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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]反及闸型快闪存储装置的制造方法-CN201210065127.2有效
  • 蒋汝平;廖修汉 - 华邦电子股份有限公司
  • 2012-01-13 - 2013-07-17 - H01L21/8247
  • 在具有第一、第二及第三区的半导体基底上形成一第一栅极氧化层，其中对应于第一及第二区的第一栅极氧化层具有第一厚度，而对应于第三区的第一栅极氧化层具有第二厚度。在第二及第三区的第一栅极氧化层上分别形成一第一栅极层及一第二栅极层。对第一区的第一栅极氧化层进行氧化处理，以形成具有第三厚度的一第二栅极氧化层。在第二栅极氧化层上依序形成一第三栅极层及一栅极间介电层。在第一栅极层、第二栅极层及栅极间介电层上分别形成一第四栅极层、一第五栅极层及一第六栅极层。
  • 闸型快闪存装置制造方法
  • [发明专利]分离栅闪存存储器单元及其制作方法-CN202110019031.1在审
  • 李志浩;陈自平 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-01-07 - 2022-07-12 - H01L27/11521
  • 本发明公开一种分离栅闪存存储器单元及其制作方法，其中该分离栅闪存存储器单元包括一半导体基底，其上具有选择栅极氧化层和浮动栅极氧化层；一浮动栅极，在浮动栅极氧化层上；一橄榄球状氧化层，在浮动栅极上，其中浮动栅极包括在橄榄球状氧化层下方的尖端；一选择栅极，在选择栅极氧化层上并延伸到橄榄球状氧化层上；一栅极间层，在选择栅极和浮动栅极之间，其中栅极间层的厚度小于选择栅极氧化层的厚度；一源极区，设于半导体基底中并与浮动栅极相邻；以及一漏极区，设于半导体基底中并与选择栅极相邻
  • 分离闪存存储器单元及其制作方法
  • [发明专利]一种VDMOS器件及其的形成方法-CN201110335265.3无效
  • 王磊 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-10-28 - 2012-02-01 - H01L29/78
  • 本发明提供一种VDMOS器件，包括：衬底及外延层；位于所述外延层的栅极氧化层及栅极多晶硅层；外延层内的阱区及位于阱区内的源区；所述栅极氧化层包括底部栅极氧化层及位于所述底部栅极氧化层表面的抬高栅极氧化层，与所述栅极氧化层相对的外延层内形成有离子掺杂区，其掺杂类型与所述阱区的掺杂离子类型相同。通过形成抬高栅极氧化层，以增加所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的栅极氧化层厚度，降低所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的电容值，提高VDMOS的开关速度；通过所述离子掺杂区以增加栅极氧化层相对的外延层内耗尽层的宽度，降低所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的电容值，提高VDMOS的开关速度。
  • 一种vdmos器件及其形成方法
  • [发明专利]栅极氧化层的形成方法-CN201010620563.2有效
  • 何永根 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2010-12-31 - 2012-07-04 - H01L21/28
  • 本发明提供一种栅极氧化层的形成方法，包括：提供衬底，通过热氧化工艺，在所述衬底上形成栅极氧化层，其中，所述热氧化工艺的反应气体至少包含有氧化亚氮。本发明通过热氧化工艺，在至少包含有氧化亚氮的气体中通过氧化工艺生成栅极氧化层，使得所述栅极氧化层中具有微量或痕量的氮元素，所述氮元素可以阻止后续注入的掺杂离子扩散到栅极氧化层内，避免扩散至栅极氧化层内的掺杂离子对栅极氧化层造成损伤，使得所述栅极氧化层具有良好的薄膜特性，改善栅极氧化层的漏电现象，提高半导体器件的电学性能。
  • 栅极氧化形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110204335.5在审
  • 王连红;苏星松 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-02-23 - 2022-08-30 - H01L27/108
  • 本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底内具有沟槽，沟槽具有第一深度；在沟槽侧壁和底面形成第一栅极氧化层，在第一栅极氧化层表面形成第一栅极导电层，第一栅极氧化层和第一栅极导电层具有第二深度，第二深度小于第一深度；在未被第一栅极氧化层覆盖的沟槽表面形成第二栅极氧化层，在垂直于沟槽侧壁的方向上，第二栅极氧化层的等效栅氧厚度大于第一栅极氧化层的等效栅氧厚度；形成第二栅极导电层，第二栅极导电层填充满第二栅极氧化层和第一栅极导电层围成的凹槽
