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[发明专利]一种微晶玻璃、及其制备方法和用途-CN202110866102.1在审
发明人：黄昊;汪钰博;邓双;谈宝权;胡伟 -专利权人：重庆鑫景特种玻璃有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种微晶玻璃的制备方法，包括(1)将玻璃原片进行核化，然后进行一次晶化，所述一次晶化温度为x1，一次晶化时间为t；所述一次晶化温度x1和一次晶化时间t满足如下条件：①‑a×t+652≤x1≤‑a×t+667；其中，a为常数，且0.1≤a≤0.25；t为10～300min；②y1＝0.0029x1+b；其中，y1为一次晶化后的玻璃密度，且2.440gbase:Sup>3≤y1≤2.490g/cm3；b为常数，且0.55b0.60；(2)将一次晶化后的玻璃片进行二次晶化本发明通过对需要进行二次晶化的玻璃原片进行一次晶化温度和时间的控制，降低了二次晶化时的形变程度，而且所制微晶玻璃具有良好的透光率，提高了产品的良率。
一种玻璃及其制备方法用途

[发明专利]晶圆薄化方法-CN202110251617.0在审
发明人：董悦明;杨家铭;潘冠霖;陈俊玮;吕建德 -专利权人：华泰电子股份有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请提供的晶圆薄化方法包含：提供一晶圆，所述晶圆具有一正面以及与所述正面相对的一背面；采用一研磨砂轮磨削所述晶圆的所述背面以薄化所述晶圆至一预定厚度；采用一切割刀对所述晶圆进行切割；采用化学药水或电浆制程对所述晶圆的所述背面进行咬蚀以薄化所述晶圆；以及将所述晶圆分离成多个晶粒。
晶圆薄化方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜的制造方法-CN201110307025.2无效
发明人：史亮亮 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：沉积非晶硅；利用激光扫描该非晶硅，使非晶硅初步晶化；对初步晶化的非晶硅退火完成晶化。另外，在激光扫描非晶硅时，还可以在非晶硅上放置掩模。
一种多晶薄膜制造方法

[发明专利]一种半导体圆晶烘干装置-CN202110939768.5在审
发明人：向宇;向国清 -专利权人：芷江积成电子有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体圆晶烘干装置，包括无尘烘干室，无尘烘干室内安装有轨道，轨道上安装有滑动小车，滑动小车上连接有竖向伸缩装置，竖向伸缩装置连接有横向伸缩装置，横向伸缩装置上安装有负压吸取装置；所述无尘烘干室中部安装有若干烘干架，无尘烘干室一端安装有进料盘，另一端安装有出料盘，进料盘和出料盘均连接有伸拉装置；所述烘干架均包括自上到下设置的料板，料板上成形有若干圆晶放置槽。圆晶放置槽底部成形有若干透气孔。本发明实现了圆晶的自动化取料和烘干操作，有效防止了圆晶转移过程中容易被划伤的风险，此外对圆晶的烘干充分，效率高有效防止了人进入车间影响其烘干且易代入灰尘污染圆晶的风险。
一种半导体烘干装置

[实用新型]一种背钝化晶体硅太阳能电池-CN201521142422.9有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背钝化晶体硅太阳能电池，所述晶体硅太阳能电池从下往上依次包括Ag背电极、Al背电场、SiNx层、本征非晶硅层、P+非晶硅层、P型硅、N+层、减反膜和Ag正电极；所述SiNx层、本征非晶硅层和P+非晶硅层均设有均匀分布的激光槽，所述Al背电场穿过均匀分布的激光槽与P型硅接触。与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：采用P+非晶硅层、本征非晶硅层和SiNx叠层组合的背钝化结构，利用非晶硅和P+/P高低结优异的钝化效果，大大降低了硅片背面的少数载流子复合速率，提升了电池的转换效率；由于利用PECVD等简单的设备即可完成背钝化电池的制备，电池成本低，易产业化推广。
一种钝化晶体太阳能电池

