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- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110374506.9有效
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华文宇;余兴
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芯盟科技有限公司
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2021-04-07
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2022-04-22
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H01L27/108
- 一种半导体结构及其形成方法，其中，结构包括：第一衬底，包括若干第一有源区和若干第二有源区；位于第一衬底内的多个字线栅结构，多个字线栅结构贯穿第一有源区和第二有源区；位于第一有源区内的多个第一有效掺杂区和多个第一无效掺杂区；位于第二有源区内的多个第二有效掺杂区和多个第二无效掺杂区，所述第一有效掺杂区和第二无效掺杂区间隔排列，所述第二有效掺杂区和第一无效掺杂区间隔排列；位于第一有源区和第二有源区内的多个第三掺杂区；位于每个第一有效掺杂区上的第一导电结构；若干第一位线；位于每个第二有效掺杂区上的第二导电结构；若干第二位线。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法-CN202110995683.9有效
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马旺;陈龙;程静云;陈祖尧;王洪朝;袁理
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聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
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2021-08-27
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2023-07-28
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H01L29/778
- 本发明提供一种增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法，该外延自下向上依次包括形成于衬底上的C掺杂c‑GaN高阻层、本征u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、阻镁扩散层及Mg掺杂p‑GaN帽层；阻镁扩散层包括Mg掺杂p‑AlGaN层，且该Mg掺杂p‑AlGaN层中的Mg以Mg‑H键的形式被充分钝化，以降低Mg的活性，同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于所述Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度。由于将阻镁扩散层结构中Mg掺杂p‑AlGaN层的Mg设置为Mg‑H键的形式使Mg被钝化，可有效降低Mg的活性同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度，两者形成一定的Mg浓度差，可以有效阻断Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg向下扩散，从而有效阻挡和降低Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg扩散至AlGaN势垒层及本征u‑GaN沟道层，提高器件的导通性能。
- 增强ganhemt器件外延及其制备方法
- [发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN200310103325.4有效
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张世昌;方俊雄;蔡耀铭
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统宝光电股份有限公司
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2003-10-28
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2005-05-04
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H01L29/786
- 一种薄膜晶体管及其制作方法，包括：一第一有效层形成于一第一薄膜晶体管区域上，包含有一沟道区域、一轻掺杂区域以及一重掺杂区域。一第一栅极绝缘层是形成于该第一有效层上，包含有一中央区域以及一遮蔽区域，该遮蔽区域是覆盖该第一有效层的轻掺杂区域。一第二有效层是形成于一第二薄膜晶体管区域上，包含有一沟道区域、一轻掺杂区域以及一重掺杂区域。一第二栅极绝缘层是形成于该第二有效层上，包含有一中央区域以及一遮蔽区域，该遮蔽区域是覆盖该第二有效层的轻掺杂区域。该第一栅极绝缘层的遮蔽区域的横向长度不等于该第二栅极绝缘层的遮蔽区域的横向长度。该第一有效层的轻掺杂区域的横向长度不等于该第二有效层的轻掺杂区域的横向长度。
- 薄膜晶体管及其制作方法
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