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[发明专利]来那度胺的新晶型及其制备方法-CN201010515350.3无效
发明人：林蒙;罗杰;易中宏;叶文润 -专利权人：重庆医药工业研究院有限责任公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C07D401/04 文献下载
摘要：本发明涉及来那度胺的一种新晶型及其制备方法，所述的新晶型为来那度胺晶型I，以及含有这种新晶型来那度胺晶型I的药物组合物，来那度胺晶型I在制造治疗慢性骨髓瘤或有5q缺失的骨髓增生异常综合症的药物中的用途。来那度胺晶型I稳定适于制剂的制造。
新晶型及其制备方法

[发明专利]一种来那度胺的新晶型及其制备方法-CN201010515344.8无效
发明人：林蒙;罗杰;易中宏;叶文润;樊斌 -专利权人：重庆医药工业研究院有限责任公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C07D401/04 文献下载
摘要：本发明涉及来那度胺的一种新晶型及其制备方法，所述的新晶型为来那度胺晶型II，以及含有这种新晶型来那度胺晶型II的药物组合物，来那度胺晶型II在制造治疗慢性骨髓瘤或有5q缺失的骨髓增生异常综合症的药物中的用途来那度胺晶型II稳定适于制剂的制造。
一种新晶型及其制备方法

[发明专利]一种晶须框架强韧的莫来石陶瓷及方法-CN202010457557.3有效
发明人：曾德军;郭晨昊;桑可正;宋晓珩 -专利权人：长安大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶须框架强韧的莫来石陶瓷及方法，所述方法包括以下步骤：步骤1，先将铝溶胶加入到去离子水中，得到含水铝溶胶，再将硅溶胶加入到含水铝溶胶中，得到莫来石溶胶；步骤2，先将莫来石溶胶浸渗到莫来石晶须框架中，再将所得混合物干燥，得到莫来石陶瓷试样；步骤3，将莫来石陶瓷试样进行热处理得到晶须框架强韧的莫来石陶瓷，得到的莫来石陶瓷具有晶须含量高且分布均匀的特点。本发明优势在于可以大幅提高莫来石陶瓷中的晶须含量，具体地，莫来石晶须框架结构可以大幅增加晶须含量，可达到69.5wt％～90wt％)，并且晶须在基体中分散均匀，有力避免了因晶须团聚造成的性能损失。
一种框架强韧莫来石陶瓷方法

[发明专利]一种莫来石晶须掺杂刚玉-莫来石承烧板及其制造方法-CN201810409215.7在审
发明人：冯震乾;万广宇;谭汝泉;宋先刚;王惠敏;梁炳联;梁俊展;唐国辉;冯辉 -专利权人：广东羚光新材料股份有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种莫来石晶须掺杂刚玉‑莫来石承烧板，所述莫来石晶须掺杂刚玉‑莫来石承烧板包括以下质量份数的原料：刚玉35～55份、莫来石20～30份、氧化铝微粉20～40份、高岭土5～15份、莫来石晶须1～本发明还提供一种莫来石晶须掺杂刚玉‑莫来石承烧板的制造方法。本发明的莫来石晶须掺杂刚玉‑莫来石承烧板具有抗热震性好、耐高温、强度高、硬度大、耐腐蚀的优点，且使用效果好，使用寿命长，制备简单。
莫来石晶须莫来石刚玉承烧板掺杂氧化铝微粉高岭土抗热震性使用寿命耐腐蚀耐高温质量份制备制造

[发明专利]莫来石晶须前驱体定量原位制备刚玉-莫来石_(晶须)质耐火材料的方法-CN201210481016.X有效
发明人：顾幸勇;李萍;罗婷;胡克艳;董伟霞 -专利权人：景德镇陶瓷学院
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开一种莫来石晶须前驱体定量原位制备刚玉-莫来石(晶须)质耐火材料的方法，将莫来石晶须前驱体颗粒和刚玉烧结体前驱体粉料，按重量百分比40～60：40～60称重后，经干法混合、半干压成型、烧制获得刚玉-莫来石(晶须)质耐火材料。本发明创新地通过向烧结体前驱体粉料中加入控制一定造粒粒径的莫来石晶须前驱体颗粒，让其定位定量原位合成针状莫来石来制备刚玉-莫来石(晶须)质耐火材料，利用均匀分布、原位生成的莫来石晶须网络结构的高强度和低膨胀性特性
莫来石晶须前驱定量原位制备刚玉莫来石 sub 晶须耐火材料方法