[发明专利]一种用于LED晶圆制程的载盘-CN202010807837.2在审
发明人：林志园;洪金居;陈火宾;肖遥;程伟 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于LED晶圆制程的载盘，包括载盘；载盘上设有一晶圆放置面，晶圆放置面上设有晶圆放置槽，晶圆放置槽包括中心晶圆放置槽和若干外围晶圆放置槽；各外围晶圆放置槽以中心晶圆放置槽为中心环绕设置；各外围晶圆放置槽设置有一挡板，且挡板位于外围晶圆放置槽与载盘的平边处；本发明设置与载盘边缘相连的各外围晶圆放槽，增加晶圆放槽的数量，提升了产能；同时，相邻两个外围晶圆放置槽相互紧挨，且与载盘边缘形成一间隙斜面，倾斜面可改善载盘边缘区域的温场及流场，提高沉积混合气体的效率，改善外围晶圆均匀性差的问题。
一种用于 led 晶圆制程

[实用新型]一种用于LED晶圆制程的载盘-CN202021673369.6有效
发明人：林志园;洪金居;陈火宾;肖遥;程伟 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于LED晶圆制程的载盘，包括载盘；载盘上设有一晶圆放置面，晶圆放置面上设有晶圆放置槽，晶圆放置槽包括中心晶圆放置槽和若干外围晶圆放置槽；各外围晶圆放置槽以中心晶圆放置槽为中心环绕设置；各外围晶圆放置槽设置有一挡板，且挡板位于外围晶圆放置槽与载盘的平边处；本实用新型设置与载盘边缘相连的各外围晶圆放槽，增加晶圆放槽的数量，提升了产能；同时，相邻两个外围晶圆放置槽相互紧挨，且与载盘边缘形成一间隙斜面，倾斜面可改善载盘边缘区域的温场及流场，提高沉积混合气体的效率，改善外围晶圆均匀性差的问题。
一种用于 led 晶圆制程

[发明专利]应用红、绿激光制备薄膜太阳能电池的方法-CN200910116083.X无效
发明人：陈良范;宁海洋;沈峰 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：应用红、绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，为：用红外激光在衬底玻璃的透明导电膜上刻出多条等宽的凹槽；采用等离子体增强化学气相沉积法在导电膜上沉积非晶硅膜或微晶硅膜；在非晶硅膜或微晶硅膜上位于导电膜上的每条凹槽的同向旁侧处用绿激光分别刻出一条凹槽；采用磁控溅射法在非晶硅膜或微晶硅膜上沉积负电极膜；再用绿激光对负电极膜、非晶硅膜或微晶硅膜进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的每条凹槽的同向旁侧处。刻槽采用1064、532、532nm的红外激光、绿激光、绿激光。相邻三凹槽的宽度之和小于或等于1mm。本法可工业化应用，工艺简单，刻蚀的速度快、精度高，以致电池的电性能输出和稳定性较佳。
应用激光制备薄膜太阳能电池方法

[发明专利]一种非晶合金可调控的晶化方法-CN202110359263.1有效
发明人：柯海波;赵航;闫玉强;孙保安;汪卫华 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C21D10/00 文献下载
摘要：一种非晶合金可调控的晶化方法，属于材料领域。非晶合金可调控的晶化方法包括：在10℃‑36℃及空气中，将超声波冲头与非晶合金样品紧密接触，然后超声波冲头对非晶合金样品进行超声作用，使非晶合金样品的至少部分非晶相转化为晶相；其中，超声作用的条件包括：该晶化方法操作简单且方便，且在数秒之内便能够使非晶合金至少部分非晶相转变为晶相，显著的提高加工效率，并且可根据实际的需求调节超声作用的参数，进而获得晶化程度不同的晶化合金基材料，满足不同的使用需求。
一种合金调控方法

[发明专利]一种多步晶化合成小晶粒SAPO‑34分子筛及其合成方法-CN201711293430.7在审
发明人：罗明检;胡冰;王宝辉;毛国梁;王大康;付亚东 -专利权人：东北石油大学
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C01B39/54 文献下载
摘要：一种多步晶化合成小晶粒SAPO‑34分子筛及其合成方法的方法，涉及分子筛合成方法技术领域，它首先用常规方法配制合成SAPO‑34分子筛的反应混合物凝胶，然后升温到170～250℃条件下进行第一段晶化，晶化0.5～5小时，再降温到50～150℃条件下进行第二段晶化，晶化0.5～5小时，最后在升温到180～250℃条件下进行第三段晶化，晶化5～240小时；晶化结束后降致室温，离心分离，固体产物烘干后在500本多步晶化合成小晶粒SAPO‑34分子筛的方法得到的SAPO‑34分子筛产物较常规方法所得产物晶粒更小，晶粒大小均匀，不易生成杂晶，催化性能得到提高。
一种多步晶化合晶粒 sapo 34 分子筛及其合成方法

