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[发明专利]激光再晶化GeCMOS器件及其制备方法-CN201610718707.5在审
发明人：汪霖;姜博;张万绪;彭瑶;刘成;陈晓璇 -专利权人：西北大学
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光再晶化Ge CMOS器件及其制备方法。该方法包括选取Si衬底，生长Ge籽晶层、Ge主体层；淀积SiO2材料；将衬底材料加热至700℃，连续采用激光工艺晶化所述整个衬底材料，其中，激光波长为808nm，光斑尺寸10mm×1mm，功率为1.5kW/cm2，移动速度为25mm/s，形成晶化Ge层；形成浅槽隔离；生长栅介质层、栅极层，刻蚀形成栅极；注入离子形成源漏区，最终形成CMOS器件。本发明提供的CMOS器件是通过采用激光再晶化(Laser Re‑Crystallization，简称LRC)工艺实现的，可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度；连续激光再晶化工艺选择性高，仅作用于Ge外延层，控制精确，避免了Si‑Ge互扩的问题；连续激光再晶化工艺辅助制备Ge/Si虚衬底，晶化速度快，因而还具有工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低的优点。
激光再晶化 gecmos 器件及其制备方法

[实用新型]一种晶圆传送盒-CN202021833927.0有效
发明人：肖燕霞 -专利权人：肖燕霞
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆传送盒，其结构包括箱体、提手、箱盖、密封环、放置盒、承载板、卡槽、握把，提手与箱体为一体化结构，箱盖活页连接于箱体，密封环嵌固连接于箱盖下方，放置盒焊接连接于箱盖，承载板焊接连接于箱体，卡槽螺钉固定于箱体前端，握把活动卡合于箱体前端，本实用新型通过对晶圆传送盒结构的改进，将晶圆的存放方式改变为立式存放并通过盖板夹紧支撑晶圆，最大程度的减少晶圆与下落灰尘等接触的面积，在取出晶圆时，通过装夹装置，可直接取下晶圆，并将晶圆放置于工作平台，避免手指等接触晶圆表面而导致晶圆收到污染。
一种传送

[发明专利]一种基于芯片加工的晶圆激光切割装置-CN202210559387.9有效
发明人：殷泽安;殷志鹏 -专利权人：苏州译品芯半导体有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种基于芯片加工的晶圆激光切割装置，涉及激光切割技术领域，包括操作主槽架，所述操作主槽架两侧一体化连接有两个晶圆储存槽架，两个所述晶圆储存槽架外端均固定安装有用于存放加工前后晶圆的晶圆储存交替组件，所述吸盘滑动顶下端固定安装有两个抓取组件滑轨，所述抓取组件滑轨上滑动安装有用于吸取加工前后晶圆的吸盘抓取组件；本发明通过将晶圆及其外端的圆盘放置在其中一个晶圆储存槽架外侧的晶圆储存交替组件上，从而能够将晶圆固定盘上的晶圆及其外盘推动至穿过晶圆盘校准架下端，从而能够推至激光切割机对其激光切割，通过激光切割机升降台和电动滑轨进行调节，从而能够对晶圆进行激光切割。
一种基于芯片加工激光切割装置

[发明专利]形成自对准源区的方法-CN200910247327.8无效
发明人：任学慧;马德敬;王艳琴;冯炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成自对准源区的方法，首先在形成沿位线方向的浅槽隔离二氧化硅层和沿字线方向的栅极的半导体晶圆上形成轻掺杂漏区；沿字线方向形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层阻挡所述轻掺杂漏区、所述栅极以及所述轻掺杂漏区之间的浅槽隔离二氧化硅层，并暴露用于形成自对准源区的区域；以所述图案化的光刻胶层作为掩膜，对用于形成自对准源区的区域中的浅槽隔离二氧化硅层进行干法刻蚀，并对所述半导体晶圆执行源区离子注入；对所述半导体晶圆进行低温等离子体处理；对所述半导体晶圆进行灰化处理和酸槽清洗。
形成对准方法

