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[发明专利]具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构-CN201110125782.8无效
发明人：胡盛东;周建林;甘平;周喜川;张玲 -专利权人：重庆大学
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构，涉及一种半导体功率器件，包括衬底层、介质埋层、有源半导体层和界面横向变掺杂层，介质埋层设置于衬底层与有源半导体层之间，界面横向变掺杂层设置于介质埋层和有源半导体层之间，本发明采用在介质埋层上界面的有源半导体层内设置横向可变掺杂层，使得该结构用于半导体功率器件中时，横向可变掺杂层末端界面处顶层硅内掺杂浓度较高，从而有效提高器件纵向耐压和器件横向耐压，因此该结构可有效的提高整个器件的耐压，缓解了整个有源半导体层横向变掺杂结构源端掺杂浓度过低而产生的“热点”区问题，并且可以在厚有源半导体层中实现。
具有界面横向掺杂 soi 耐压结构

[发明专利]单面横向梯度掺杂异质结电池及其制备方法-CN201510992824.6有效
发明人：孙晨光 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面横向梯度掺杂异质结电池及其制备方法，单面横向梯度掺杂异质结电池包括本体，所述本体具有梯度掺杂层，所述梯度掺杂层包括相互隔离的P型掺杂层和N型掺杂层，P型掺杂层具有横向依次接触并且掺杂浓度依次递增的多个P型掺杂子层，N型掺杂层具有横向依次接触并且掺杂浓度依次递增的多个N型掺杂子层。
单面横向梯度掺杂异质结电池及其制备方法

[发明专利]一种功率半导体器件及其制备方法-CN202310639333.8在审
发明人：史文华 -专利权人：清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率半导体器件及其制备方法，功率半导体器件包括：位于漂移层背离半导体衬底层一侧表面的第一横向电流扩展层，第一横向电流扩展层的导电类型与漂移层的导电类型相同，第一横向电流扩展层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度；位于第一横向电流扩展层背离漂移层一侧表面的器件层；器件层包括：若干横向间隔设置的有源掺杂区；位于有源掺杂区和部分第一横向电流扩展层之间的第二横向电流扩展层，第二横向电流扩展层未延伸至相邻有源掺杂区之间区域的下方，第二横向电流扩展层的导电类型与第一横向电流扩展层的导电类型相同，第二横向电流扩展层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度。
一种功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]横向变掺杂结终端结构-CN201910845034.3有效
发明人：任敏;马怡宁;胡玉芳;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2019-09-07 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种横向变掺杂结终端结构，包括场板、厚氧化层、第一导电类型半导体横向变掺杂区、第一导电类型半导体主结、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体衬底、金属化漏极，第一导电类型半导体横向变掺杂区由若干个横向变掺杂子区所构成，当该终端结构承受反向耐压时，随着反向电压的增加，横向变掺杂区子区依次被完成耗尽，与常规VLD结构相比，本发明在低反偏电压下，只有少数横向变掺杂区参与耐压，减少了PN结面积，反向电流降低；正向导通时，本发明仅有与主结连在一起的第一段横向变掺杂区参与载流子注入
横向掺杂终端结构

[发明专利]横向高压半导体器件-CN201410804861.5有效
发明人：潘光燃;石金成;文燕;王焜;高振杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种横向高压半导体器件，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一掺杂区，形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的高压端一侧，第一导电类型的第二掺杂区，形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的低压端一侧，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区相邻；第二导电类型的第三掺杂区，形成在所述第一掺杂区之下，自所述横向高压半导体器件的高压端一侧向所述横向高压半导体器件的低压端一侧延伸，至少一个第一导电类型的第四掺杂区，形成在所述第三掺杂区内靠近所述高压端一侧。本发明的横向高压半导体器件缓解了击穿电压和导通电阻两者之间的矛盾。
横向高压半导体器件

