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[发明专利]图形卡供电方法和系统-CN201010141972.4无效
发明人：王俊雄;张涛 -专利权人：辉达公司
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H02M7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形卡供电方法，所述图形卡设置在计算机机箱内部，所述方法包括：使图形卡从计算机机箱外部电源获取运行所需的功率。本发明还公开了一种为图形卡供电的系统，所述系统包括：设置在计算机机箱内部的图形卡，和为所述图形卡供电的外部电源；所述外部电源设置在所述计算机机箱外部。本发明的图形卡供电方法和为图形卡供电的系统可以有效解决用户在将计算机图形卡升级为高端图形卡或配置具备高端图形卡的计算机的成本较高的问题，可在使高端图形卡充分发挥图像处理能力的前提下，有效地降低用户配置高端图形卡的成本
图形供电方法系统

[实用新型]一种图形化衬底及发光二极管-CN202221125735.3有效
发明人：田晓强;郭文凯;范绅钺;文国昇 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种图形化衬底及发光二极管，图形化衬底的表面形成有图形阵列，图形阵列由若干凹陷单元阵列而成，凹陷单元由图形化衬底的表面向内凹陷所形成，凹陷单元的横截面积随凹陷单元的凹陷深度的增大而均匀减小，使凹陷单元的内侧面形成为有效反光的斜面，凹陷单元的底面面积大于0。本实用新型当中的衬底图形单元为衬底表面向内凹陷形成的凹陷单元，该凹陷单元的横截面积随凹陷单元的凹陷深度的增大而均匀减小，使凹陷单元的内侧面形成为有效反光的斜面，同时凹陷单元的底面面积大于0，这种凹陷单元相比于传统的圆锥形山包结构的图形单元在相同规格下，具有更高的有效反光面积，从而提升了图形单元的有效反光面积，提升LED亮度。
一种图形衬底发光二极管

[发明专利]一种规整排列纳米粗化蓝宝石衬底及制备方法-CN201410724538.7在审
发明人：逯瑶;曲爽;王成新;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种规整排列纳米粗化蓝宝石衬底及制备方法，该蓝宝石衬底上具有微米量级图形和纳米量级图形相结合的复合图形，每个微米量级图形上分布有纳米量级图形，纳米量级图形分布在微米量级图形上表面的半径或重心与各角的连线上所述纳米量级图形下表面的中心点与所述微米量级图形上表面的半径的中点或重心与各角的连线的中点重合。每个微米量级图形上的纳米量级图形分布对称。首先在蓝宝石衬底上制备微米量级图形，然后再在微米量级图形上制备纳米量级图形。本发明可以有效地改变光的传播方向，提高光逸出的几率，可使光路有效地出射，更加增强了图形对于光的反射，从而改变光的传播方向，增强蓝宝石衬底GaN基LED的光提取效率和光输出功率。
一种规整排列纳米蓝宝石衬底制备方法

[发明专利]一种图形衬底及其制作方法以及LED结构及其制作方法-CN202011566245.2有效
发明人：霍曜;苏贤达;李彬彬;李瑞评;彭鹏飞;吴福仁;梅晓阳 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图形衬底及其制作方法以及一种LED结构及其制作方法。该图形衬底包括衬底，以及形成在所述衬底表面上的连续的网状图形结构。本发明通过将衬底表面的图形结构的设计为网状，进一步降低了磊晶面占比；同时在衬底上形成网状图形结构，增加了反光面，提高器件的出光效率。本发明提供的图形衬底能够有效提高内量子效率，提高光的提取率，使用该图形衬底的LED结构，能够有效提升LED的发光效率。
一种图形衬底及其制作方法以及 led 结构

[发明专利]一种复合图形化衬底及其制备方法-CN201410192509.0在审
发明人：项永昌;葛久志 -专利权人：项永昌
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合图形化衬底及其制备方法，复合图形化衬底包括蓝宝石晶片，所述晶片表面的图形根部外接圆的直径与相邻两图形中心点之间距离的最大比值为0.95，各图形上部表面暴露，各图形根部之间沉积有厚度为15该复合图形化衬底及其制备方法，既保留的蓝宝石图形衬底的优势，此外，通过在图形衬底的下面引入一层和GaN材料晶格失配较低的AlN，有效的提高了后期衬底在使用过程中GaN形核质量从而提高GaN生长质量，另外，还可以有效提高MOCVD的使用效率，提高产能。
一种复合图形衬底及其制备方法