[实用新型]一种相变存储器单元结构-CN200820122450.8无效
发明人：张泽;王珂;成岩;刘攀;韩晓东 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该结构包括：在绝缘衬底上依次沉积的底电极、过渡层、绝热层、相变材料层、过渡层和顶电极，特征在于：所述的相变材料层下方设置了具有中空槽的中空槽状钨电极，中空槽内填充有绝热材料SiO₂，以减少发热部分接触面从而减少结晶区域体积，所述中空槽状钨电极的内半径为钨电极外半径的0.4倍以上，当单元两端的电流超过阈值电流后相变材料产生由非晶相到晶体相的转变。钨电极由于采用了中空结构，从而提高了初始晶化与完全晶化状态之间的电阻差，两种稳定晶化状态之间可以通过不同的操作电流实现更多的中间电阻状态，提高了相变存储器的存储能力。
一种相变存储器单元结构

[发明专利]一种TFET器件-CN201910317881.2在审
发明人：胡建平;张鹏烽 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种TFET器件，包括衬底、晶化层、漏极、源极和栅极，晶化层设置在衬底的上端面上，晶化层的下端面与衬底的上端面固定连接，漏极设置在晶化层的上端面上，漏极的下端面与晶化层的上端面固定连接，漏极上设置有一个长方体形状的安装槽
漏极晶化层源极衬底导通电流上端面下端面上端隧穿长方体形状独立功能短沟效应嵌入安装安装槽有效地重合面形三面亚阈包围保证

[实用新型]LED彩光立体集成光源-CN201420021245.8有效
发明人：金振华 -专利权人：广州市白云区极光电子厂
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： F21S4/00 文献下载
摘要：技术方案是：LED彩光立体集成光源，包括基板、LED裸晶和细丝导线，在基板上开有数条长槽，长槽为平行排列，长槽外面形成凸台，长槽和凸台间隔分布，在长槽内均匀布置LED裸晶，由细丝导线顺着长槽将LED裸晶串联；在凸台上均匀布置LED裸晶，由细丝导线横向串联LED裸晶，长槽内与凸台上的细丝导线形成立体横跨，互不接触。解决各种颜色的彩光LED在集成光源内分布不均的问题；在解决分布不均匀的同时，要保证LED能快速散热；提升集成光源的集成度，以利彩光仪器的小型化。
led 彩光立体集成光源

[发明专利]晶种分解粗化期自压分级系统-CN200910258171.3无效
发明人：冯雨田;年伟 -专利权人：杭州锦江集团有限公司
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C01F7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶种分解粗化期自压分级系统。该系统包括分解槽和过滤机，所述过滤机与所述分解槽的槽底连接。本发明的技术方案利用分解料浆中晶种颗粒的周期性变化规律，在分解粗化期利用大颗粒的自压性质，在分解槽的槽底直接出料去平盘过滤机实现分级。
分解粗化期分级系统

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN201810986439.4有效
发明人：涂清镇 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装结构，包括晶圆、图案化介电层、多个第二芯片以及底填胶体。晶圆包括多个第一芯片及将这些第一芯片分隔开来的多条切割道。各第一芯片上具有一芯片接合区。图案化介电层配置于晶圆上，并包括多个开口、多个点胶槽以及多个流道。开口分别暴露出芯片接合区。点胶槽分别位于切割道上。流道分别连通点胶槽与芯片接合区。各芯片接合区对应连通至少一点胶槽。底填胶体位于点胶槽与流道内，并填充于第一芯片与第二芯片之间。本发明更提供一种半导体封装结构的制造方法。
半导体封装结构及其制造方法

[实用新型]自动化晶圆清洗装置-CN202320266049.6有效
发明人：李德平;强音 -专利权人：德赢创新（上海）半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了晶圆清洗设备技术领域的自动化晶圆清洗装置，包括清洗箱，所述清洗箱的内部安装有沥水槽，沥水槽的内部贯穿连接有方向调节轴，方向调节轴的一端与电机的输出端连接，方向调节轴的中间处固定连接有晶圆片定位槽，晶圆片定位槽的两侧连接有稳定架，稳定架的顶端胶合连接有弹性卡柱，清洗箱的两侧分别安装有滑轨，滑轨的内部贯穿连接有龙门架，龙门架的顶部安装有冲洗部件和烘干部件。本实用新型通过设置批量安装晶圆件的晶圆片定位槽，实现对晶圆件的批量清洗和烘干，弹性卡柱对晶圆件的夹持稳定，且夹持部件与晶圆件间的拆装操作简单、方便，有利于提升晶圆件的清洗效率。
自动化清洗装置