[发明专利]一种具有P型双重补偿结构的高压RESURF LDMOS器件-CN201910775645.5在审
发明人：秦玉香;张冰莹;陈亮 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有P型双重补偿结构的高压RESURF LDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱，在深N阱中设置深P阱，N阱，P型横向变掺杂顶层区和P型横向均匀掺杂埋层区，P型横向均匀掺杂埋层区的一端和深P阱相通，P型横向变掺杂顶层区设置在P型横向均匀掺杂埋层区之上，在P型横向变掺杂顶层区中，由靠近源端到靠近漏端，掺杂浓度逐渐减小。在本发明中，横向变掺杂技术的引入很好的优化了器件表面电场，P型双重补偿结构进一步优化器件内部电场，该结构使器件击穿电压达到605‑629V，导通电阻值为7.5‑7.9Ω·mm2
一种具有双重补偿结构高压 resurf ldmos 器件

[发明专利]一种具有横向复合缓冲层结构的LDMOS器件-CN201110121579.3无效
发明人：李泽宏;姜贯军;李婷;余士江;张仁辉;任敏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有横向复合缓冲层结构的LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在现有的LDMOS器件漂移区内的导电通道区域引入横向复合缓冲层结构。该横向复合缓冲层结构由横向间隔排列的N型掺杂柱区和P型掺杂柱区构成，且N型掺杂柱区和P型掺杂柱区平行于整个器件的源、漏极之间的电流方向。本发明采用横向复合缓冲层结构，使得器件耐压性能得到提高、比导通电阻得到降低；器件制备时，采用多次高能离子注入和推结分别形成N型掺杂柱区和P型掺杂柱区。由于复合缓冲层为横向结构，可以得到工艺一致性更好的N型掺杂柱区和P型掺杂柱区，不会造成纵向复合缓冲层结构中多层掺杂埋层之间的导电层浓度下降的问题，从而得到性能更加优异的LDMOS器件。
一种具有横向复合缓冲结构 ldmos 器件

[发明专利]横向变掺杂结构的制造方法及横向功率半导体器件-CN202110469366.3在审
发明人：韩广涛 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开一种横向变掺杂结构的制造方法及横向功率半导体器件，该横向变掺杂结构的制造方法包括：在衬底上形成衬垫氧化层；对衬垫氧化层下方的衬底进行局部热氧化以生成包括鸟嘴区的场氧化层，其中，鸟嘴区的氧化层厚度横向渐变；在鸟嘴区上方向鸟嘴区下方的衬底注入掺杂离子。本发明能够使得小尺寸横向功率半导体器件具有较好的横向变掺杂效果。
横向掺杂结构制造方法功率半导体器件

[发明专利]倒置型光探测器及制备方法-CN202210519181.3在审
发明人：段晓峰;袁纬方;杨晓伟;李同辉;黄君靖;黄永清;刘凯;蔡世伟 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供一种倒置型光探测器及制备方法，包括自下而上的P型衬底层、P型接触层、掺杂吸收层、本征吸收层、过渡层、N型收集层、N型接触层，其中，所述掺杂吸收层的掺杂浓度沿着自横向中心至横向边缘的方向阶梯式降低本发明提供的倒置型光探测器及制备方法，掺杂吸收层的掺杂浓度沿着自横向中心至横向边缘的方向阶梯式降低。该横向掺杂分布使得光探测器台面边缘的耗尽区域比光敏面中心的耗尽区域长，可以实现光生载流子的同步输运，缓解了限制高速响应的问题。
倒置探测器制备方法

[发明专利]硅基电光调制器掺杂结构-CN201610028017.7在审
发明人：周治平;李心白 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基电光调制器掺杂结构，该掺杂结构包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿横向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区，所述横向垂直于所述波导的凸条区延伸方向；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向PN结和至少一个横向PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述第二轻掺杂区通过所述第一重掺杂区进行电学连接；所述第三轻掺杂区通过所述第四重掺杂区进行电学连接。本发明可在提高硅基电光调制器的调制效率的同时降低调制能耗，并可使波导核心区的每一个掺杂区均可直接通过侧向波导实现电学连接，保证系统高速调制性能。
电光调制器掺杂结构

