“晶圆表面平整度”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6746686个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]提高SiC晶圆平整度的方法-CN202010506287.0在审
发明人：宋华平;杨军伟;陈蛟;简基康;王文军;陈小龙 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高SiC晶圆平整度的方法，本发明通过先测量SiC晶圆的平整度数据，包括TTV值、Bow值和Warp值，通过分析计算获得具有最佳平整度的SiC晶圆而需去除的多余SiC材料对应的最佳切割面，采用激光切割的方法，将SiC晶圆表面不平整区域完全去除，再通过研磨抛光工艺将SiC晶圆的表面平整度和表面粗糙度加工到预定值；本发明提高SiC晶圆平整度的方法操作简单，易于实现，通过激光切割可以大部分消除SiC晶圆的不平整度，从而大大提高了后续研磨工序的效率，并且将研磨工序中出现SiC晶圆破裂的风险降到最低，提高了良率，保证产品质量，且加工效率高。
提高 sic 平整方法

[发明专利]自动晶圆表面平整度检测装置-CN202110058165.4在审
发明人：殷跃红;赵雨阳;徐俊东 -专利权人：上海交震智能科技有限公司
申请日： 2021-01-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种自动晶圆表面平整度检测装置，以解决晶圆平整度检测装置需要通过人工干预进行测量，不便使用的问题，以获得整个晶圆面内精确的平整度信息，确保整个晶圆内曝光后的图形质量。该自动晶圆表面平整度检测装置，结构包括：壳体和支撑架，所述壳体固定在支撑架上，所述支撑架前端安装机械臂工作平台，后端安装三个隔振元件。所述机械臂工作平台安装有机械臂和晶圆盒固定装置。所述隔振元件支撑干涉仪框架，所述干涉仪框架上固定有一个斐索型高精度激光干涉仪，所述激光干涉仪下方安装真空吸盘吸附晶圆和一个移动平台带动真空吸盘靠近和远离机械臂。机械臂镜晶圆从晶圆盒中取出传送到真空吸盘，吸附后移动到干涉仪下方测量晶圆面形数据，传输给计算机从而计算晶圆表面平整度。
自动表面平整检测装置

[发明专利]晶圆工作台平整度的监测方法、装置、系统及存储介质-CN202110443221.6在审
发明人：蔡孟勳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01B21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆工作台平整度的监测方法、装置、系统及存储介质，包括：实时获取晶圆的良率及原始焦距数据；基于原始焦距数据得到晶圆工作台的边缘平整度曲线；基于晶圆的良率得到晶圆的良率曲线；基于边缘平整度曲线和良率曲线得到边缘平整度和良率关于时间的趋势图；基于趋势图确定更换晶圆工作台时对应的晶圆工作台的边缘平整度值。上述晶圆工作台平整度的监测方法可以提高监测方法的适用性且降低成本；并且在实现对晶圆工作台平整度的在线监测的同时还不会影响晶圆处理效率。并且，有利于操作人员知晓何时更换晶圆工作台，避免晶圆工作台磨损超过一定程度而造成晶圆的良率过低。
工作台平整监测方法装置系统存储介质

[发明专利]晶圆切割方法-CN202110773446.8有效
发明人：田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆切割方法，首先从采用第一激光切割工艺沿器件晶圆的表面向下开槽，形成横向宽度较大的第一凹槽，然后刻蚀器件晶圆的表面，去除形成第一凹槽时产生并附着在器件晶圆的表面的颗粒物，然后平坦化器件晶圆的表面，保证器件晶圆的表面的洁净度和平整度，之后采用第二激光切割工艺沿第一凹槽的底面向下开槽，形成连通第一凹槽的且横向宽度较小的第二凹槽，此时，第二激光切割工艺产生的颗粒物仅会堆积在第一凹槽和第二凹槽内，不会影响器件晶圆的表面的洁净度和平整度，保证切割后产生的单个芯片的表面的洁净度和平整度，可提高混合键合工艺的键合效果。
切割方法

[发明专利]一种铜铜键合凸点的制作方法-CN201310721054.2有效
发明人：薛恺;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铜键合凸点的制作方法，有效降低了铜柱表面粗糙度，提高了微凸点的表面平整度，同时保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致，满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求；其特征在于：包括以下步骤：（1）在晶圆表面制作粘附层和种子层；（2）在晶圆表面淀积铜层；（3）对晶圆表面的铜层进行处理，改善铜表面粗糙度和平整度；（4）利用光刻工艺对铜层进行图形化；（5）去除微凸点位置以外的铜，在晶圆上形成微凸点结构；（6）去除晶圆表面微凸点区域以外的粘附层材料，形成电隔离的微凸点结构；（7）去除晶圆表面的光刻胶，得到高度均匀，表面平坦光滑的微凸点结构。
一种铜铜键合凸点制作方法