[实用新型]一种设有表面凸起的金刚石复合片-CN201821687739.4有效
发明人：陈本富;丁毅;陈华;罗明 -专利权人：重庆北思卡新材料有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： E21B10/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种设有表面凸起的金刚石复合片，包括硬质合金基底和聚晶金刚石层，所述聚晶金刚石层的表面设置有凸起片，且两者为一体化结构，所述硬质合金基底固定连接在聚晶金刚石层的底端，且聚晶金刚石层的顶端开设有总槽，并且聚晶金刚石层的表面等角度开设有分流槽。该设有表面凸起的金刚石复合片，通过对金刚石层表面结构的改进，有效的增加了金刚石层本身的结构强度，通过在聚晶金刚石层表面设置与其一体化结构的凸起片，能够有效的减少切削面和复合片的金刚石部分的接触面积，散热效果更好的同时，有效的降低了金刚石内部和表面的损耗，通过表面分流槽的使用，在钻探的同时，有利于磨削液的均匀分布。
聚晶金刚石层金刚石复合片表面凸起一体化结构硬质合金基金刚石表面设置金刚石层分流槽凸起片本实用新型表面结构散热效果复合片磨削液切削面底端总槽钻探改进

[发明专利]晶化非晶Si膜的方法-CN200510072664.X无效
发明人：崔哲柊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种晶化非晶Si膜的方法。这种晶化非晶Si膜的方法包括：向形成在衬底上的非晶Si膜中掺入预定的金属离子，以及，对掺有金属离子的非晶Si膜退火以晶化该非晶Si膜。根据该晶化非晶Si膜的方法，可以用更低的能量晶化非晶Si膜，且晶化的Si膜的表面粗糙度可以得到改善。
晶化非晶 si 方法

[实用新型]一种电镀槽体-CN202123240417.X有效
发明人：刘金升;夏前刚 -专利权人：苏州施密科微电子设备有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C25D17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电镀槽体，包括电镀槽基座，电镀槽基座上设有电镀内外循环槽，电镀内外循环槽一侧设有均化板驱动装置盒，电镀内外循环槽上端一侧设有贯穿其上端设置的阳极，阳极一侧设有均化板，均化板远离阳极的另一侧设有晶圆片夹具，电镀内外循环槽槽内设有设置于晶圆片夹具一侧的内置加热器，均化板上端设有与电镀内外循环槽上端连接的连接杆，连接杆一端与均化板驱动装置盒上端设置的均化板驱动装置连接。本实用新型的有益效果：加热器由外置更改为内置，运行更稳定，加热速度快，装配简单，成本低，阳极由固定式加装为可调节式，可根据电镀工艺随意调整合适位置，均化板驱动装置加装止转卡扣，运行稳定，在运作时无倾斜情况
一种电镀

[发明专利]化合物的晶型和制备化合物的晶型的方法-CN201980033721.3在审
发明人：布瑞恩·丽安;赫罗科·马萨默纳;杰弗里·巴克尔 -专利权人：维京治疗公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C07F9/6571 文献下载
摘要：本文公开了使式I化合物结晶的方法及其晶型。所公开的式I的晶型包括TBME溶剂化物晶型、甲苯溶剂化物晶型、乙醇溶剂化物晶型、THF溶剂化物晶型、EtOAc溶剂化物晶型、丙酮溶剂化物晶型和晶型C。
化合物制备方法

[发明专利]一种用于生产高纯镓的标准晶种制备装置及其使用方法-CN202010041167.8在审
发明人：王友彬;洪标;韦悦周;高锋;胡振光 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于生产高纯镓的标准晶种制备装置及其使用方法，该装置包括冷却槽和结晶板；冷却槽与结晶板通过密封连接形成供冷媒流动换热的空腔，冷却槽外部设置有冷媒进出口，冷却槽内设置有挡板、连接杆和搅拌桨，结晶板上设置有晶种槽，晶种槽为长：宽：高＝(7.4～7.7)：(4.4～4.7)：(4.4～4.7)的长方体，并在结晶板上均匀排布。本装置的使用方法为将液态籽晶镓放入晶种槽内，向冷却槽和结晶板之间的空腔通入冷媒，使液态籽晶镓结晶，待液态籽晶镓完全凝固时停止通入冷媒，取出晶种保存备用。本装置的结构简单，使用方法操作简便，能够得到形貌统一，尺寸一致的标准晶种，有利于促进结晶法生产高纯镓的规模化全自动控制，具有良好的应用前景。
一种用于生产高纯标准制备装置及其使用方法