[实用新型]硅基电光调制器掺杂结构-CN201620040801.5有效
发明人：周治平;李心白 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基电光调制器掺杂结构，该掺杂结构包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿横向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区，所述横向垂直于所述波导的凸条区延伸方向；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向PN结和至少一个横向PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述第二轻掺杂区通过所述第一重掺杂区进行电学连接；所述第三轻掺杂区通过所述第四重掺杂区进行电学连接本实用新型可在提高硅基电光调制器的调制效率的同时降低调制能耗，并可使波导核心区的每一个掺杂区均可直接通过侧向波导实现电学连接，保证系统高速调制性能。
电光调制器掺杂结构

[发明专利]一种高压功率芯片的深结复合终端结构及其制备方法-CN202011292087.6在审
发明人：李学宝;王振硕;马慧远;马浩 -专利权人：华北电力大学;国网北京市电力公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压功率芯片的深结复合终端结构，所述复合终端结构包括:横向变掺杂区域、结终端延伸区域和SIPOS结构；所述横向变掺杂区域为在多个不同渐变掺杂区窗口的遮掩下注入铝离子，再经高温扩散形成的区域；所述结终端延伸区域设置在所述横向变掺杂区域(VLD)的末端，并与所述横向变掺杂区域呈部分交叠设置，所述结终端延伸区域(JTE)为棚离子在高温下扩散形成的区域；所述SIPOS结构设置在所述横向变掺杂区域和结终端延伸区域的上部本发明将SIPOS结构覆盖于横向变掺杂区域和结终端延伸区域之上来减少终端区的面积，提高其终端效率，降低界面电荷对终端结构击穿电压的影响，达到在存在界面电荷的情况下满足3.3kV等级的耐压要求。
一种高压功率芯片复合终端结构及其制备方法

[发明专利]具有横向变化掺杂分布图的半导体器件及其制造方法-CN201610630139.3在审
发明人：斯特凡·特根;马丁·巴特尔斯;马尔科·莱姆克;拉尔夫·鲁道夫;罗尔夫·魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有横向变化的掺杂分布图的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括具有第一侧(301)的半导体衬底(300)。在半导体衬底(300)中形成有至少第一掺杂区(341)。第一掺杂区(341)具有横向变化的掺杂剂量和/或横向变化的注入深度。
具有横向变化掺杂分布图半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体横向变掺杂终端结构及其制备方法-CN201710521739.0在审
发明人：张新;李巍 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体横向变掺杂终端结构及其制备方法，所述半导体横向变掺杂终端结构的制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上进行环光刻；通过环注入P型离子，并经过推结后形成横向变掺杂的P型耐压区域本发明半导体横向变掺杂终端结构及其制备方法在横向变掺杂终端结构的基础上增加了多晶场板和金属场板，从而屏蔽了终端结构表面电荷对终端可靠性的不利影响，同时该横向变掺杂终端结构兼容半导体器件工艺，不增加额外的工艺成本
终端结构半导体掺杂制备多晶场板衬底沉淀形成金属场板介质层光刻半导体器件工艺表面电荷工艺成本掺杂的屏蔽耐压推结沉淀兼容腐蚀终端

[发明专利]一种具有多电极结构的横向高压器件-CN201510099115.5有效
发明人：乔明;周锌;李阳;代刚;陈钢;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有多电极结构的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；其特征在于，在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的上方的介质层中还设置有n个电极，n≥2，所述n个电极中任意两电极在横向方向上的投影之间有间隔，且每个电极偏置在不同的电位。本发明提供的横向高压器件可在提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻，有效缓解了横向高压器件导通电阻与耐压之间的矛盾。
一种具有电极结构横向高压器件

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