[外观设计]用于手机的图形用户界面（电子证照管理）-CN201830590912.8有效
发明人：朱秀桦;肖伟;汪翔 -专利权人：福建南威软件有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：5.图形用户界面的用途：变化状态图1为点击主视图中所示的“证照”图标后呈现的图形交互界面；变化状态图2为点击变化状态图1中所示的“有效”图标栏目下排列的具体有效证照图标呈现的图形交互界面，例如户口簿；变化状态图3为点击变化状态图1中所示的“已过期”图标后呈现的图形交互界面；变化状态图4为点击变化状态图3中所示的“已过期”图标栏目下排列的具体有效证照图标呈现的图形交互界面，例如中华人民共和国社会保障卡；变化状态图7为点击主视图中所示的“证明”图标后呈现的图形交互界面；变化状态图8为点击变化状态图7中所示的“有效”图标栏目下排列的具体有效证照图标呈现的图形交互界面，例如低保证明；变化状态图9为点击变化状态图7中所示的”图标后呈现的图形交互界面；变化状态图12为点击变化状态图11中所示的“已作废”图标栏目下排列的具体有效证照图标呈现的图形交互界面，例如低保证明；变化状态图13为点击主视图中所示的“卡证”图标后呈现的图形交互界面16为点击变化状态图15中所示的“访客证”图标栏目下排列的具体有效证照图标呈现的图形交互界面，例如访客证。
变化状态图形交互界面图标图标呈现证照外观设计图形用户界面作废证照管理过期访客手机社会保障卡工作证手机客户端卡证屏幕图片

[发明专利]光学临近效应修正方法-CN201811607301.5有效
发明人：翟翠红;张逸中;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于校正多晶硅层偏移图形的光学临近效应修正方法，包括：根据多晶硅层图形之间距离将其划分为高密度图形区域和低密度图形区域；通过版图逻辑运算选取低密度图形区域中发生位移的图形；选取需要移动处理的图形执行移动校正本发明通过版图逻辑运算可实现自动识别并选取多晶硅层偏移图形，同时对其进行移动操作；本发明有利于增大多晶硅层高低密度区域图形的距离，改善高低密度区域图形之间的工艺窗口，处理后的光刻版图仍然满足设计规则，不会影响器件性能，能够有效防止多晶硅层图形间距变小造成的产品缺陷，有效避免低密度区域图形偏移所导致的风险，提高产品良率。
光学临近效应修正方法

[发明专利]基于图形编码的电子票务验票方法和系统-CN201410539138.9有效
发明人：王启刚;王占厚 -专利权人：航天信息股份有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种基于图形编码的电子票务验票方法和系统。该方法主要包括：验票设备扫描到存储在用户的移动终端中的图形编码电子票，验票设备提取图形编码电子票中包含的电子票配对识别信息和票务信息；验票设备请求并接收移动终端通过点对点通信发送过来的电子票配对识别信息，将从图形编码电子票中提取的电子票配对识别信息和通过点对点通信接收到的电子票配对识别信息进行对比验证，对所述票务信息进行有效性验证；根据对比验证、有效性验证的验证结果，获取移动终端中的图形编码电子票的验票结果本发明实施例有效解决图形编码应用到票务系统时，容易被复制、盗用的问题，有效保证了电子票的传播、使用安全。
基于图形编码电子验票方法系统

[发明专利]一种图形处理器过温保护方法和电子设备-CN202211742112.5在审
发明人：厉宗华 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种图形处理器过温保护方法和电子设备，属于故障监控技术领域。其中，该方法包括获取图形处理器的温度信息；在根据所述温度信息确定所述图形处理器处于超温状态的情况下，控制所述可控开关器件断开，以控制所述图形处理器断电。通过监控页面，本申请能够有效避免图形处理器因高温被烧毁，从而有效解决现有服务器中图形处理器容易因发生过热导致烧板的问题。
一种图形处理器保护方法电子设备

[发明专利]测量辅助装置、内窥镜系统及处理器-CN201880017670.0有效
发明人：龙田岳一;园田慎一郎;铃木一诚 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： A61B1/00 文献下载
摘要：本发明的一方式所涉及的测量辅助装置中，在光点位置附近显示指标图形(标记)时，在基于所显示的指标图形的特定区域的测量有效的情况和无效的情况下以不同的方式显示指标图形，因此通过指标图形的显示方式能够轻松地掌握测量的有效性，由此能够轻松地进行有效的测量。并且，上述方式中显示根据光点的位置设定的大小的指标图形，因此无需进行距离测量，结构简单且处理负荷低。并且，在光点的位置附近显示指标图形，因此光点位置与标记位置的偏移少，作为指标准确，且不在大范围显示指标图形，因此处理负荷少。
测量辅助装置内窥镜系统处理器

