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[实用新型]一种背光源用的FPC及背光源-CN201721179028.1有效
发明人：周福新;郭文;林文峰;赖春桃;付常露;何方根;戴佳民 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背光源用的FPC，其包括基材、形成在基材正面的正面线路层和正面金属导热层、形成在正面线路层和正面金属导热层上方的正面覆盖膜、形成在基材背面的背面金属导热层，正面金属导热层与正面线路层不连接，正面金属导热层与背面金属导热层经若干过孔导通连接。本FPC在正反面设置有相互导通的正面金属导热层和背面金属导热层，使LED焊盘处热量能迅速传导至背面，同时正面大面积的正面金属导热层能够使热能更快地扩散开，避免局部热量聚集；同时去掉背面金属导热层区域的覆盖膜，使背面金属导热层能通过导热胶与金属架直接粘贴，热量能有效直接传递给金属架，提升背光源自身的散热能力。
一种背光源 fpc

[发明专利]一种埋线覆金属板、线路板、LED灯带及其制作方法-CN202310520947.4在审
发明人：王定锋;代宏信;徐磊;王晟齐;徐文红 -专利权人：铜陵国展电子有限公司
申请日： 2023-04-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种埋线覆金属板、线路板、LED灯带及其制作方法，其中线路板包括背面阻焊层、中间线路层和正面线路层，背面阻焊层、中间线路层和正面线路层上下依次叠加，还包括有胶粘剂，胶粘剂将背面阻焊层、中间线路层和正面线路层结合在一起，正面线路层和中间线路层在部分位置重叠形成双层金属位，正面线路层和中间线路层在部分位置不重叠形成单层金属位，双层金属位的金属厚度大于单层金属位的金属厚度，在双层金属位，正面线路层与中间线路层之间通过胶粘剂粘结固定，正面线路层与中间线路层之间导通；还包括正面阻焊层，正面阻焊层设置在正面线路层或/和中间线路层上。
一种埋线覆金属板线路板 led 及其制作方法

[发明专利]晶圆正面蒸金的方法-CN201711130964.8在审
发明人：王鹏;刘宇;李秀莹 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆正面蒸金的方法，所述晶圆的正面形成有金属区和绝缘区；在所述绝缘区和所述金属区的边缘部分覆盖一层光刻胶层，再在所述光刻胶层和所述剩余的金属区上形成金属层，去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层，本发明提供的晶圆正面蒸金的方法将光刻胶层覆盖所述金属区的边缘部分，将所述金属层覆盖至剩余的金属区和光刻胶层上，所述正面金属的金属材料与所述金属区的粘附力大于所述正面金属与所述光刻胶层的粘附力，利用金属材料在光刻胶层和在金属上的粘附力差别，后续可以轻易的去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层，而不会使正面金属发生剥离或翘起。
正面方法

[实用新型]一种降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片-CN201720881631.8有效
发明人：李江华;孙效中;汤为 -专利权人：常州旺童半导体科技有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其是一种降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片，具有芯片本体，所述芯片本体包括有背面金属层、正面金属层以及设在背面金属层与正面金属层之间的衬底，背面金属层的面积大于正面金属层的面积，所述的衬底与背面金属层接触面且靠近边缘处均设有绝缘层，降低芯片背面边缘的电流密度，让达到芯片正面的电流更加均匀，降低芯片正面边缘的电流密度，降低芯片正面边缘损坏的机率，提高芯片的良率和可靠性，并且使用寿命长
一种降低正面边缘损坏风险 mosfet 芯片

[实用新型]一种半导体器件-CN202023102765.6有效
发明人：蔡文必;郭佳衢 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，包括半导体基底，半导体基底的正面设有主动元件和/或被动元件、正面金属互连层和金属柱，所述正面的主动元件和/或被动元件通过正面金属互连层电连接，所述金属柱连接正面金属互连层作为引出端；背面设有被动元件、背面金属互连层和接线端，所述背面的被动元件通过背面金属互连层电连接，所述接线端连接背面金属互连层作为引出端；所述半导体基底具有穿透所述正面和背面的通孔，所述通孔内壁设有导电层，所述导电层电连接所述正面金属互连层和背面金属互连层本实用新型可大幅有效缩小芯片所需的面积，满足高度集成化和小型化的双重需求，且采用金属柱作为引出端可提升散热及性能，顺应5G封装的需求。
一种半导体器件