[发明专利]晶圆表面平整度检测及不完整曝光单元平整度检测补偿方法-CN201910908699.4有效
发明人：王建涛 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆表面平整度检测及不完整曝光单元平整度检测补偿方法，涉及半导体集成电路制造技术，对于晶圆表面完整的曝光单元及其范围内检测传感器大于等于2的不完整的曝光单元仍然采用“S”形扫描进行平整度检测，而对于边缘的其范围内检测传感器小于2的不完整的曝光单元，旋转以使得光刻机扫描方向与晶圆上一不完整曝光单元与晶边相切的两点之间的连线趋近于垂直，使多于一条的检测传感器落到不完整的曝光单元内，以补偿给光刻机曝光单元，获得整个晶圆面内精确的平整度信息，减少离焦的发生，确保整个晶圆内曝光后的图形质量。
表面平整检测完整曝光单元补偿方法

[发明专利]晶圆平整度的测量方法-CN202011567675.6有效
发明人：曾安 -专利权人：南京力安半导体有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种晶圆平整度的测量方法。该晶圆平整度的测量方法包括利用气浮卡盘提供的吸力调整晶圆的背面，以使晶圆的背面变平或使晶圆的背面与气浮卡盘的顶部表面相匹配；利用气浮卡盘提供的支撑力将晶圆悬浮在气浮卡盘的顶部表面上方预定距离D处；利用干涉仪测量晶圆与标准镜的相对表面之间的第一距离变化ΔS1，干涉仪位于标准镜远离气浮卡盘的一侧，其中，气浮卡盘的顶部表面与晶圆的正面能够反光；根据第二距离变化ΔS2和ΔS1获得晶圆的平整度TTV1，其中，ΔS2为在晶圆未装载时利用干涉仪测量的气浮卡盘与标准镜的相对表面之间的第二距离变化本申请实施例利用气浮卡盘使晶圆悬浮能够有效减小测量晶圆平整度过程中的测量误差。
平整测量方法

[发明专利]用于检测晶圆框架平整度的治工具-CN201610884686.4有效
发明人：陈伟;贾红星;谢志峰 -专利权人：江苏纳沛斯半导体有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G01B5/28 文献下载
摘要：一种用于检测晶圆框架平整度的治工具，包括：平整度检测部件，包括一两端贯通的检测槽，所述检测槽所在平面与水平面之间具有一倾斜角，仅能使变形量小于变形阈值的晶圆框架在重力作用下通过所述检测槽；底座；支撑部件，连接所述底座与所述平整度检测部件，用于支撑所述平整度检测部件。所述治工具能够在晶圆框架投入使用之前，快速检测晶圆框架的平整度，发现异常的晶圆框架，减少其导致产品异常的可能，从而提高生产效率和产品良率。
用于检测框架平整工具

[发明专利]用于器件晶圆进行注塑工艺的表面处理方法-CN201811604319.X在审
发明人：石虎;刘孟彬;敖萨仁;李海江;李洪昌 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于器件晶圆进行注塑工艺的表面处理方法，包括：步骤1：对所述晶圆的表面进行等离子体清洗工艺；步骤2：对所述晶圆的表面进行表面还原处理；步骤3：在所述晶圆表面进行注塑工艺；在晶圆表面进行等离子体清洗工艺后，晶圆表面受等离子冲击后平整度差，通过对晶圆表面进行表面还原处理，使晶圆表面的发生化学改性，去除晶圆表面的氧化层，提供晶圆表面的平整度，从而有利于注塑料在晶圆表面的热压成型，增加晶圆表面与注塑料之间的结合力，提高产品的可靠度，使注塑成型工艺效果更为可控。
晶圆表面晶圆注塑工艺等离子体清洗还原处理平整度注塑料注塑成型工艺化学改性热压成型等离子结合力可靠度氧化层可控去除

[发明专利]一种测量晶圆表面平整度的方法及装置-CN200810037396.1有效
发明人：毛方林 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种测量晶圆表面平整度的方法及装置，借助曝光装置中工件台垂向定位装置的冗余性，测量晶圆表面不同位置处形貌值，通过多项式拟合计算获取晶圆面任意点平整度。
一种测量表面平整方法装置

