煤气压力增量相等。开关气封引起的氧化层变化与氧化层循环同步。本发明的优点在于，减少结渣，提高、稳定气化效率。
调节确定氧化循环位置方法

[发明专利]金红石结构氧化钛的制备方法及其叠层结构-CN201210379786.3有效
发明人：谢君毅;威斯瓦那斯·保哈;詹妮佛·西格曼;瓦西尔·安托诺夫;徐薇惠 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-10-09 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明揭示形成一种金红石结构氧化钛的叠层结构及其制备方法，其包含形成一氧化钌层于一基板上；形成一氧化镨层于该氧化钌层上；形成一氧化钛层于该氧化镨层上；其中形成于该氧化镨层上的氧化钛层具有一金红石结构。该氧化层是由多个原子层沉积周期而形成，其中该原子层沉积周期使用含有钌的前驱物、镨的前驱物、钛的前驱物以及臭氧。
金红石结构氧化制备方法及其

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380043764.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层，与氧化物半导体层重叠的栅电极层(在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间设置有栅极绝缘层)，以及第一氧化物绝缘层及第二氧化物绝缘层(在所述第一氧化物绝缘层及所述第二氧化物绝缘层之间夹有氧化物半导体叠层)。第一至第三氧化物半导体层中的每个包含铟、镓及锌。第二氧化物半导体层中的铟的比例比第一及第三氧化物半导体层中的每个的铟的比例多。第一氧化物半导体层是非晶的。第二及第三氧化物半导体层都具有晶体结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]PMOS硅基底凹陷工艺-CN200910200992.1有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型金属氧化物半导体管硅基底凹陷工艺：在半导体衬底，即硅基底上依次形成栅氧化层、多晶硅层和接触氧化硅层；对所述多晶硅层掺杂之后，在接触氧化硅层的表面形成低温氧化物层；在低温氧化物层的表面形成图案化的光阻胶层，定义所述多晶硅层形成栅极的位置；以图案化的光阻胶层为掩模，依次刻蚀低温氧化物层、接触氧化硅层、多晶硅层及栅氧化层，并去除图案化的光阻胶层；形成位于栅氧化层、多晶硅层、接触氧化硅层和低温氧化物层两侧的氮化硅侧壁层；刻蚀具有侧壁层的多晶硅层两侧的半导体衬底，形成硅基底凹陷区；在硅基底凹陷区中外延生长硅锗聚合体。
pmos 基底凹陷工艺

[发明专利]用于半导体装置制造的衬底处理方法-CN201810626640.1有效
发明人：拉马·I·赫格德 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种去除氧化物层的方法。金属层沉积在形成于锗衬底的顶表面处的氧化物层上。金属氧化物层沉积在所述金属层上。所述金属氧化物层包括与所述金属层相同的金属材料。所述金属层和所述氧化物层反应并且与所述金属氧化物层组合以在退火处理期间形成介电层。在所述退火处理期间，所述氧化物层与所述金属层反应并且被去除。
用于半导体装置制造衬底处理方法

[发明专利]一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法-CN202110900637.6在审
发明人：代萌 -专利权人：江苏格瑞宝电子有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决SGT‑MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，包括如下步骤：生长外延层，淀积掩蔽层，淀积光刻胶，沟槽光刻，沟槽刻蚀，掩蔽层移除，场氧化层生长，屏蔽栅多晶硅填充，屏蔽栅多晶硅刻蚀，场氧化层沟槽光刻，场氧化层浅沟槽填充形成掩膜层，场氧化层掩膜层光刻，场氧化层刻蚀，场氧化层掩膜层去除；生长栅氧化层，淀积栅多晶硅并刻蚀并形成MOSFET的栅极。本发明通过在深沟槽两头的场氧化层中形成垂直于深沟槽的另一沟槽，并在其中填充氮化硅，利用氮化硅阻隔场氧化层的横向刻蚀，从而有效解决场氧化层的过腐问题；相对于现有技术，本发明在不用牺牲芯片面积的前提下，解决场氧化层过腐的问题
一种解决 sgt mosfet 氧化横向问题制备方法

[实用新型]一种低反射ITO膜-CN202122484683.0有效
发明人：高毓康;陈超;王志坚;陈涛;赵飞 -专利权人：浙江日久新材料科技有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低反射ITO膜，包括基材层，所述基材层的上表面镀有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层的上表面镀有第一氧化铟锡层，所述第一氧化铟锡层的上表面镀有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的上表面镀有第二氧化铟锡层本实用新型通过在原来的导电膜结构上增设一层额外的二氧化硅层和氧化铟锡层，形成二氧化硅+氧化铟锡+二氧化硅+氧化铟锡的四层结构，有效降低了导电膜的反射率，减少了色差，提高了人们的视觉体验；不同镀膜厚度有不同方阻，通过控制二氧化硅层和氧化铟锡层的厚度，可以满足不同的方阻需求。
一种反射 ito

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