[实用新型]一种单面钝化接触的太阳能电池-CN202121362842.3有效
发明人：陈姝;陈达明;张学玲;皮埃尔·J·威灵顿;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单面钝化接触的太阳能电池，所述的太阳能电池包括衬底，所述衬底的背面依次层叠设置有背面隧穿氧化层、背面掺杂多晶硅层和背面减反层，所述的背面减反层表面形成背面金属栅线，所述的背面金属栅线与背面掺杂多晶硅层钝化接触；所述的衬底正面依次层叠设置有正面氧化层和正面减反层，所述的正面氧化层和正面衬底之间设置有正面磷掺杂层，所述的正面减反层表面形成正面金属栅线，所述的正面金属栅线与正面磷掺杂层接触。
一种单面钝化接触太阳能电池

[实用新型]一种正面金属为银的瞬态电压抑制器-CN201721917324.7有效
发明人：吴昊;余晓明 -专利权人：深圳傲威半导体有限公司
申请日： 2017-12-31 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型提出一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面通过压焊连接正面极板，背面金属层表面通过压焊连接背面极板。该瞬态电压抑制器的正面金属为钛镍银，可以通过焊锡直接与极板压焊在一起，接触面积较大，能起到更好的接触，寄生电容较小。
钛镍银瞬态电压抑制器压焊背面金属层正面金属层芯片本体金属层金属极板制作本实用新型金属层表面寄生电容正面极板铝硅铜焊锡铝铜背面

[发明专利]压接式IGBT的正面金属工艺-CN201410418398.0有效
发明人：刘建华;李雪萍 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种压接式IGBT的正面金属工艺，包括步骤在层间介质层上淀积第一正面金属层；对第一正面金属层作湿法刻蚀，在层间介质层上形成上宽下窄的第一凹槽；在当前结构的所有表面上淀积阻挡层，并将需要形成厚金属的区域处的阻挡层窗口打开；对窗口打开后暴露出的第一正面金属层表面作淀积前的预处理，去除掉氧化层；在当前结构的所有表面上淀积第二正面金属层；对第二正面金属层作湿法刻蚀，在其中形成侧壁倾斜、导向第一凹槽的上宽下窄的第二凹槽；对第二凹槽再作干法刻蚀，刻穿第二正面金属层并清空第一凹槽中的金属；第一凹槽上缘处包覆的阻挡层上方形成有其底部为一定宽度的保护斜坡。本发明实现了不同布线区域的正面金属厚薄两种厚度。
压接式 igbt 正面金属工艺

[发明专利]背光模块及液晶显示装置-CN200610163114.3无效
发明人：白维铭;蓝文锦;林文聪 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：一种背光模块，包括金属背板、绝缘层、金属走线层及至少一发光二极管。金属背板具有一正面，绝缘层设置于金属背板的正面上。金属走线层设置于金属背板的正面上且位于绝缘层之上，至少一发光二极管设置于金属背板的正面上，发光二极管耦接金属走线层。
背光模块液晶显示装置

[发明专利]一种双面掺杂多晶硅钝化接触电池及其制备方法-CN202310887359.4在审
发明人：毛卫平;陈桂栋;金竹;周晓炜;邓日尧;杨阳;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面掺杂多晶硅钝化接触电池及其制备方法，属于钝化接触电池领域，以第一导电类型晶体硅为基底，正面设置正面隧穿介质层、第一导电类型掺杂多晶硅层、正面减反射层、正面金属电极；背面设置背面隧穿介质层、第二导电类型掺杂多晶硅层、背面减反射层、背面金属电极；正面金属电极穿透正面减反射层，并通过正面金属接触层与第一导电类型掺杂多晶硅层形成欧姆接触；背面金属电极穿透背面减反射层，并通过背面金属接触层与第二导电类型掺杂多晶硅层形成欧姆接触本发明的有益效果是：正背面采用掺杂多晶硅钝化接触，避免TOPCon电池正面金属电极与发射极掺杂层直接接触导致的金属接触复合，提升了电池开路电压和转换效率。
一种双面掺杂多晶钝化接触电池及其制备方法