[发明专利]晶圆的加工方法-CN201710885045.5在审
发明人：刘玮荪;郁新举 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的加工方法，包括在晶圆的第一表面采用酯类材料形成调整层，所述调整层表面的平整度较所述第一表面的平整度高；对所述晶圆的第二表面进行平坦化；然后再去除所述第一表面的调整层。酯类材料可以在常温下为固体，采用酯类材料可以很容易的形成平整度较所述第一表面高的调整层，以使所述第一表面受力均匀，酯类的熔点和沸点比较低，一般难溶于水，能溶于各种有机溶剂，对所述晶圆的第二表面进行平坦化后，可以很容易的去除调整层，既避免了晶圆在平坦化的过程中因受力不均而产生裂纹，又不会对晶圆造成影响。
加工方法

[发明专利]使用背面补偿结构的晶圆平整度控制-CN201880001676.9在审
发明人：戴晓望;吕震宇;陶谦;胡禺石;夏季;李兆松;何家兰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了用于晶圆平整度控制的半导体结构以及用于使用和形成所述半导体结构的方法的实施例。在示例中，获得指示晶圆在第一方向和第二方向之间的平整度差异的模型。所述平整度差异与晶圆的正面上的多个半导体器件的多个制作阶段之一相关联。基于所述模型确定用于减小平整度差异的补偿图案。在所述多个制作阶段之一，基于补偿图案在晶圆的与正面相对的背面上形成补偿结构，以减小平整度差异。
平整度晶圆半导体结构补偿结构补偿图案减小背面半导体器件模型确定制作关联

[发明专利]化学机械平坦化工艺中晶圆边缘区域平整度优化方法-CN201710447709.X在审
发明人：张康;李婷;孙铭泽 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开的化学机械平坦化工艺中晶圆边缘区域平整度优化方法，其步骤为使用膜厚测量仪测量晶圆的表面形貌，计算并对比边缘区域及中心区域的膜厚均值；在1#抛光盘上采用调整保持环的压力及改变抛光盘与抛光头之间的转速差相结合的分步平坦化方式进行全局粗抛；在2#抛光盘上采用调整保持环压力及改变抛光盘与抛光头之间转速差相结合的分步平坦化方式进行边缘区域平整度改善精抛；在3#抛光盘上使用低压等离子水冲洗晶圆表面。在1#、2#抛光盘上晶圆边缘区域的改善策略为根据晶圆边缘膜厚与中心膜厚值，调整保持环压力并改变抛光盘与抛光头之间转速差。本发明提供的晶圆边缘区域平整度优化方法，步骤合理，有效改善边缘区域平整度和片内均匀性。
化学机械平坦化工艺中晶圆边缘区域平整优化方法

[发明专利]一种提高晶圆表面平整度的湿法刻蚀装置-CN201610933275.X在审
发明人：李俊;张颂周;杨志 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及湿法刻蚀技术领域，尤其涉及一种提高晶圆表面平整度的湿法刻蚀装置，包括至少一个酸碱槽，用于盛放酸碱液，以对晶圆进行湿法刻蚀；若干齿轮，设置于所述酸碱槽的底部，所述齿轮的齿口尺寸与所述晶圆的厚度匹配，以用于咬合所述晶圆；制动装置，与所述齿轮连接，以驱动所述齿轮带动所述晶圆旋转，使所述晶圆在放入和取出所述酸碱槽的过程中各部位接触所述酸碱液的时间一致，以提高所述晶圆的表面平整度。
一种提高表面平整湿法刻蚀装置

[发明专利]集成电路的表面平整度测试方法、设备和系统-CN202211209327.0在审
发明人：余景亮;王军;丁励;葛俊;曾豪;王佐 -专利权人：郑州大学;成都极海科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01B7/34 文献下载
摘要：本申请提出了一种集成电路的表面平整度测试方法、设备和系统，涉及硬件测试技术领域。其中，上述集成电路的表面平整度测试方法包括：控制待测晶圆按照设定步长逐次向目标针卡移动，并在每次移动设定步长后，检测待测晶圆上各个待测触点与目标针卡上各个探针的电连接状态。根据第一位移信息与第二位移信息的差值，确定待测晶圆的平整度。通过上述方案，可实现晶圆的平整度测试，并提升测试结果的准确度，降低测试成本。
集成电路表面平整测试方法设备系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条