[发明专利]一种干胶快速晶化制备沸石分子筛的方法-CN201910502519.2有效
发明人：窦涛;谭富江 -专利权人：太原大成环能化工技术有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种干胶快速晶化制备沸石分子筛的方法，涉及分子筛固相合成领域；具体包括步骤：在硅铝型分子筛母液中，加入铝源、氟化物晶化得到该硅铝型分子筛导向剂；在此硅铝型分子筛导向剂中加入碱源、硅源、模板剂R和去离子水，混合均匀后干燥成干胶粉末；所述干胶粉末在连续晶化釜内蒸汽气氛下晶化，晶化时间为2~10h，得到沸石分子筛；本发明的导向剂是二次晶化所得，活性高、导向作用强、可以缩减模板剂用量，提高结晶度，避免固相合成的杂晶相产生，缩短晶化周期；连续晶化釜，无需降温泄压，可连续化生产，所需的晶化时间短，效率产量高，制得的沸石分子筛稳定性好、结晶度高、硅铝比高。
一种快速制备分子筛方法

[发明专利]微晶玻璃及其钢化方法和应用-CN202010461212.5有效
发明人：陈亚兵;李倩倩;赵丹;许仁;王伟 -专利权人：维达力实业（赤壁）有限公司;万津科技有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微晶玻璃及其钢化方法玻璃和应用。该钢化方法包括以下步骤：分别熔融玻璃原料和金属盐，制备微晶玻璃前驱体和钢化熔盐；将所述微晶玻璃前驱体浸入所述钢化熔盐中进行离子交换处理，制备玻璃中间体I；对所述玻璃中间体I进行晶化热处理，制备玻璃中间体利用离子交换使微晶玻璃前驱体表层组分发生改变，使玻璃的表层组分和内层组分存在热膨胀系数差，再通过晶化热处理，使玻璃中间体在晶化热处理后得到了表层和内层晶相不一致、热膨胀系数也不一致的微晶玻璃，在冷却收缩的过程中，两层之间形成应力层，提升了微晶玻璃的抗力冲击强度。
玻璃及其方法应用

[实用新型]一种嵌入式双层结构碳化硅托盘-CN201821121917.7有效
发明人：徐姗姗;吴疆;丁磊 -专利权人：安徽芯瑞达科技股份有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开一种嵌入式双层结构碳化硅托盘，包括盘体、第一晶圆槽、第二晶圆槽；所述盘体上表面设置有第一晶圆槽，若干第一晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；相邻四个第一晶圆槽之间的盘体上表面设置有第二晶圆槽，若干第二晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；所述第一晶圆槽的深度比所述第二晶圆槽的深度深，第一晶圆槽的深度为第二晶圆槽深度的两倍；所述第一晶圆槽一侧设置有夹放缺口槽，夹放缺口槽深度与第一晶圆槽深度相同；本实用新型具有方便镊子取放托盘内的晶圆，提升LED芯片的制造效率和产能的特点。
晶圆槽盘体上表面托盘本实用新型矩阵分布双层结构嵌入式缺口槽碳化硅盘体镊子产能晶圆取放制造

[发明专利]激光晶化装置及晶化激光束的控制方法-CN201711084695.6有效
发明人：李童敏;全祥皓;姜美在;徐宗吾;苏炳洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明公开一种能够发出均匀的激光束而能够进行高质量的非晶硅层晶化的激光晶化装置及晶化激光束的控制方法，本发明的激光晶化装置包括能够发出激光束的激光束产生部、将激光束匀化的匀化器以及光扩散部，且匀化器包括分光透镜
激光化装激光束控制方法

[发明专利]改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺-CN200610116900.8无效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-10-08 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺，包括步骤：高压N阱和P阱的光刻、离子注入和退火；N型和P型扩散区的光刻、离子注入和退火；衬垫氧化膜和氮化硅的生长和淀积；浅沟隔离槽的光刻与刻蚀；浅沟隔离槽衬垫氧化膜的生长；进行非晶化硅离子的注入；浅沟隔离槽氧化硅的填入，并利用化学机械抛光实现平坦化；去除氮化硅，并腐蚀氧化硅直至有源硅上面的氧化层全部去净；氧化高压管栅氧。可提高浅沟隔离槽边缘区域的氧化速率，改善高压栅氧化硅层的均匀性。
改善高压均匀预非晶化离子注入工艺