[发明专利]处理半导体晶圆的方法-CN202080003428.5在审
发明人：蔡理权;陈鹏;周厚德 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本公开内容描述了用于处理半导体晶圆的方法和系统。一种用于处理晶圆的方法包括使用多个检测器来测量晶圆的一个或多个晶圆特性。该晶圆包括器件区域和周边区域。该方法还包括基于所测量的一个或多个晶圆特性来确定晶圆的晶圆修改轮廓。该方法还包括使用晶圆修改轮廓来修改周边区域内的晶圆的环形部分。经修改的环形部分具有小于晶圆厚度的穿透深度。该方法还包括对晶圆执行晶圆减薄工艺。
处理半导体方法

[发明专利]一种常压烧结合成莫来石晶须的方法-CN201010270806.4无效
发明人：彭金辉;刘永鹤;孟彬;郭胜惠;张利波;夏洪应;曹威扬;姚现昭 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种常压烧结合成莫来石晶须的方法，是一种利用莫来石晶须的高温抗蠕变性能，制备能够在1200℃以上用于增强增韧金属、陶瓷基体的第二相晶须材料。通过常压粉末烧结法合成莫来石晶须其工艺简单、合成出的莫来石晶须具有分散程度高、粒径分布均匀、长径比和纯度较高的优点，可以作为金属、陶瓷材料的增强增韧晶须使用。
一种常压烧结合成莫来石晶须方法

[发明专利]一种莫来石晶须复合型材制备方法-CN202210276195.7在审
发明人：王栓强;王艺豪;任鑫鑫;丁旭;孟广慧;王猛;武剑;连志煊 -专利权人：西安航空学院
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C22C47/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种莫来石晶须复合型材制备方法，具体为：对莫来石晶须进行分散处理；片状铝合金的数目为n，将称好的分散处理后的莫来石晶须平均分成n‑1份，在每两个堆叠的片状铝合金之间分别均匀铺洒一份莫来石晶须，将铺好莫来石晶须的片状铝合金紧固成整体；其中，莫来石晶须的质量占比2%~10%，余量为铝合金；将莫来石晶须与片状铝合金的整体加热至半固态，挤出，得到复合棒；将复合棒再次加热到半固态，重复至少三次变形处理本发明以莫来石晶须为添加相，将半固态与大变形技术相结合，对添加相与基体的润湿性要求很低，避免了凝固缺陷，得到了性能更好的陶瓷增强铝基复合型材。
一种莫来石晶须复合型制备方法

[发明专利]唑来膦酸的晶型-CN200780041985.0无效
发明人： A·格劳施;O·洛泽;M·马兹;H·彼得森;J·西格;C·沃格尔;H-J·韦伯 -专利权人：诺瓦提斯公司
申请日： 2007-11-26 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C07F9/6506 文献下载
摘要：本发明涉及唑来膦酸的低水溶性盐的新晶型，制备这些晶型的方法，包含这些晶型的组合物和这些晶型在温血动物，尤其是人的诊断方法或治疗性治疗中的用途。本发明涉及唑来膦酸的游离酸一水合物晶型，制备唑来膦酸的游离酸一水合物晶型的方法，包含唑来膦酸的游离酸一水合物晶型的组合物和唑来膦酸的游离酸一水合物晶型在温血动物，尤其是人的诊断方法或治疗性治疗中的用途。
唑来膦酸

[发明专利]一种原位生长高长径比莫来石晶须的制备方法-CN201910899448.4有效
发明人：何飞;李文洁;杨立娟;宋大君;于明;王林;李宏博;朱振;李明伟;赫晓东 -专利权人：哈工大(北京)军民融合创新研究院有限公司;哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种原位生长高长径比莫来石晶须的制备方法，涉及一种莫来石晶须的制备方法。本发明是要解决现有的制备莫来石晶须的方法大多需要高温(900℃)烧制，且长径比较低的技术问题。本发明的水热体系中可形成纳米级纤维状物质，可降低热处理过程中莫来石晶须生长所需要的能量，进而降低莫来石晶须的制备温度；本发明通过水热与热处理制备的莫来石晶须，可在低反应温度下制备出高长径比的莫来石晶须的
一种原位生长长径莫来石晶须制备方法

