专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110330029.6有效
  • 任宇轩;俞晓宇;吴永坚 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-03-27 - 2023-04-18 - H01L21/8234
  • 本申请提供一种半导体器件的制造方法,所述方法包括提供衬底,所述衬底包括间隔设置的高压阱区及低压阱区;在所述高压阱区和所述低压阱区分别形成第一栅极和第二栅极;以及形成覆盖所述第一栅极侧壁的第一侧墙,形成覆盖所述第二栅极侧壁的第二侧墙,其中,所述第一侧墙的厚度大于所述第二侧墙的厚度。本申请还提供一种半导体器件。本申请提供的所述半导体器件及其制造方法,在高压阱区和低压阱区设置不同厚度的侧墙,其中,所述高压阱区的侧墙的厚度大于所述低压阱区的侧墙的厚度,而改善高压器件的热载流子注入效应以及提高低压器件的响应速度。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110330030.9在审
  • 俞晓宇;任宇轩;林愉友 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-03-27 - 2021-07-09 - H01L21/768
  • 本申请提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供衬底,在所述衬底上形成层叠于所述衬底上的栅极,以及在所述栅极两侧的衬底内分别形成源极和漏极;形成覆盖所述栅极以及所述衬底的掩膜层;以及使用第一湿法刻蚀工艺刻蚀所述掩膜层,以在所述掩膜层内形成开口,所述开口露出所述源极、所述漏极和/或所述栅极的顶部。本申请提供的半导体器件制造方法,通过使用湿法刻蚀工艺打开接触孔区域,刻蚀过程中无等离子体参与,从而改善等离子体诱导损伤效应。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种原位合成莫来石晶须自增韧的莫来石陶瓷的方法-CN201611112073.5有效
  • 肖鹏;俞晓宇;李专 - 中南大学
  • 2016-12-05 - 2020-03-17 - C04B35/80
  • 本发明公开了一种原位合成莫来石晶须自增韧的莫来石陶瓷的方法,将55~70重量份的氧化铝、20~30重量份的二氧化硅、5~18重量份的莫来石晶须晶种、2~5重量份的氟化铝湿磨混合,浇筑、固化成生坯后再依次在500~600℃一次烧结、900~1000℃下二次烧结和在1350℃~1550℃下三次烧结,制得所述的莫来石陶瓷。此外,本发明还公开了所述的方法制得的莫来石陶瓷。本发明中,通过所述比例的物料,例如在所述重量份比例的莫来石晶须晶种和氟化铝的协同作用下,再配合所述温度下的分段烧结工艺,使氧化铝和二氧化硅反应,制得具有高韧性的原位自生长莫来石晶须的莫来石陶瓷。高活性晶种的添加使得基体内原位均匀、弥散分布莫来石晶须,可有效提高陶瓷材料的强韧性。
  • 一种原位合成莫来石晶须莫来石陶瓷方法

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