[发明专利]一种MOSFET封装结构-CN201510137452.9在审
发明人：张黎;赖志明;陈栋;陈锦辉 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：其包括封装于包封体内的芯片，所述包封体的上表面和芯片的正面覆盖图案化的绝缘层，所述正面再布线金属层Ⅱ通过绝缘层开口分别与源极和栅极连接，所述正面再布线金属层Ⅰ位于芯片的正面的垂直区域之外，所述正面再布线金属层Ⅰ和正面再布线金属层Ⅱ的上表面的一部分分别形成焊盘，所述保护层露出焊盘；所述金属连接物Ⅰ与正面再布线金属层Ⅰ设置于芯片的同侧，所述金属连接物Ⅱ设置于芯片的下方，所述背面再布线金属层连接金属连接物Ⅰ和金属连接物
一种 mosfet 封装结构

[发明专利]一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构-CN201210012854.2无效
发明人：宁文果;罗乐;徐高卫 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构，应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。其特征在于：溅射于硅圆片(1)正面的用于将来制作图形的金属层(2)、在硅圆片(1)的背面溅射用于减小硅圆片翘曲的金属层(3)；所溅射的背面金属的热膨胀系数大于正面溅射金属的热膨胀系数，则背面溅射的金属层的厚度小于正面溅射金属层的厚度，反之亦然；当正面和背面溅射的金属膨胀系数相同时则正面和反面溅射的金属层厚度相同。本发明的特点是通过在正面溅射金属层的硅圆片背面溅射金属层来减小圆片翘曲。
一种双面溅射金属减小硅圆片翘曲结构

[发明专利]半导体器件的前端金属结构及其制造方法-CN202011577547.X在审
发明人：刘坚 -专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的前端金属结构，半导体器件包括最顶层正面金属层，最顶层正面金属层图形化后形成正面金属电极；前端金属结构由形成于最顶层正面金属层表面的前端金属层图形化形成，前端金属层由可焊接金属材料组成以在前端金属结构的表面形成用于封装的键合区域；前端金属结构位于正面金属电极的部分区域表面，前端金属层的图形化位于最顶层正面金属层的图形化之前；半导体器件还包括前端钝化层，前端钝化层将键合区域打开。本发明还公开了一种半导体器件的前端金属结构的制造方法。本发明能提供具有可焊接性的前端金属结构且能减少前端金属结构形成工艺所带来的缺陷，从而能形成用于封装的键合区域，使铜片PDFN的封装成为可能。
半导体器件前端金属结构及其制造方法

[发明专利]一种三维互连结构及其制备方法-CN201310456142.4有效
发明人：李君;曹立强;戴风伟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维互连结构及其制备方法，通过在半导体衬底的正面形成梯形槽，然后在梯形槽的斜面上布设至少一层正面金属布线层，然后，研磨半导体背面使位于所述梯形槽斜面上的靠近所述梯形槽底部的各层正面金属布线层暴露，接着在半导体背面以及暴露的正面金属布线层下方形成至少一层背面金属布线层。位于半导体正面的金属布线层和位于半导体背面的金属布线层通过梯形槽上的金属布线层实现了电连接。在本发明提供的三维互连结构中，位于梯形槽斜面上的正面金属布线层相当于传输带，可以实现在半导体正面、梯形槽斜面以及半导体背面之间形成阻抗相同或相近的互连线，能够克服由于阻抗不匹配而引起的信号反射大的问题。
一种三维互连结构及其制备方法

[发明专利]一种陶瓷基板薄膜电路结构及其制备方法-CN202110291387.0在审
发明人：徐婷;马文力 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：该陶瓷基板薄膜电路结构，包括：陶瓷基板；正面金属电极，设置于陶瓷基板正面，正面金属电极为多层金属，多层金属从外至内依次包括键合层、阻挡层、粘附层，键合层、阻挡层、粘附层的正投影面重合；钝化层，设置于陶瓷基板正面，钝化层覆盖陶瓷基板正面所有正面金属电极未覆盖的区域；背面金属电极，设置于陶瓷基板背面。
一种陶瓷薄膜电路结构及其制备方法

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