[发明专利]一种原位合成莫来石晶须自增韧的莫来石陶瓷的方法-CN201611112073.5有效
发明人：肖鹏;俞晓宇;李专 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位合成莫来石晶须自增韧的莫来石陶瓷的方法，将55～70重量份的氧化铝、20～30重量份的二氧化硅、5～18重量份的莫来石晶须晶种、2～5重量份的氟化铝湿磨混合，浇筑、固化成生坯后再依次在500～600℃一次烧结、900～1000℃下二次烧结和在1350℃～1550℃下三次烧结，制得所述的莫来石陶瓷。此外，本发明还公开了所述的方法制得的莫来石陶瓷。本发明中，通过所述比例的物料，例如在所述重量份比例的莫来石晶须晶种和氟化铝的协同作用下，再配合所述温度下的分段烧结工艺，使氧化铝和二氧化硅反应，制得具有高韧性的原位自生长莫来石晶须的莫来石陶瓷。高活性晶种的添加使得基体内原位均匀、弥散分布莫来石晶须，可有效提高陶瓷材料的强韧性。
一种原位合成莫来石晶须莫来石陶瓷方法

[发明专利]来那替尼二马来酸盐晶型及其制备方法-CN201810169095.8在审
发明人：李中华;尚婷婷;龚俊波;张良;蔡志刚 -专利权人：江苏创诺制药有限公司;安礼特（上海）医药科技有限公司;上海创诺医药集团有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明涉及来那替尼二马来酸盐晶型及其制备方法。具体地，本发明公开了来那替尼二马来酸盐的三种晶型，分别为晶型IV、V、VI，均为来那替尼二马来酸盐的无水物，其中，晶型IV和V具有比已知的晶型II具有更好的溶解性，晶型V具有更低的吸湿性，相对湿度变化不会引起晶型的转变本发明还公开了上述三种晶型适宜药物研究及工业化生产的制备方法。
马来酸盐晶型制备晶型IV 种晶吸湿性药物研究晶型II 无水物晶型V

[发明专利]形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法-CN202110172516.4在审
发明人：谢丰键;陈信吉;李国政;郑穆韩;郑允玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法，可通过执行第一预接合边缘修剪制程来对第一晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。提供要与第一晶圆接合的第二晶圆。可选地，可通过执行第二预接合边缘修剪制程来对第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。第一晶圆的前表面接合至第二晶圆的前表面以形成接合组件。通过执行至少一个晶圆减薄制程来减薄第一晶圆的背侧。可通过执行接合后边缘修剪制程，来对第一晶圆及第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。接合组件可随后被切块成接合的半导体晶片。
形成半导体结构方法以及接合晶片

[发明专利]一种制备全晶须结构莫来石蜂窝陶瓷载体的方法-CN201610359350.6有效
发明人：赵会峰;吕皓;董雷;田瑞平;王琦;张振华;黄小叶;符有杰 -专利权人：海南中航特玻科技有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种制备全晶须结构莫来石蜂窝陶瓷载体的方法。提出的一种制备全晶须结构莫来石蜂窝陶瓷载体的方法以壳聚糖为有机聚合单体，采用戊二醛作为引发剂结合莫来石晶须原位生长技术来制备莫来石蜂窝陶瓷载体，得到全部由原位生长的晶须构成的莫来石蜂窝陶瓷块体材料，其具体步骤为本发明可以通过改变陶瓷浆料的固含量来调节孔隙率；整个陶瓷块体由原位生长的莫来石晶须构成，力学性能好。
一种制备全晶须结构莫来石蜂窝陶瓷载体方法

[发明专利]一种塞来昔布新晶型C及其制备方法-CN201310525397.1无效
发明人：吴宾;夏艳开;刘大鹏;崔健 -专利权人：中美华世通生物医药科技（武汉）有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C07D231/12 文献下载
摘要：本发明提供一种塞来昔布晶型C及其制备方法，是将塞来昔布晶型A用一定量的甲苯溶解，加热全溶、加水、降温、析晶、过滤、减压干燥，得到塞来昔布晶型C。该晶型的X射线粉末衍射图谱在2θ（°±0.2）5.33、10.71、16.10和21.52处显示出特征衍射峰。晶型C具有稳定性好，便于生产、运输和储存，能满足作为制剂原料要求等优点。且本发明提供的制备塞来昔布晶型C的方法操作简单，反应条件温和，容易控制，生产成本低廉，适用于产业化。
一种塞来昔布新晶型及其制备方法

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