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]去除栅极结构中硬膜层的方法-CN200510112389.X无效
  • 迟玉山;马擎天;张世谋;杜珊珊 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2005-12-30 - 2007-07-04 - H01L21/28
  • 本发明提供了一种去除栅极结构中硬膜层的方法，所述栅极结构已经过栅极蚀刻处理，包括半导体基体、栅极氧化物层、栅极材料层以及硬膜层，所述的栅极氧化物层和硬膜层含有相同成分物质，包括：涂覆保护层；蚀刻所述保护层，露出所述硬膜层而仍覆盖所述栅极氧化物层时停止蚀刻；去除所述硬膜层；去除剩余的保护层。当硬膜层含有和所述栅极氧化物层相同成分的物质，由于本发明所提供的方法在去除硬膜层时或者去除与所述栅极氧化物层相同成分的物质层时，仅仅露出所述栅极结构的硬膜层，栅极氧化层周围仍然涂覆有保护层，保护栅极氧化层不会受到蚀刻
  • 去除栅极结构中硬膜层方法
  • [发明专利]监测栅极氧化层的击穿电压的方法-CN202110552647.5在审
  • 郭伟;曾旭;卢盈 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2021-05-20 - 2021-08-20 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种监测栅极氧化层的击穿电压的方法，用于监测半导体结构的栅极氧化层的击穿电压，包括：形成半导体结构，半导体结构包括：有源区、浅沟槽隔离结构、栅极氧化层和多晶硅栅极，浅沟槽隔离结构形成在有源区内，浅沟槽隔离结构将有源区的上半部分分隔成多个块状结构，栅极氧化层覆盖有源区和浅沟槽隔离结构，多晶硅栅极覆盖部分栅极氧化层；在栅极氧化层的边缘处形成连接有源区的第一接触窗，在多晶硅表面形成连接多晶硅栅极的第二接触窗；测试第一接触窗和第二接触窗之间的电压，作为栅极氧化层的击穿电压。监测栅极氧化层的击穿电压的方法中，可以监测栅极氧化层的击穿电压，并且能一次完成对栅极氧化层的击穿电压的监测。
  • 监测栅极氧化击穿电压方法
  • [发明专利]VDMOS器件的形成方法-CN201110058213.6有效
  • 楼颖颖;克里丝 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-03-10 - 2011-08-10 - H01L21/336
  • 本发明提供VDMOS器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层表面形成具有开口的牺牲层，所述开口暴露出外延层表面；热氧化开口内的外延层，形成第一栅极氧化层；去除所述牺牲层；热氧化所述外延层，形成第二氧化层；沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述第一栅极氧化层和第二氧化层；刻蚀多晶硅层和第二氧化层形成栅极结构；形成源区、源极金属层、漏极金属层和栅极金属层。本发明降低形成栅极氧化层的工艺难度，增加漏极和栅极间的栅极氧化层厚度，以降低栅极和漏极间的电容值，提高VDMOS的开关速度。
  • vdmos器件形成方法
  • [发明专利]横向扩散高压器件及其制造方法-CN202010817050.4有效
  • 陈瑜 - 华虹半导体（无锡）有限公司
  • 2020-08-14 - 2022-10-25 - H01L29/78
  • 该横向扩散高压器件至少包括衬底、位于衬底内的漂移区和体区、第一栅极、第二栅极、场氧化层、栅氧化层；栅氧化层位于衬底表面；场氧化层位于栅氧化层的上方，且场氧化层被漂移区包围；第一栅极位于栅氧化层的上方，第一栅极横跨部分体区、部分漂移区，且第一栅极延伸至场氧化层的上方；第二栅极位于场氧化层的上方，且第二栅极与第一栅极不连接；第一栅极通过层间介质层中的接触孔与栅极金属线连接，栅极金属线位于第二栅极的上方，且栅极金属线与第二栅极有交叠的区域
  • 横向扩散高压器件及其制造方法
  • [发明专利]形成高K金属栅极器件的后栅极工艺-CN201410325699.9有效
  • 禹国宾 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-07-09 - 2018-04-10 - H01L21/28
  • 本发明提出了一种形成高K金属栅极器件的后栅极工艺，包括a.形成栅极氧化物；b.去除核心部分上的栅极氧化物；c.在输入输出部分和核心部分上分别形成氮氧化硅层；d.选择性地蚀刻部分栅极氧化物和部分氮氧化硅层，并在剩余的栅极氧化物和氮氧化硅层上形成多晶硅虚拟栅极；e.在多晶硅虚拟栅极两侧形成侧墙；f.对多晶硅虚拟栅极两侧的衬底进行源极和漏极离子注入，以形成源极和漏极；g.在半导体衬底上形成层间介电层，该层间介电层暴露出侧墙和多晶硅虚拟栅极的顶部；h.去除多晶硅虚拟栅极；i.去除氮氧化硅层；j.在去除氮氧化硅层后的结构的开口中生长栅极氧化物层；k.在所述开口中的栅极氧化物层处形成高k金属栅极。
  • 形成金属栅极器件工艺
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