[发明专利]一种以手势或图形来操作的触控锁电路架构及其操作方法-CN200910261836.6无效
发明人：古正坤 -专利权人：优方科技股份有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G06F21/04 文献下载
摘要：本发明是一种以手势或图形来操作的触控锁电路架构及其操作方法，主要为以手势或图形来操作触控锁的方法，其是包括有下列步骤：使用者以手指触碰一触控面板的多个触控点，并做出一特定手势或图形，并输出一电子信号；利用一微控制单元来处理所述触控面板的电子信号，并判断所述电子信号是否为有效输入；利用所述微控制单元判断输入的手势或图形是否为有效输入；读取一触控指令处理单元所储存手势或图形的正确数据，并与输入的手势或图形做一比对，并判断所述输入的手势或图形是否为有效输入
一种手势图形操作触控锁电路架构及其操作方法

[发明专利]一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构-CN201910486175.0在审
发明人：吴翔;宋志成;郭永刚;屈小勇;马继奎;张博;高嘉庆 -专利权人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明的目的在于公开一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层，DP3图形层叠印在DP1图形层和DP2图形层上；与现有技术相比，DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线，有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积，从而降低金属电极的金属复合，制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料，有效地降低了接触电阻；DP3图形层采用直通式副栅线，制备电极时采用导电性好的非接触型浆料，既防止金属电极与硅基体接触，极大地降低电极的金属复合，又将圆点式副栅线连通，有效地收集、传输电池产生的电流，有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率，实现本发明的目的。
图形层副栅线有效地太阳能电池金属电极金属复合印刷网版电极硅基体浆料圆点制备金属电极导电性短路电流非接触型接触电阻开路电压转换效率接触型直通式连通制备匹配掺杂电池传输

[发明专利]用于LDI曝光设备的gds图形分割方法-CN202310331688.0有效
发明人：王建勋;刘维龙 -专利权人：广东思沃激光科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06T7/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于LDI曝光设备的gds图形分割方法，其包括：对所述原始gds图形进行分割处理，以将所述原始gds图形分割形成若干第一矩形块；对每一第一矩形块内的每一多边形电路图形进行多边化处理，以将每一第一矩形块内的每一多边形电路图形分解形成至少一个具有预设边数的多边形；对每一第一矩形块进行分割处理，以将每一第一矩形块分割形成若干第二矩形块；本发明通过对原始gds图形进行分割、分解再分割，以有效将原始gds图形分割形成多个小区域的图形以供后续进行曝光处理，有效提升对原始gds图形中细小图形的表征准确度，大大提升LDI曝光设备对原始gds图形的曝光精细度。
用于 ldi 曝光设备 gds 图形分割方法

[实用新型]一种双反射界面的图形化衬底-CN201821012365.6有效
发明人：武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双反射界面的图形化衬底，包括衬底、第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形；其中：衬底上生长有第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形至少部分重合，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形为锥形或穹顶型或弧形结构。本实用新型的优点在于：本双反射界面的图形化衬底更能有效提高光的取出效率；利用第二结构介质层的非晶特性，可以有效的抑制图形化结构表面上氮化镓基外延层的侧面生长，降低侧面生长氮化镓基外延层与正面生长氮化镓基外延层合并时的晶格缺陷密度
结构介质衬底层衬底双反射图形化氮化镓基外延层生长氮化镓基外延层本实用新型图形化结构侧面弧形结构晶格缺陷生长重合非晶穹顶取出合并

[发明专利]添加SRAF的方法、掩模版及制造方法-CN202110881879.5在审
发明人：孙鹏飞;王谨恒;陈洁;朱斌;张剑;曹楠 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种添加SRAF的方法、掩模版及制造方法，通过将第一目标图形向外侧延伸，获取第一目标放大图形，并选取掩模版图与第一目标放大图形相交叠的部分作为第二目标图形，且基于新的第二目标图形添加SRAF，从而在添加SRAF时，可扩大第一目标图形的有效范围，以将第一目标图形的周边环境考虑进去，从而可有效避免添加的SRAF与掩模版图出现图形重叠、图像间距离过近、图像间相互错位等问题，不但简化了掩模版的制备过程
添加 sraf 方法模版制造